22.37 М 691     Михайловская, Е. В.     Неоднородные металлодиэлектрические пленки SiO[x]Fe как материал для инфракрасных тепловых приемников излучения [Текст] / Е. В. Михайловская, И. З. Индутный, П. Е. Шепелявый // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.132 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642ББК 22.37 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуумное испарение -- металлодиэлектрические пленки -- микроболометры -- спектры Аннотация: Описана вакуумная технология получения композитных металлодиэлектрических пленок SiO[x] с изменяющейся по толщине концентрацией металла в диэлектрической матрице SiO[x]. Приведены результаты иследования отражения и пропускания таких пленок в ИК области спектра 2-12 mum и моделирования их оптических характеристик. В диапазоне температур 283-390 K исследованы термочувствительные свойства пленок SiO[x] с соотношением объемов фаз Fe (23%) и SiO (77%). Определено значение температурного коэффициента сопротивления (ТКС) для пленок такого состава. Показана возможность использования исследованных пленок в качестве чувствительного слоя микроболометра Доп.точки доступа: Индутный, И.З.; Шепелявый, П.Е.

Изучение процесса взаимодействия наноразмерных систем медь - оксид меди (I) с аммиаком [Текст] / Э. П. Суровой [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 1. - С. 60-63 : 4 рис. - Библиогр.: с. 63 (11 назв. ) . - ISSN 0579-2991 УДК ^a546 ББК 24.1 Рубрики: Химия    Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): наноразмерные системы -- медь -- оксиды меди -- аммиак -- нитриды меди -- вакуумное испарение Аннотация: Представлены результаты исследований, направленных на выяснение природы и закономерностей процессов, протекающих в наноразмерных слоях меди различной толщины при воздействии аммиака. Доп.точки доступа: Суровой, Э. П.; Говорина, С. П.; Борисова, Н. В.; Бугерко, Л. Н.

539.21:535 Т 352         Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO[2] / А. В. Ершов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 460-465 : ил. - Библиогр.: с. 464 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222 УДК 539.21:535 ББК 22.374 Рубрики: Физика    Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): вакуумное испарение -- многослойные нанопериодические структуры -- МНС -- отжиг -- температура отжига -- структурные свойства -- оптические свойства -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- нанокристаллы кремния -- НК -- кремний -- фотолюминесценция -- ФЛ -- инфракрасное поглощение -- ИК поглощение -- структурно-фазовые состояния -- комбинационное рассеяние света -- КРС Аннотация: Методом поочередного осаждения вакуумным испарением SiO и SiO[2] из раздельных источников были получены аморфные многослойные нанопериодические структуры (МНС) a-SiO[x]/SiO[2] с периодами 5-10 нм и числом слоев до 64. Исследовано влияние отжига при температурах T[a]=500-1100 °C на структурные и оптические свойства МНС. Результаты использования просвечивающей электронной микроскопии образцов, отожженных при 1100 °C, указали на формирование квазипериодических вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов кремния с размерами, соизмеримыми с толщиной слоев a-SiO[x] исходных МНС. После отжига при 1100 °C наноструктуры обладали размернозависимой фотолюминесценцией в области 750-830 нм, связанной с нанокристаллами Si. Результаты по инфракрасному поглощению и комбинационному рассеянию света показали, что термическая эволюция структурно-фазовых состояний в слоях SiO[x] МНС с увеличением температуры отжига осуществляется через образование аморфных нановключений Si с последующим формированием и ростом нанокристаллов Si. Using in turn deposition of layers by vac evaporationof SiO and SiO[2] from separate sources, the amorphousmultilayered nanoperiodic structures (MNS) a-SiO[x] /SIO[2] wereproduced. The values of period were varied from 5 to 10 nm, and the number of layers approached 64. Effect of annealing atT = 500-1100 °С on structural and optical properties of MNS wasstudied. The result of transmission electron microscopic study ofsamples annealed at 1100 °C pointed formation of quasi-periodicvertically ordered array of silicon nanocrystals with sizes close todepths of a-SiOx layers in initial MNS. After annealing at 1100 °С, nanostructures showed size-dependent photoluminescence in therange 750-830 nm associated with nanocrystals. The IR absorptionand Raman spectra evidenced that evolution of structuralphaseof SiO[x] layers proceeds through the formation of amorphousnanoinclusions of Si with subsequent crystallization and growth ofSi nanocrystals. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p460-465.pdf Доп.точки доступа: Ершов, А. В.; Чугров, И. А.; Тетельбаум, Д. И.; Машин, А. И.; Павлов, Д. А.; Нежданов, А. В.; Бобров, А. И.; Грачев, Д. А.

536.42 Ф 166         Фазовый переход пар-кристалл при синтезе пленок парацетамола методом вакуумного испарения и конденсации / А. П. Беляев [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 3. - С. 141-143. - Библиогр.: c. 143 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642 УДК 536.42 ББК 22.375 Рубрики: Физика    Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- фазовый переход пар-кристалл -- синтез пленок -- парацетамол -- вакуумное испарение -- конденсация -- гелеобразные фазы -- суперпозиция фазовых переходов -- фазовые переходы первого рода -- фазовые переходы второго рода Аннотация: Сообщено о структурных и технологических исследованиях фазового перехода пар-кристалл при синтезе пленок парацетамола моноклинной сингонии методом вакуумного испарения и конденсации в диапазоне температур 220-320 K. Выявлен сложный характер превращения, сопровождающийся образованием гелеобразной фазы. Результаты интерпретируются в рамках модели, согласно которой фазовый переход пар-кристалл не является простым фазовым переходом первого рода, а является нелинейной суперпозицией двух фазовых переходов: перехода первого рода с изменением плотности и переходом второго рода с изменением упорядоченности. Приведены микрофотографии поверхности пленок на разных стадиях формирования. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/03/p141-143.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Бордей, Н. С.; Зарембо, В. И.; Санкт-Петербургская государственная химико-фармацевтическая академия; Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет); Санкт-Петербургская государственная химико-фармацевтическая академия; Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)