Особенности диэлектрических аномалий Pb[1-x]Ge[x]Te (Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода [Текст] / С. В. Барышников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1270-1273. - Библиогр.: с. 1273 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические фазовые переходы -- фазовые переходы -- диэлектрические аномалии -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Представлены результаты исследований диэлектрических свойств Pb[1-x]Ge[x]Te (Ga) для x = 0. 02, 0. 03, 0. 05 в температурном интервале 77-150 K на частотах 10{4} - 10{6} Hz. Обнаружено, что для Pb[1-x]Ge[x]Te (Ga) не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода T[c], но и абсолютное значение эпсилон существенно растет с ростом содержания Ge. На температурной зависимости диэлектрической проницаемости Pb[1-x]Ge[x]Te наблюдаются два пика - основной при температуре сегнетоэлектрического перехода T[c] и добавочный при T[l] > T[c]. Доп.точки доступа: Барышников, А. С.; Баранов, А. Ф.; Маслов, В. В. |
539.2 К 181 Камзина, Л. С. Оптические и диэлектрические аномалии в кристаллах PbIn[1/2]Nb[1/2]O[3-x]PbTiO[3] в электрическом поле [Текст] / Л. С. Камзина, авт. H. Luo // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1136-1140. - Библиогр.: с. 1140 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические аномалии -- диэлектрические аномалии -- постоянные электрические поля -- фазовые преобразования -- монокристаллы Аннотация: Исследовано влияние разных режимов приложения постоянного электрического поля (0 kV/cm) на структурные фазовые преобразования и поведение фазовой границы в [001]-ориентированных монокристаллах PbIn[1/2]Nb[1/2]O[3-x]PbTiO[3] (стартовый состав), лежащих вблизи морфотропной фазовой границы. Помимо диэлектрических методов исследования впервые использовались оптические методы. Обнаружено, что содержание PbTiO[3] в исследуемых образцах меньше, чем в стартовом составе. Сделано предположение, что в изученных образцах стабильным состоянием при комнатной температуре в отсутствие электрического поля является состояние, соответствующее смеси ромбоэдрической R- и моноклинной M[a]-фаз. Обнаружено, что число, симметрия и стабильность возникающих в поле фаз зависят от режима приложения поля. Построены E-T-фазовые диаграммы для разных режимов приложения поля. Показано, что в одном и том же кристалле фазовые диаграммы различны для разных способов приложения поля. Доп.точки доступа: Luo, H. |