Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Сукач, Г. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
539.2
С 895

    Сукач, Г. А.
    Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте [Текст] / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642
УДК
539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- выращивание пленок -- нитрид галлия -- оже-спектроскопия -- тонкие пленки -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности - избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700`C) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы - гексагональной


Доп.точки доступа:
Кидалов, В.В.; Котляревский, М.Б.; Потапенко, Е.П.

Найти похожие
2.


    Сукач, Г. А.
    Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы [Текст] / Г. А. Сукач, П. С. Смертенко, П. Ф. Олексенко, S. Nakamura // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 79 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
светодиод -- СИД -- нитриды -- температура перегрева -- гетероструктуры
Аннотация: Впервые установлена зависимость температуры перегрева дельтаТ[p-n] активной областизеленых светодиодов на основе нитридов III группы от амплитуды прямого постоянного тока I. Показано, что в отличие от светодиодов, вольт-амперные характеристики которых хорошо описываются известными теориями выпрямления p-n-переходов, где дельтаТ[p-n]~I, в исследованных структурах зависимость дельтаТ[p-n](I) в области токов 2*10{-3}-3*10{-2}А носит квадратичный характер. При дальнейшем увеличении токов связь дельтаT[p-n] и I в зеленых светодиодахна основе нитридов III группы, как и в светоизлучающих диодах на основе известных инфракрасных и красных структур A{3}B{5}, становится линейной


Доп.точки доступа:
Смертенко, П.С.; Олексенко, П.Ф.; Nakamura, S.

Найти похожие
3.
539.2
С 958

    Сычикова, Я. А.
    Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP (111) [Текст] / Я. А. Сычикова, В. В. Кидалов, Г. А. Сукач // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 123-126 : ил. - Библиогр.: с. 126 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
539.2^V3
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пористые слои -- слои -- порообразование -- дислокация -- монокристаллы -- растровая электронная микроскопия -- электрическое травление -- наноструктуры -- пористые поверхности
Аннотация: При помощи растровой электронной микроскопии показано влияние дислокаций на механизм порообразования при электролитическом травлении монокристаллического InP. При изучении наноструктуры пористых слоев установлены особенности механизмов порообразования в образцах n-InP. Показано, что они обусловлены выходом дислокаций на поверхность (111) и ростом пор как вдоль поверхности, так и перпендикулярно ей. Произведен расчет плотности дислокаций в местах повышенной концентрации примеси.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p123-126.pdf

Доп.точки доступа:
Кидалов, В. В.; Сукач, Г. А.

Найти похожие
4.
621.315.592
С 895

    Сукач, Г. А.
    Перемещение границы p-n-перехода в GaAs:Si при гиратронном облучении [Текст] / Г. А. Сукач, авт. В. В. Кидалов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1633-1636 : ил. - Библиогр.: с. 1635-1636 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592^V3
539.2^V3
ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гиратронное облучение -- ГО -- границы раздела -- активная область -- АО -- арсенид галлия -- GaAs -- p-n переходы -- компенсированная область -- КО
Аннотация: Показано, что с помощью гиратронного облучения возможно управление положением p-n-перехода в уже изготовленной светоизлучающей структуре. Сдвиг компенсированной области излучающей структуры на основе GaAs: Si, обусловлен движением примесей в поле термоупругих напряжений, появляющихся в процессе остывания образцов после гиратронного облучения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1633-1636.pdf

Доп.точки доступа:
Кидалов, В. В.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)