539.2+537.226 Т 572 Тонконогов, М. П. Квантовые эффекты при термодеполяризации в сложных кристаллах с водородными связями [Текст] / М. П. Тонконогов, М. П. Кукетаев, К. К. Фазылов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): квантовые эффекты -- термодеполяризация -- сложные кристаллы -- кристаллы с водородными связями -- протонные полупроводники -- туннелирование -- туннелирование протонов -- диэлектрическая релаксация -- метод матрицы плотности -- матрица плотности Аннотация: Для описания механизма туннелирования протонов при диэлектрической релаксации применен метод матрицы плотности, в результате чего предложен термоактивационный способ расчета параметров релаксаторов в кристаллах с водородными связями при низких температурах. Доп.точки доступа: Кукетаев, М. П.; Фазылов, К. К. |
539.2 Я 752 Ярмаркин, В. К. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами [Текст] / В. К. Ярмаркин, С. Г. Шульман [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 897-900. - Библиогр.: с. 900 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- ортофосфорная кислота -- фосфористая кислота -- триглицинсульфат -- петля диэлектрического гистерезиса -- энергия активации Аннотация: Исследованы процессы переключения поляризации и температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов триглицинсульфата, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами, в диапазоне частот 100 Hz - 1 MHz и температур 140-340 K. Установлено, что при относительно небольшой растворимости примесей (не более 1 mol. %) легирование кристаллов сопровождается существенным изменением параметров петли диэлектрического гистерезиса, а также величины и характера температурной зависимости диэлектрических потерь, свидетельствующих об увеличении в сегнетоэлектрической фазе легированных кристаллов энергий активации и времен релаксации доменных стенок в результате их взаимодействия с примесями. Доп.точки доступа: Шульман, С. Г.; Панкова, Г. А.; Зайцева, Н. В.; Леманов, В. В. |
539.2 А 181 Аванесян, В. Т. Фотодиэлектрический эффект в поликристаллических слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, авт. Е. П. Баранова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 10. - С. 1760-1761. - Библиогр.: с. 1761 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокоомные немонокристаллические фотопроводники -- диэлектрическая релаксация -- ортоплюмбат свинца -- световое возбуждение -- фотодиэлектрический отклик -- фотопроводники Аннотация: Представлены результаты исследования влияния светового возбуждения на диэлектрические характеристики поликристаллических слоев ортоплюмбата свинца Pb[3]O[4]. Приведены зависимости фотодиэлектрического отклика исследуемых образцов от температуры в интервале частот 10{2} - 10{5} Hz. Определены параметры и энергия активации процесса диэлектрической релаксации. Проявление фотодиэлектрического эффекта интерпретируется в рамках формирования пространственного заряда в объеме полупроводника. Обсуждается роль электронов неподеленной пары, принадлежащих катионам Pb{2+}, в исследуемых процессах. Доп.точки доступа: Баранова, Е. П. |
Диффузия цепей в аморфно-кристаллическом полиэтилене: проявление в процессе диэлектрической релаксации [Текст] / И. А. Чмутин [и др. ] // Высокомолекулярные соединения. Серия А и Серия Б. - 2008. - Т. 50, N 2. - С. 295-305. - Библиогр.: с. 304 (37 назв. ) . - ISSN 0507-5475
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): аморфно-кристаллический полиэтилен -- диэлектрическая релаксация -- диэлектрические потери -- молекулярные модели -- диффузия -- кристаллическая фаза -- аморфная фаза -- кристаллиты -- молекулярные механизмы Аннотация: Представлены экспериментальные данные по высокотемпературной диэлектрической релаксации ? {\dn С} в образцах линейного ПЭ с разной термической предысторией. Доп.точки доступа: Чмутин, И. А.; Рывкина, Н. Г.; Зубова, Е. А.; Маневич, Л. И. |
Сегнетоэлектрические фазовые переходы в ионных проводниках на основе ванадата висмута [Текст] / Е. Д. Политова // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 7. - С. 1364-1368. - Библиогр.: с. 1368 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- ионные проводники -- ванадат висмута -- твердые растворы -- твердофазные синтезы -- диэлектрическая релаксация -- стабилизация полиморфных растворов Аннотация: Методом твердофазного синтеза получены керамические твердые растворы (Bi[1-x]La[x]) [4]V[2]O[11-z] (I), Bi[4] (V[1-x]Fe[x]) [2]O[11-y] (II) и (Bi[1-x]La[x]) [4] (V[0. 96]Fe[0. 04]) [2]O[11-y] (III) (x равно 0 - 0. 3, шаг Delta x = 0. 02). Установлены концентрационные и температурные диапазоны стабилизации различных полиморфных модификаций, включая области концентраций x, соответствующие стабилизации сегнетоэлектрической фазы. Установлено снижение температуры, размытие перехода и увеличение интервала температурного гистерезиса сегнетоэлектрического фазового перехода с ростом x в области существования псевдоромбической alpha-фазы изученных твердых растворов. Выявлены эффект "зажатия" доменных стенок вакансиями кислорода в образцах из области существования сегнетоэлектрической фазы alpha и эффект диэлектрической релаксации в образцах из области существования ромбической фазы beta. Доп.точки доступа: Политова, Е. Д.; Калева, Г. М.; Мосунов, А. В.; Фортальнов, Е. А.; Андронова, Л. И.; Андропова, С. А.; Сафроненко, М. Г.; Венсковский, Н. У. |
Фазовые переходы и диэлектрическая релаксация в (1-x) SrTiO[3-x]BiFeO[3] (0 [Текст] / Е. П. Смирнова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2348-2351. - Библиогр.: с. 2351 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- твердые растворы -- диэлектрическая релаксация -- петли диэлектрический гистерезис -- антиферродисторсионный переход -- гистерезис Аннотация: Изучены диэлектрические и акустические свойства твердых растворов (1-x) SrTiO[3-x]BiFeO[3] (0 =< x=< 0. 04) в температурном диапазоне 10-300 K. При температурах 40-100 K обнаружено полярное состояние, которое характеризуется дисперсией диэлектрической проницаемости и петлями диэлектрического гистерезиса. В области температур 20-40 K наблюдается еще одна диэлектрическая релаксация, не связанная с полярным состоянием и исчезающая при концентрации второй компоненты твердого раствора x=0. 04. Выявлена эволюция антиферродисторсионного (АФД) перехода при увеличении концентрации x. Показано, что для всех измеренных твердых растворов при температурах ниже температуры АФД-перехода существует полярное (релаксорное) состояние. Доп.точки доступа: Смирнова, Е. П.; Сотников, А. В.; Schmidt, H.; Зайцева, Н. В.; Weihnacht, M. |
Диэлектрическая релаксация в слоистых оксидах семейства фаз Ауривиллиуса [Текст] / В. Г. Власенко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 4. - С. 693-696. - Библиогр.: с. 696 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- слоистые оксиды -- перовскитные слои -- метод рентгеновской порошковой дифракции -- фазы Ауривиллиуса -- Ауривиллиуса фазы -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Синтезированы два новых поликристаллических слоистых оксида Bi[2. 33]Ca[0. 17]Nb[1. 33]W[0. 17]O[7. 5] и Bi[2. 25]Ca[0. 25]Nb[1. 25]W[0. 25]O[7. 5] с полуторным количеством перовскитных слоев. Методом рентгеновской порошковой дифракции определено, что оба соединения являются однофазными и имеют структуру фаз Ауривиллиуса с орторомбическими элементарными ячейками, отвечающими пространственной группе Cmm2. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости в интервале частот 1 kHz-1 MHz показали наличие релаксорных свойств в указанных соединениях, проявляющихся в частотной дисперсии температуры фазового перехода сегнетоэлектрик-параэлектрик и характеризующихся высокими значениями найденных параметров диффузности гамма=1. 75 и 1. 82. Доп.точки доступа: Власенко, В. Г.; Зарубин, И. А.; Шуваев, А. Т.; Власенко, Е. В. |
53:51 Х 181 Хамзин, А. А. Микроскопическая модель недебаевской диэлектрической релаксации. Закон Коула-Коула и его обобщение [Текст] / А. А. Хамзин, Р. Р. Нигматуллин, И. И. Попов // Теоретическая и математическая физика. - 2012. - Т. 173, № 2. - С. 314-332 : 4 рис. - Библиогр.: с. 331-332 (27 назв.) . - ISSN 0564-6162
Рубрики: Физика Математическая физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- комплексная диэлектрическая проницаемость -- недебаевские диэлектрические спектры -- фракталы -- дискретная масштабная инвариантность -- логопериодические осцилляции -- закон Коула - Коула -- Коула - Коула закон Аннотация: Построена микроскопическая модель недебаевской диэлектрической релаксации в сложных системах, которая базируется на самоподобной пространственно-временной организации релаксационного процесса. Доп.точки доступа: Нигматуллин, Р. Р.; Попов, И. И. |
537.2 К 829 Кришталик, Л. И. Белки как специфическая полярная среда процессов переноса заряда [Текст] / Л. И. Кришталик // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 12. - С. 1275-1300 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1298-1300 (196 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): полярные среды -- заряженные частицы -- электроны -- протоны -- белки -- электрические поля -- диэлектрическая релаксация -- низкодиэлектрические среды Аннотация: Рассмотрены особенности белков как предорганизованных высокополярных и низкодиэлектрических сред, для которых характерны наличие предсуществующего внутрибелкового электрического поля, низкая энергия реорганизации и большой интервал времен диэлектрической релаксации. |
621.315.592 Д 508 Диэлектрические и транспортные свойства тонких пленок, осажденных из золей, содержащих наночастицы кремния [Текст] / Н. Н. Кононов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1068-1078 : ил. - Библиогр.: с. 1077-1078 (44 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): диэлектрические свойства -- транспортные свойства -- тонкие пленки -- твердые подложки -- коллоидные растворы -- золи -- осаждение пленок -- наночастицы кремния -- кремний -- оптическая эллипсометрия -- импеданс-спектроскопия -- диэлектрическая проницаемость -- кристаллический кремний -- численное моделирование -- эффективная среда Бруггемана -- Бруггемана эффективная среда -- экспериментальные спектры -- эллипсометрические спектры -- кремниевые пленки -- пористые среды -- моноокись кремния -- SiO -- пористость -- наноразмерный кремний -- закон диэлектрической дисперсии Коула - Коула -- Коула - Коула закон диэлектрической дисперсии -- свободные электрические заряды -- диэлектрическая релаксация Аннотация: Диэлектрические свойства тонких пленок, осажденных на твердые подложки из коллоидных растворов, содержащих наночастицы кремния (средний диаметр 10 нм), исследованы посредством оптической эллипсометрии и импеданс-спектроскопии. В оптическом диапазоне величины действительной varepsilon{'} и мнимой varepsilon{''} компонент комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon изменяются в пределах 2. 1-1. 1 и 0. 25-0. 75 соответственно. Эти величины значительно меньше, чем аналогичные значения кристаллического кремния. Посредством численного моделирования в рамках приближения эффективной среды Бруггемана мы показали, что экспериментальные спектры varepsilon{'} и varepsilon{''} могут быть объяснены с хорошей точностью, если предположить, что кремниевые пленки являются пористой средой, состоящей из моноокиси кремния (SiO) и воздушных полостей, при коэффициенте пористости 0. 5. Главная причина такого поведения пленок определяется влиянием на диэлектрические свойства кремниевых наночастиц их внешних оболочек, взаимодействующих с атмосферным кислородом. В диапазоне частот 10-10{6} Гц экспериментально зарегистрированные спектры varepsilon{'} и varepsilon{''} тонких пленок наноразмерного кремния хорошо аппроксимируются полуэмпирическим законом диэлектрической дисперсии Коула-Коула вместе с членом, связанным со свободными электрическими зарядами. Экспериментально зарегистрированная степенная частотная зависимость проводимости на переменном токе означает, что электрический транспорт в пленках определяется прыжками электрических зарядов через локализованные состояния, находящиеся в неупорядоченной среде внешних оболочек наночастиц кремния, составляющих пленки. Обнаружено, что при частотах <2 x 10{2} Гц проводимость в пленках определяется транспортом протонов через группы Si-OH, находящиеся на поверхности наночастиц кремния. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1068-1078.pdf Доп.точки доступа: Кононов, Н. Н.; Дорофеев, С. Г.; Ищенко, А. А.; Миронов, Р. А.; Плотниченко, В. Г.; Дианов, Е. М. |
539.2 Г 463 Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe[2] [Текст] / Р. М. Сардарлы [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1488-1492. - Библиогр.: с. 1491-1492 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- проводимость -- диэлектрическая релаксация -- кристаллы Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости и проводимость кристаллов TlGaTe[2]. Обнаружено наличие сильной диэлектрической релаксации. Показано, что механизм диэлектрической релаксации связан с перескоком ионов Tl по вакансиям в подрешетке таллия вследствие перехода системы в суперионное состояние. Доп.точки доступа: Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Салманов, Ф. Т. |
539.2 Д 508 Диэлектрическая релаксация в керамике PbFe[1/2]Nb[1/2]O[3] [Текст] / А. В. Павленко [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 9. - С. 1768-1776. - Библиогр.: с. 1776 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- керамика -- температурно-частотные зависимости -- релаксационные экстремумы Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости эпсилон керамики PbFe[1/2]Nb[1/2]O[3]. Показано, что в параэлектрической фазе на этих зависимостях формируются релаксационные экстремумы. Удовлетворительное описание экспериментальных спектров эпсилон возможно с помощью модели диэлектрика с функцией распределения времен релаксации в виде прямоугольника. Доп.точки доступа: Павленко, А. В.; Турик, А. В.; Резниченко, Л. А.; Шилкина, Л. А.; Константинов, Г. М. |
537.311.5 Г 836 Гриднев, С. А. Низкочастотная диэлектрическая релаксация (шум 1/f) в релаксаторах системы (1-x) PMN- (x) PZT [Текст] / С. А. Гриднев, А. Н. Цоцорин, А. В. Калгин // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1416-1419. - Библиогр.: c. 1419 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- диэлектрические свойства -- керамика -- релаксация -- релаксоры -- сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрическая керамика -- спектральная плотность -- температурная зависимость -- фазовые переходы -- шумы -- экспериментальные исследования Аннотация: На частотах от 40 Гц до 1 МГц изучены диэлектрические свойства релаксорной сегнетоэлектрической керамики (1-х) PbMg[1/3]Nb[2/3]O[3] - (x) PbZr[0. 53]Ti[0. 47]O[3] (PMN-PZT) в области температур размытого фазового перехода. Установлено, что диэлектрическая релаксация вызывает шум 1/f, спектральная плотность которого зависит от состава релаксора и температуры. Доп.точки доступа: Цоцорин, А. Н.; Калгин, А. В. |
539.21:537 И 755 Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe[2], облученных gamma-квантами / Р. М. Сардарлы [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 5. - С. 696-701 : ил. - Библиогр.: с. 700-701 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая релаксация -- ионная проводимость -- кристаллы -- переключения -- температурная зависимость -- электропроводность -- облучение -- электрические поля -- пороговые уровни -- вольт-амперные характеристики -- дифференциальное сопротивление -- критические напряжения -- осцилляции -- модуляция Аннотация: Исследованы эффект переключения, полевые и температурные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов TlGaTe[2], подвергнутых gamma-облучению в различных дозах. При сравнительно низких электрических полях в кристаллах наблюдается явление порогового переключения с S-образной вольт-амперной характеристикой, содержащей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области критических напряжений наблюдаются осцилляции тока и напряжения, а также наложенная на них модуляция. Обсуждаются возможные механизмы переключения, ионной проводимости, неупорядоченности и электрической неустойчивости в кристалле TlGaTe[2]. The effect of switching, field and temperature dependences of dielectric permittivity and conductivity of TlGaTe[2] crystals subjected to various doses of ? -radiation are investigated. At rather low electric fields, in crystals the phenomenon of S-shaped switching effect with negative differential resistance is observed. In the region of critical voltage oscillations of current and voltage are observed and also the modulation imposed on them occurs. Mechanisms of switching, ionic conductivity, disorder and electric instability in TlGaTe[2] crystal are discussed. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/05/p696-701.pdf Доп.точки доступа: Сардарлы, Р. М.; Самедов, О. А.; Абдуллаев, А. П.; Гусейнов, Э. К.; Салманов, Ф. Т.; Алиева, Н. А.; Агаева, Р. Ш. |
543.62 Щ 612 Щербаков, В. В. Предельная эквивалентная электропроводность растворов неорганических солей и диэлектрические свойства / В. В. Щербаков, авт. Ю. М. Артемкина // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58, № 8. - С. 1086-1089 : рис. - Библиогр.: с. 1089 (14 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Анализ органических веществ Электрохимия Кл.слова (ненормированные): водные растворы -- правило Вальдена -- Вальдена правило -- диэлектрическая релаксация -- растворители -- проницаемость Аннотация: Установлена связь между предельной эквивалентной электропроводностью растворов неорганических солей, вязкостью, температурой и диэлектрическими свойствами растворителя. Получены выражения, которые могут быть использованы для оценки предельной эквивалентной электропроводности растворов неорганических солей на основе значений диэлектрических свойств растворителя. Доп.точки доступа: Артемкина, Ю. М. |
543.62 С 255 СВЧ диэлектрическая проницаемость и релаксация водных растворов триметилацетата калия / А. К. Лященко [и др.]. // Журнал неорганической химии. - 2013. - Т. 58, № 10. - С. 1398-1402 : рис. - Библиогр.: с. 1402 (19 назв.)
Рубрики: Химия Анализ неорганических веществ Электрохимия Растворы Кл.слова (ненормированные): пивалатные полимеры -- диэлектрическая релаксация -- диэлектрические свойства -- водородные связи -- карбоксилаты Аннотация: Представлены результаты измерения СВЧ диэлектрических свойств водных растворов триметилацетата (пивалата) калия на шести частотах (10–25 ГГц) при температурах 288, 298, 308 К. Рассчитаны статические диэлектрические константы, времена и активационные параметры процесса диэлектрической релаксации. Доп.точки доступа: Лященко, А. К.; Балакаева, И. В.; Логинова, Д. В.; Лилеев, А. С.; Институт общей и неорганической химии им Н. С. Курнакова РАН, Москва; Институт общей и неорганической химии им Н. С. Курнакова РАН, Москва; Институт общей и неорганической химии им Н. С. Курнакова РАН, Москва; Институт общей и неорганической химии им Н. С. Курнакова РАН, Москва |
537 Б 189 Байда, А. А. Частотно-диэлектрическая спектроскопия одноатомных спиртов / А. А. Байда, А. В. Рудакова, С. Г. Агаев // Журнал физической химии. - 2013. - Т. 87, № 4. - С. 659-663. - Библиогр.: c. 663 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): дипольно-релаксационная поляризация -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрическая релаксация -- диэлектрические потери -- спирт Аннотация: В диапазоне частот f от 0. 025 кГц до 1000 кГц изучены зависимости диэлектрической проницаемости эпсилон (f) и диэлектрических потерь tgдельта (f) для одноатомных спиртов. Установлена диэлектрическая релаксация в исследуемом диапазоне частот. Получены эмпирические корреляционные уравнения, описывающие взаимосвязь между диэлектрическими характеристиками и физико-химическими свойствами одноатомных спиртов. Доп.точки доступа: Рудакова, А. В.; Агаев, С. Г. |
544.33 Р 609 Родникова, М. Н. О подвижности молекул жидких диолов в интервале температур 303 - 318 К / М. Н. Родникова, З. Ш. Идиятуллин, И. А. Солонина // Журнал физической химии. - 2014. - Т. 88, № 7/8. - С. 1270-1272. - Библиогр.: c. 1272 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4537
Рубрики: Химия Термохимия Кл.слова (ненормированные): активация самодиффузии -- водородные связи -- диолы -- диэлектрическая релаксация -- растворители Аннотация: Методом спин-эха на протонах измерены коэффициенты самодиффузии диолов: этиленгликоля, 1, 2- и 1, 3-пропандиолов и 1, 4-бутандиола в интервале температур 303 - 318 К и рассчитаны энергии активации самодиффузии, которые сравнены с энергиями активации вязкого течения и времен диэлектрической релаксации в этих системах. Сделан вывод о скоррелированности вращательного и поступательного движений в жидких диолах, что объяснено наличием пространственной сетки водородных связей в этих растворителях. Доп.точки доступа: Идиятуллин, З. Ш.; Солонина, И. А.; Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (Москва); Казанский национальный исследовательский технологический университетИнститут общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова (Москва) |