539.2 А 465 Александров, С. Е. Сегнетоэлектрики-релаксоры как материалы для ИК фотоприемников [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 76 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ИК фотоприемники -- пироэлектрический эффект -- сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрики-релаксоры Аннотация: На основе экспериментальных исследований диэлектрических и пироэлектрических свойств типичного сегнетоэлектрика-релаксара 0. 9PbMg[1/3[Nb[2/3]O[3]-0. 1PbTiO[3] (PMN-PT) определены значения пирокоэффициента и факторы качества материала при использовании его для детектирования ИК излучения. Приведены их зависимости от температуры и внешнего электрического поля. Рассчитаны значения токовой, вольтовой чувствительности и детектирующей способности ИК фотоприемников на основе исследованных материалов, проведено их сравнение с аналогичными характеристиками пироприемников и диэлектрических болометров, использующих в качестве активного элемента известные пироэлектрические материалы, а также других неохлаждаемых фотоприемников. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-72.html.ru Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Смирнова, Е. П.; Сотникова, Г. Ю.; Сотников, А. В. |
621.315.592 И 889 Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника [Текст] / А. В. Сорочкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 551-557 : ил. - Библиогр.: с. 556 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические характеристики -- диоды -- тестовые фотодиоды -- фотодиоды -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- экспериментальные результаты -- теоретические расчеты -- фототок -- мезаструктуры -- макетные фоточувствительные пиксели -- фоточувствительные пиксели -- фотоприемники -- инфракрасные фотоприемники -- ИК фотоприемники -- матричные фотоприемники Аннотация: Изготовлены тестовые фотодиоды, сформированные в виде разноплощадных мезаструктур размером от 30x 30 до 100x 100 мкм на основе структуры Cd[x]Hg[1-x]Te/Si при x=0. 235, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Измерены вольт-амперные характеристики диодов в темновом режиме и при засветке фоном. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретическими расчетами. Установлено, что зависимость фототока и темнового тока фотодиода от размера мезаструктуры проявляется в диапазоне размеров мез от 30x30 до 80x 80 мкм. При увеличении размера происходит уменьшение темнового тока и увеличение фототока. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение вольт-амперных характеристик. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p551-557.pdf Доп.точки доступа: Сорочкин, А. В.; Варавин, В. С.; Предеин, А. В.; Сабинина, И. В.; Якушев, М. В. |