Спиновый транзистор на основе наноструктур фторида кадмия [Текст] / Н. Т. Баграев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 85-94 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сэндвич-структуры -- спиновой транзистор -- дырочные подзоны -- квантовые ямы -- двумерные дырки -- бор -- взаимодействие Бычкова-Рашбы -- Бычкова-Рашбы взаимодействие Аннотация: Планарные сэндвич-структуры CdB[x]F[2-x]-p-CdF[2]-CdBxF[2-x] на поверхности кристалла n-CdF[2] исследуются с целью регистрации эффекта спинового транзистора при комнатной температуре. ВАХ сверхмелких p+-n-переходов демонстрируют запрещенную зону CdF[2], 7. 8 эВ, и спектр двумерных дырочных подзон в квантовой яме p-CdF[2]. Полученные результаты указывают на важную роль двумерных дырочных подзон в формировании "эффекта близости", который возникает вследствие андреевского отражения в сэндвич-структурах - узких квантовых ямах, ограниченных сверхпроводящими барьерами. Резонансное поведение продольной эдс в слабом магнитном поле, перпендикулярном плоскости квантовой ямы p-CdF[2], свидетельствует о высокой степени спиновой поляризации двумерных дырок. Высокая степень спиновой поляризации двумерных дырок в краевых каналах по периметру квантовой ямы p-CdF[2] идентифицирует механизм ВАХ спинового транзистора, обнаруженных в зависимости от напряжения затвора, управляющего величиной спин-орбитального взаимодействия Бычкова-Рашбы. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Гимбицкая, О. Н.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Шелых, И. А.; Рыскин, А. И.; Щеулин, А. С. |