539.2 А 724 Антонова, И. В. Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках / И. В. Антонова // Успехи физических наук. - 2013. - Т. 183, № 10. - С. 1115-1122 : 6 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 1122 (44 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): выращивание графена -- графен -- кремниевые пластины -- медные подложки -- монокристаллические домены -- осаждение паров Аннотация: Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса пленки графена на диэлектрическую подложку. Доп.точки доступа: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (Новосибирск (Россия) |