Емельяненко, А. В. Влияние электрического поля на фрустрацию между сегнетоэлектричеством и антисегнетоэлектричеством в смектиках [Текст] / А. В. Емельяненко // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2009. - N 1. - С. 64-66. - Библиогр.: с. 66 (6 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Электростатика Молекулярная физика в целом Кл.слова (ненормированные): антисегнетоэлектрик -- сегнетоэлектрик -- смектик -- фрустрация Аннотация: Молекулярно-статистическая теория, описывающая смектические фазы с фрустрацией между сегнетоэлектрической и антисегнетоэлектрической, обобщена на случай присутствия внешнего электрического поля. Показано, что существует два порога по электрическому полю, первый из которых соответствует раскрутке спирали, а второй - разрушению элементарной ячейки фазы с фрустрацией. Проведено сравнение полученных результатов с экспериментальными. |
539.2 Ф 166 Фазовые переходы сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик, обусловленные давлением, в твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца [Текст] / Н. А. Спиридонов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 876-877. - Библиогр.: с. 877 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик -- твердые растворы -- цирконат-титанат свинца -- гидростатическое давление Аннотация: Проведены исследования фазовых переходов сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик, обусловленных гидростатическим давлением, в твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца при введении в B-узел 20 at. % олова и композитов на основе указанных керамик. В композитах давление перехода для одного состава твердого раствора может варьироваться в широких пределах в зависимости от типа связующего. Последнее обусловлено стеклованием связующего, образованием вследствие этого жесткого каркаса, препятствующего передаче давления на керамическую основу. Доп.точки доступа: Спиридонов, Н. А.; Ищук, В. М.; Кисель, Н. Г.; Спиридонов, В. Н. |
539.2 И 988 Ищук, В. М. Влияние ангармонизма кристаллического потенциала на фазовые переходы сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик [Текст] / В. М. Ищук, авт. Н. А. Спиридонов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 874-875. - Библиогр.: с. 875 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ангармонизм кристаллического потенциала -- ангармонизм -- фазовые переходы сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик -- твердые растворы -- цирконат-титанат свинца Аннотация: Рассмотрены фазовые переходы сегнетоэлектрик-антисегнетоэлектрик с учетом ангармонизма кристаллического потенциала в твердых растворах на основе цирконата-титаната свинца. На фазовой диаграмме цирконата-титаната свинца граница, разделяющая области сегнетоэлектрического и антисегнетоэлектрического состояний, сдвигается в стороны больших концентраций титана. Приведены расчетные и экспериментальные фазовые диаграммы для таких случаев. Доп.точки доступа: Спиридонов, Н. А. |
539.2 И 889 Исследование фазовых диаграмм фторкислородной системы сегнетоэластик-антисегнетоэлектрик (NH[4])[2]WO[2]F[4]-(NH[4])[2]MoO[2]F[4] / Е. В. Богданов [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 366-374 : 10 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): антисегнетоэлектрики -- кристаллография в целом -- оксифториды -- сегнетоэластики -- фазовые диаграммы -- фторкислородная система Аннотация: На основе данных о структурных, энтропийных, барических и диэлектрических параметрах обсуждаются особенности природы и механизма фазовых переходов. Доп.точки доступа: Богданов, Е. В.; Погорельцев, Е. И.; Мельникова, С. В.; Горев, М. В.; Флеров, И. Н.; Молокеев, М. С.; Карташев, А. В.; Кочарова, А. Г.; Лапташ, Н. М.; Красноярский государственный аграрный университет; Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск); Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Сибирский федеральный университет (Красноярск); Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск); Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск); Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН (Красноярск); Институт химии ДВО РАН (Владивосток) |
538.9 D 70 Dolganov, P. V. Step-by-step first order antiferroelectric-paraelectric transition induced by frustration and electric field / P. V. Dolganov, E. I. Kats, V. K. Dolganov // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 4. - С. 218-222
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): переход антисегнетоэлектрик-параэлектрик -- антисегнетоэлектрики -- параэлектрики -- магнитное упорядочение -- электрическое упорядочение Доп.точки доступа: Kats, E. I.; Dolganov, V. K.; Institute of Solid State Physics of the RAS; Landau Institute for Theoretical Physics RASInstitute of Solid State Physics of the RAS |