537.311.33 В 586 Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs / В. М. Калыгина [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 9. - С. 11-16 : рис. - Библиогр.: c. 16 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков Физика Квантовая электроника Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): анодные пленки оксида галлия -- анодный окисел -- вакансии галлия -- влияние кислородной плазмы -- кислородная плазма -- отжиг -- полупроводники -- распределение электронов Аннотация: Исследовано влияние анодного окисла на концентрацию электронов вблизи границы раздела Ga_2O_3-n-GaAs. Получены кривые распределения электронов по координате в зависимости от напряжения анодирования, времени обработки оксидных пленок в кислородной плазме, температуры и длительности отжига. Снижение концентрации электронов в полупроводнике после нанесения анодного окисла объясняется появлением вакансий Ga, которые являются акцепторами в арсениде галлия. Доп.точки доступа: Калыгина, В. М.; Вишникина, В. В.; Зарубин, А. Н.; Петрова, Ю. С.; Скакунов, М. С.; Толбанов, О. П.; Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М. |