Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 390-396 : ил. - Библиогр.: с. 396 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- флип-чип светодиоды -- InGaN/GaN -- AlGaInN-гетеросветодиоды -- инфракрасная тепловизионная микроскопия -- ИК тепловизионная микроскопия -- метод инфракрасной тепловизионной микроскопии -- тепловые процессы -- p-n-переходы -- температура -- распределение температуры -- мощные светодиоды -- температурные градиенты -- неоднородность -- излучающие кристаллы -- плотность тока -- растекание тока -- распределение тока -- саморазогрев -- численное моделирование Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования температурных полей, возникающих в мощных AlGaInN-гетеросветодиодах в результате саморазогрева при больших рабочих токах. Использованный метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволил провести непосредственное измерение распределения температуры по площади p-n-перехода с высоким пространственным разрешением ~3 мкм при абсолютной погрешности измерений ~2 K. Показано, что в мощных светодиодах при высоких уровнях возбуждения могут возникать значительные температурные градиенты, обусловленные неоднородностью в распределении плотности тока по площади активной области. Этот эффект необходимо учитывать как при конструировании излучающих кристаллов, так и при оценке допустимых режимов эксплуатации. Метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволяет также выявлять микродефекты, вызывающие каналы токовой утечки и снижающие надежность работы приборов. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Курышев, Г. Л.; Мизеров, М. Н.; Половинкин, В. Г.; Рожанский, И. В.; Черняков, А. Е. |