Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Сопинский, Н. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Сопинский, Н. В.
Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракциооных решеток [Текст] / Н. В. Сопинский, П. Ф. Романенко, И. З. Индутный // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 76 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дифракционные решетки -- голограммные дифракционные решетки -- профилированные дифракционные решетки -- дифракционная эффективность -- серебро -- триселенид мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники
Аннотация: Приводятся результаты исследований процесса формирования профилированных голограмммных дифракционных решеток с использованием эффекта взаимодействия пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников и серебра. С помощью атомно-силового микроскопа определена форма профиля штрихов получаемых таким образов профилированных решеток. Проведено измерение спектральных и угловых зависимостей их дифракционной эффективности, проанализирована связь этих зависимостей с формой рельефа поверхности решетки

Доп.точки доступа:
Романенко, П.Ф.; Индутный, И.З.

Найти похожие

621.315.592
З-408

Заяц, Н. С.
Оптические исследования пленок AIN/n-Si (100), полученных методом высокочастотного магнетронного распыления [Текст] / Н. С. Заяц, В. Г. Бойко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 195-198 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
высокочастотное магнетронное распыление -- пленки (физика) -- AIN/n-Si (100) -- алюминиевая мишень -- гетероэпитаксия
Аннотация: Проведены морфологические и оптические (спектры отражения в диапазоне 200-750 нм, спектры пропускания в диапазоне 2-25 мкм, эллипсометрия) исследования пленок AlN толщиной 2-3 мкм, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления алюминиевой мишени в газовой смеси Ar и N[2] (1 : 3) с осаждением на подложки из монокристаллического кремния n-Si (100) с удельным сопротивлением 20-60 Ом х см. Показано, что пленки являются плотными, прозрачными, аморфными с кристаллическими зернами и могут эффективно использоваться в тонкопленочной технологии для изготовления современных микро- и оптоэлектронных приборов.

Доп.точки доступа:
Бойко, В. Г.; Генцарь, П. А.; Литвин, О. С.; Папуша, В. П.; Сопинский, Н. В.

Найти похожие

Получение углеродных пленок методом близкого переноса [Текст] / В. С. Хомченко [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 84-89. - Библиогр.: c. 89 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
углеродные пленки -- сублимация -- рост пленок -- аморфный углерод -- сублимация с близкого расстояния -- close space sublimation
Аннотация: Впервые пленки углерода получены простейшим, экологически чистым, модифицированным методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Пленки углерода были нанесены на кварцевые, стеклянные, ситалловые и кремниевые подложки. Детально исследованы основные свойства пленок, такие как скорость роста, морфология и структура пленок, оптические свойства, зависимость этих характеристик от температуры осаждения и материала подложки. Для исследования были использованы различные методы - рентгенодифракционный, микроскопии атомных сил, многоугловой эллипсометрии, измерения спектров пропускания и отражения в видимой и ближней УФ-областях. Скорость роста составляла 5 nm/min при температуре зарождения пленки 800{o}C. Толщина пленок варьировалась от 0. 2 до 2. 2 mum. Минимальная шероховатость поверхности образцов - 0. 5 nm. Показатель преломления пленок варьируется от 1. 3 до 1. 8 в зависимости от условий получения и последующей термообработки. Оптическая ширина запрещенной зоны составляет 5. 4 eV.

Доп.точки доступа:
Хомченко, В. С.; Сопинский, Н. В.; Савин, А. К.; Литвин, О. С.; Заяц, Н. С.; Хачатрян, В. Б.; Корчевой, А. А.

Найти похожие

536.42
С 253

Свойства низкорефрактивных пленок, полученных по методу близкого переноса при сублимации графита в квазизамкнутом объеме [Текст] / Н. В. Сопинский [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 11. - С. 125-129. - Библиогр.: c. 129 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
низкорефрактивные пленки -- графит -- близкий перенос -- сублимация графита -- углеродные пленки -- эллипсометрия -- атомно-силовая микроскопия -- многоугловая эллипсометрия -- пленки углерода -- морфология поверхности -- осаждение пленок -- электронная полевая эмиссия -- кремниевые острия -- нанопористые пленки
Аннотация: Представлены результаты исследований свойств низкорефрактивных углеродных пленок, нанесенных технологией близкого переноса при сублимации графита в закрытом объеме. При помощи метода монохроматической многоугловой эллипсометрии исследованы оптические свойства пленок, а по методу атомно-силовой микроскопии - морфология их поверхности. Установлено, что пленки имеют столбчатую структуру с базовой шероховатостью поверхности ~1 nm, кроме того, на поверхности пленки присутствуют отдельные островки сечением основы ~200 nm и высотой до 50 nm. Показано, что осаждение низкорефрактивной углеродной пленки по методу близкого переноса на поверхность кремниевых острий приводит к снижению порога электронной полевой эмиссии и резкому росту величины тока.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/11/p125-129.pdf

Доп.точки доступа:
Сопинский, Н. В.; Хомченко, В. С.; Литвин, О. С.; Савин, А. К.; Семененко, Н. А.; Евтух, А. А.; Соболевский, В. П.; Ольховик, Г. П.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние легирования фторидом эрбия на фотолюминесценцию пленок SiO[x] [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 338-343 : ил. - Библиогр.: с. 343 (34 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- пленки -- термическое испарение -- термоиспарение -- легированные пленки -- фторид эрбия -- вакуум -- отжиг пленок -- нанокластеры -- пластины -- поверхность пластин -- ионы -- дефекты -- высокотемпературный отжиг -- длина волны -- люминесцентные излучатели
Аннотация: Исследована фотолюминесценция пленок SiO[x], нанесенных на пластины c-Si термическим испарением SiO в вакууме и легированных впервые ErF[3] путем соиспарения. Показано, что неотожженные пленки SiO[x]: ErF[3], как и нелегированные пленки, пассивируют поверхность пластин Si, увеличивая в ~5 раз интенсивность их краевой фотолюминесценции. Такое же увеличение имеет место и после отжига легированных пленок на воздухе при 750 °C. Легирование ErF[3] приводит к ослаблению фотолюминесценции нанокластеров Si, если проводился высокотемпературный (750 °C) отжиг пленок. При этом уменьшается также интенсивность полосы фотолюминесценции с максимумом при ~ 890 нм. Эта полоса выявлена впервые и интерпретирована в силу ее особенностей как результат переходов в дефектах матрицы SiO[x]. Дается объяснение выше приведенного влияния легирования ErF[3] на фотолюминесценцию пленок SiOx. Интенсивная фотолюминесценция ионов Er{3+} в ближней инфракрасной области спектра (переходы {4}I[11/2]->{4}I[15/2] и {4}I[13/2]->{4}I[15/2]) наблюдается в пленках SiO[x]: ErF[3], отожженных на воздухе при 750 °C. Это показывает, что пользующиеся большим спросом люминесцентные излучатели с длиной волны 1. 54 мкм можно получать простым и дешевым способом.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p338-343.pdf

Доп.точки доступа:
Власенко, Н. А.; Сопинский, Н. В.; Гуле, Е. Г.; Стрельчук, В. В.; Олексенко, П. Ф.; Велигура, Л. И.; Николенко, А. С.; Мухльо, М. А.

Найти похожие

621.315.592
О-754

Особенности и природа полосы фотолюминесценции 890 нм, обнаруженной после низкотемпературного отжига пленок SiO[x] [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1470-1475 : ил. - Библиогр.: с. 1474-1475 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.37^V3

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- термическое испарение -- термоиспарение -- низкотемпературный отжиг -- отжиг -- температура отжига -- атмосфера отжига -- воздух -- вакуум -- длина волны -- рекомбинационные переходы -- зонные состояния -- нанокластеры -- примесные редкоземельные ионы -- ионы -- переходы -- люминесценция стекол
Аннотация: В спектре фотолюминесценции пленок SiO[x] (x~ 1. 3), нанесенных термическим испарением SiO и отожженных на воздухе при 650-1150°C, обнаружена полоса с максимумом при 890 нм. Эта полоса появляется после низкотемпературного (~650°C) отжига и имеет следующие особенности: 1) положение ее максимума не изменяется при повышении температуры отжига до 1150°C, а интенсивность при этом возрастает в ~100 раз; 2) влияние на ее интенсивность атмосферы отжига (воздух, вакуум), длины волны и плотности мощности возбуждающего света иное, чем для наблюдаемых известных полос в области 600-650 и 700-800 нм; 3) фотолюминесценция затухает вначале быстро, а затем значительно медленнее с соответствующим временем жизни ~9 и ~70 мкс. Выявленные особенности не согласуются с интерпретацией наблюдавшейся до сих пор фотолюминесценции пленок SiO[x], а именно: рекомбинационные переходы "зона-дефекты матрицы" и между хвостами зонных состояний, фотолюминесценция нанокластеров Si, внутриионные переходы в примесных редкоземельных ионах. Поэтому рассматривается возможность объяснения полосы 890 нм переходами в локальных центрах с двух- и (или) трех-координированными по кислороду ионами Si, т. е. так, как объясняют люминесценцию стекол и пленок SiO[2] с небольшим дефицитом кислорода.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1470-1475.pdf

Доп.точки доступа:
Власенко, Н. А.; Сопинский, Н. В.; Гуле, Е. Г.; Манойлов, Э. Г.; Олексенко, П. Ф.; Велигура, Л. И.; Мухльо, М. А.

Найти похожие

535.37
Э 455

Электронные состояния на поверхности кремния после напыления и отжига пленки SiO[x] [Текст] / Н. А. Власенко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 596-601 : ил. - Библиогр.: с. 601 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37^V3

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
электронные состояния -- поверхность кремния -- кремний -- отжиг пленки -- напыление -- Si -- фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- ФП -- поверхностные состояния -- ловушки -- электроны -- энергетические зоны -- интерфейсы -- равновесные состояния -- температура отжига -- отжиг -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фотодеполяризационная спекроскопия -- ФДПС -- диффузия -- границы раздела -- дефекты -- нанокластеры
Аннотация: С целью выяснения диаграммы энергетических зон на границе c-Si-SiO[x] и изменения электронных состояний после отжига пленки исследован спектр фотопроводимости, возникающей в поляризационном поле заряда на поверхностных состояниях и ловушках в объеме пленки. Установлено, что на интерфейсе Si-SiO[x] энергетические зоны искривлены, причем поверхность Si обогащена электронами. В равновесном состоянии максимум фототока при 1. 1 эВ обусловлен зона-зонными переходами в кремниевой части интерфейса. Отжиг вызывает смещение максимума к большим энергиям, увеличивающееся при повышении температуры отжига от 650 до 1000{o}C. Это сопровождается уменьшением фототока при =
Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p596-601.pdf

Доп.точки доступа:
Власенко, Н. А.; Олексенко, П. Ф.; Денисова, З. Л.; Сопинский, Н. В.; Велигура, Л. И.; Гуле, Е. Г.; Литвин, О. С.; Мухльо, М. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)