621.3 К 630 Комарь, В. К. Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия-цинка [Текст] / В. К. Комарь, В. М. Пузиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 711-717 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы Cd[1-x]Zn[x]Te -- теллурид кадмия-цинка -- диэлектрическая проницаемость кристаллов -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фотодиэлектрический эффект -- смещающее электрическое поле -- электрическое поле -- спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта Аннотация: Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x=0. 12-0. 16), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения. Доп.точки доступа: Пузиков, В. М.; Чугай, О. Н.; Наливайко, Д. П.; Сулима, С. В.; Абашин, С. Л. |
543 М 190 Маликов, В. Я. Устройство для определения примесей в кристаллах по изменению диэлектрической проницаемости [Текст] / В. Я. Маликов, П. Е. Стадник [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2007. - Т. 73, N 11. - С. 40-41. - Библиогр.: с. 41 (5 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Аналитическая химия Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость кристаллов -- кристаллы -- определение примесей -- примеси в кристаллах -- проницаемость -- сцинтилляционные кристаллы -- устройство для определения примесей Аннотация: Представлено устройство для определения примесей в кристаллах по изменению диэлектрической проницаемости. Доп.точки доступа: Стадник, П. Е.; Галунов, Н. З.; Лисецкий, Л. Н.; Мнацаканова, Т. Р. |
Спектры характеристических потерь электронов и электронная структура хлорида таллия [Текст] / В. В. Соболев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 6. - С. 8-11 . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Электростатика Физика Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость кристаллов -- потери электронов -- спектры характеристических потерь электронов -- хлорид таллия Аннотация: Теоретически определены зоны, плотности состояний N (E) и диэлектрическая проницаемость кристалла TlCl. На основе экспериментального спектра характеристических потерь электронов рассчитаны спектры полного комплекса оптических функций, в том числе диэлектрической проницаемости и объемных потерь электронов которые разложены на компоненты. Полученные данные сопоставлены с известными результатами теории. Работа выполнена при поддержке центра фундаментальных исследований (СПб. государственный университет). Доп.точки доступа: Соболев, В. В.; Калугин, А. И.; Костенков, В. Н. |
539.2 Е 702 Еремин, И. Е. Моделирование диэлектрического спектра галита в области инфракрасных частот / И. Е. Еремин // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 2. - С. 45-50 : рис. - Библиогр.: c. 50 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость кристаллов -- ионные кристаллы -- кибернетическая модель -- кристаллы галита -- перекрестная обратная связь -- упругая ионная поляризация -- уравнения поляризационных процессов Аннотация: Рассмотрена практическая эффективность имитационного моделирования вещественной частотной характеристики комплексной диэлектрической проницаемости кристалла галита NaCl, имеющей место в диапазоне частот установления процессов упругой ионной поляризации. При проведении вычислительных экспериментов были использованы кибернетическое уравнение диэлектрической проницаемости, а также классическая, корпускулярная и оригинально модифицированная модели рассматриваемых физических явлений. |