Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Иванов, П. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 28
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-28

336
И 206

Иванов, П. А.
Платежи в электронной коммерции [Текст] / П. А. Иванов, Ю. А. Стрельченко // Деньги и кредит. - 2002. - N1 . - ISSN 0130-3090

УДК

336

Рубрики: Экономика--Финансы
Кл.слова (ненормированные):
банки -- интернет -- магнитные карты -- пластиковые карты -- электронная коммерция
Аннотация: Элекронная коммерция - одна из самых быстроразвивающихся отраслей мировой экономики, стремительно проникающая во все области человеческой деятельности.Сейчас эта индустрия находится в стадии интенсивного роста.

Доп.точки доступа:
Стрельченко, Ю.А.

Найти похожие

66
Д 64

Долгунин, В. Н.
Закономерности быстрого гравитационного течения зернистой среды [Текст] / В. Н. Долгунин, В. Я. Борщев, П. А. Иванов // Теоретические основы химической технологии. - 2005. - Т. 39, N 5. - С. 579-585. - Библиогр.: с. 585 (17 назв. ) . - ISSN 0040-3571

УДК

ББК 35
Рубрики: Химическая технология--Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
гравитационные течения; зернистые среды; гравитационные течения зернистых сред; плотные газы; двухмерные потоки; рентгенографический анализ; зернистые материалы; дилатансия; дилатансия зернистых сред; твердые среды

Доп.точки доступа:
Борщев, В. Я.; Иванов, П. А.; Проведен, устанавливающего взаимосвязь между ее дилатансией, скоростью сдвига и давлением на основе аналогии между зернистой средой при быстром сдвиге и плотном газе. Разработан метод бесконтактного определения распределения концентрации твердой фазы в двухмерном потоке зернистой среды с использованием рентгенографического анализа.

Найти похожие

94(47+57)"1917/1991"
К 728

Костяшов, Юрий Владимирович (докт. ист. наук).
Калининградская область в 1947-1948 гг. и планы ее развития [Текст] / Ю. В. Костяшов // Вопросы истории. - 2008. - N 4. - С. 105-113. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 0042-8779

УДК

94(47+57)"1917/1991"

ББК 63.3(2)6
Рубрики: История
История России и СССР (октябрь 1917 - 1991 г.)--Калининградская область, 1947-1948 гг.
Кл.слова (ненормированные):
военнослужащие -- голод -- коррупция -- немецкое население -- немцы -- партийные организации -- переселенцы -- промышленность -- экономика
Аннотация: Статья посвящена послевоенному развитию Калининградской области.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А. (второй секретарь обкома)

Найти похожие

66.02
Б 839

Борщев, В. Я.
Феноменологический анализ взаимодействия неэластичных несвязных частиц в быстром гравитационном потоке [Текст] / В. Я. Борщев, В. Н. Долгунин, П. А. Иванов // Теоретические основы химической технологии. - 2008. - Т. 42, N 3. - С. 343-347. - Библиогр.: с. 347 (9 назв. ) . - ISSN 0040-3571

УДК

66.02

ББК 35.11
Рубрики: Химическая технология
Основные процессы и аппараты химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
неэластичные несвязные частицы -- гравитационные потоки -- феноменологический анализ -- гидромеханические процессы
Аннотация: Проведен анализ взаимодействия неэластичных несвязных частиц сферической формы в быстром гравитационном потоке, позволяющий уточнить уравнение взаимосвязи между давлением, дилатансией и "температурой" зернистой среды.

Доп.точки доступа:
Долгунин, В. Н.; Иванов, П. А.

Найти похожие

621.3
Г 808

Грехов, И. В.
Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа [Текст] / И. В. Грехов, П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 561-564 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- 4H-SiC -- ударная ионизация акцепторов -- низкотемпературный примесный пробой -- примесный пробой
Аннотация: Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках 4H-SiC, легированных алюминием (концентрация 2 10\{15\} см\{-3\}), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля: альфа[p]=альфа*[p]exp (-F*/F). Максимальный коэффициент ионизации alpha*[p]=7. 1 10\{6\} см\{-3\} с\{-1\}, а пороговое поле F*=2. 9 10\{4\} В/см.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

621.3
И 201

Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики изотипных переходов SiC-SiC, изготовленных методом прямого твердофазного сращивания [Текст] / П. А. Иванов, Л. С. Костина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 941-944 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
изотипные переходы SiC-SiC -- SiC -- твердофазное сращивание -- монокристаллические пластины -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик изотипных структур SiC-SiC, изготовленных прямым твердофазным сращиванием монокристаллических пластин 6H-SiC n-типа проводимости с концентрацией доноров ~10[16] см[-3]. Первоначальное соединение пластин осуществлялось в деионизованной воде. Для усиления сцепления проводился термический отжиг структуры при температуре 1250/{o/}C. Все особенности измеренных вольт-амперных характеристик непротиворечиво объясняются в рамках гипотезы о том, что граница SiC-SiC представляет собой переменный по толщине канал, заполненный собственным окислом SiO[x] толщиной 10-100 нм. Минимальное измеренное дифференциальное сопротивление структуры (6 Ом см/{2/}) ограничивается протеканием тока в слое окисла по механизму токов, ограниченных пространственным зарядом.

Доп.точки доступа:
Костина, Л. С.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Белякова, Е. И.; Аргунова, Т. С.; Грехов, И. В.

Найти похожие

21.315.592
Г 808

Грехов, И. В.
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / И. В. Грехов, П. А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 211-214

УДК

21.315.592

ББК 31.223
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- бор -- охранный p-n-переход
Аннотация: Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

621.315.592
И 203

Иванов, П. А.
Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 878-881 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
импульсные характеристики -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- карбид кремния
Аннотация: Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики (на участке пробоя) для 4H-SiC-диодов Шоттки на 1 кВ с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора. Показано, что динамическое напряжение пробоя диодов увеличивается при уменьшении длительности импульсов. Благодаря однородному лавинообразованию на крае охранного p-n-перехода и большому дифференциальному сопротивлению на участке пробоя диоды выдерживают без деградации импульсное обратное напряжение, значительно превышающее порог статического пробоя. Особенности импульсного пробоя рассматриваются в связи со специфическими свойствами имплантированного бором планарного охранного p-n-перехода.

Доп.точки доступа:
Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

Комарова, Т. В.
Область внутренней посадки рибосом из РНК тобамовируса крестоцветных обеспечивает инициацию трансляции в клетках Escherichia coli [Текст] / Т. В. Комарова, М. В. Скулачев, П. А. Иванов // Доклады Академии наук. - 2003. - Т. 389, N 6. - С. 821-824 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a576.3

ББК 28.05
Рубрики: Биология
Общая цитология
Кл.слова (ненормированные):
рнк -- рибосомные рнк -- тобамовирусы -- прокариотические системы -- рибосомы
Аннотация: В настоящей работе проводился анализ трансляционной активности IRES в составе бицистронных мРНК в прокариотической системе in vivo.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Скулачев, М. В.

Найти похожие

10.

Иванов, П. А.
Развитие операционно-модульного стиля мышления будущего учителя информатики при изучении теории алгоритмов [Текст] / П. А. Иванов // Информатика и образование. - 2008. - N 9. - С. 92-96 . - ISSN 0234-0453

УДК

^a371

ББК 74р
Рубрики: Образование. Педагогика
Педагогическое образование
Кл.слова (ненормированные):
алгоритмы -- интеграции систем -- обучение информатике -- операционно-модульный стиль -- теория алгоритмов -- учителя информатики
Аннотация: В статье представлено подробное тематическое планирование курса "Теория алгоритмов" (лекционная и практическая части) для студентов педвузов - будущих учителей информатики, рассмотрены некоторые особенности преподавания этого курса.

Найти похожие

11.

Иванов, П. А.
Работа с семьями. Опыт клуба "Сфера" [Текст] / П. А. Иванов, Т. Д. Щербинина, А. А. Бирюков // Молодежь и общество. - 2008. - N 3. - С. 30-36

УДК

^a37.018.1

ББК 74.9
Рубрики: Образование. Педагогика
Семейное воспитание и образование
Кл.слова (ненормированные):
клубы -- семейное воспитание -- подростки -- дети -- семья и школа -- дополнительное образование -- общественные организации -- региональные общественные организации
Аннотация: Представлен опыт работы клуба "Сфера" в Москве, целью которого является поддержание института семьи и воспитание нравственности.

Доп.точки доступа:
Щербинина, Т. Д.; Бирюков, А. А.; Сфера, клуб; Сфера, общественная организация

Найти похожие

12.

Иванов, П. А.
Интерфейсные превращения в структуре a-SiC/a-Si/6H-SiC при высокотемпературном (1500 градусов C) отжиге [Текст] / П. А. Иванов, Т. П. Самсонова // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 14. - С. 12-15

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературный отжиг -- карбидные пленки -- углерод
Аннотация: Проводились исследования интерфейсных реакций, происходящих при термическом отжиге "сэндвич"-структуры a-SiC/a-Si/6H-SiC. Пленки аморфного кремния и аморфного карбида кремния последовательно наносились на кристаллическую подложку 6H-SiC ионным распылением в вакууме.

Доп.точки доступа:
Самсонова, Т. П.

Найти похожие

13.

Ундозерова, А. Н. (канд. пед. наук).
Разработка компилятора графического языка представления алгоритмов [Текст] / А. Н. Ундозерова, П. А. Иванов, С. А. Соснин // Информатика и образование. - 2009. - N 9. - С. 116-118 . - ISSN 0234-0453

УДК

^a004.43

ББК 32.973-018.1
Рубрики: Вычислительная техника
Языки программирования
Кл.слова (ненормированные):
алгоритмизация -- графические языки -- компиляторы -- программирование -- программы
Аннотация: Авторами статьи спроектирован компилятор разработанного графического языка, который представлен в расширенной форме Бэкуса-Наура. В статье представлена блок-схема алгоритма работы компилятора графического языка.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Соснин, С. А.

Найти похожие

14.

Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 197-200

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
неидеальные барьеры Шоттки -- Шоттки неидеальные барьеры -- Ti/4H-SiC -- вольт-амперные характеристики
Аннотация: Проанализированы прямые вольт-амперные характеристики неидеальных контактов Шоттки Ti/4H-SiC с коэффициентом неидеальности на экспоненциальном участке характеристик n=1. 1-1. 2. Неидеальность рассматривается как следствие образования тонкого диэлектрического слоя между напыленным титаном и 4H-SiC. По измеренным вольт-амперным характеристикам определены электрофизические параметры контактов - высота энергетического барьера, толщина промежуточного диэлектрического слоя, распределение плотности состояний по энергиям на границе раздела диэлектрик/полупроводник.

Доп.точки доступа:
Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

15.

Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 527-530

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы
Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С.

Найти похожие

16.

Экспериментальные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-Sic [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1249-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1252 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды Шоткки -- Шоттки диоды -- p-n переходы -- JBS-диоды -- 4H-Sic -- диффузия -- неравновесная диффузия -- бор -- статистические характеристики -- динамические характеристики
Аннотация: Изготовлены интегрированные диоды Шоттки- (p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC, в которых локальные р-n-переходы под контактом Шоттки сформированы с помощью неравновесной диффузии бора. Статические и динамические характеристики изготовленных JBS-диодов сравниваются с характеристиками аналогичных диодов Шоттки на 4H-SiC. Показано, что по сравнению с обычными диодами Шоттки токи утечки в JBS-диодах при одном и том же обратном напряжении уменьшаются в среднем в 200 раз. Заряд обратного восстановления для обоих типов диодов одинаков и равен заряду основных носителей, выносимых из базовой n-области при переключении.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Коньков, О. И.

Найти похожие

17.

Об "избыточных" точках утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 680-683 : ил. - Библиогр.: с. 683 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- ДШ -- высоковольтные диоды -- p-n-переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- 4H-SiC -- термоэлектронная эмиссия -- монополярная инжекция -- инжекция -- ток, ограниченный пространственным зарядом -- ТОПЗ -- полное заполнение ловушек -- ПЗЛ -- ловушки
Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде "плавающих" планарных p-n-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток "избыточен". Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Серебренникова, О. Ю.

Найти похожие

18.

Иванов, П. А.
Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 902-904 : ил. - Библиогр.: с. 904 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- бистабильный примесной пробой -- низкотемпературный примесной пробой -- акцепторные атомы алюминия -- носители заряда -- подложки -- диодные структуры
Аннотация: Измерены низкотемпературные (77 K) прямые вольт-амперные характеристики мезаэпитаксиальных диодных структур p{+}-p-n-n (подложка) на основе 4H-SiC. Измеренные вольт-амперные характеристики проявляют S-образный характер, который интерпретируется как бистабильный примесный пробой акцепторных атомов алюминия с вымороженными на примеси носителями заряда.

Доп.точки доступа:
Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П.

Найти похожие

19.

543
Б 121

Бабанин, В. Ф.
Магнетохимическая диагностика состояния железа в противоанемийных лекарственных препаратах и растениях [Текст] / В. Ф. Бабанин, П. А. Иванов, Н. В. Михалева // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2011. - Т. 54, вып. 9. - С. 43-48 : 1 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 47-48 (13 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

543

ББК 24.4
Рубрики: Химия
Аналитическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
железо -- противоанемийные лекарственные препараты -- мессбауэровская спектроскопия -- магнетохимия -- ферритины -- магнитные измерения
Аннотация: Работа посвящена железу как незаменимому биоэлементу.

Доп.точки доступа:
Иванов, П. А.; Михалева, Н. В.

Найти похожие

20.

621.375
О-754

Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC p-i-n-диодов под действием импульсов прямого тока [Текст] / М. Е. Левинштейн [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 8. - С. 7-12 : ил. - Библиогр.: с. 12 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
высоковольтные диоды -- карбидкремниевые диоды -- деградация диодов -- особенности деградации -- импульсы тока -- прямые токи -- импульсные режимы -- токовые импульсы -- диодные структуры -- комнатные температуры -- заряды -- уменьшение деградации
Аннотация: Деградация карбидкремниевых диодов под действием прямого тока впервые исследована в импульсном режиме. Показано, что при длине токовых импульсов, меньшей нескольких миллисекунд, деградация оказывается существенно меньшей, чем в режиме постоянного тока при одинаковом заряде, протекшем через диодную структуру. Впервые наблюдалось также частичное самовосстановление (уменьшение деградации со временем) при комнатной температуре.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/08/p7-12.pdf

Доп.точки доступа:
Левинштейн, М. Е.; Иванов, П. А.; Palmour, J. W.; Agarwal, A. K.; Das, М. К.

Найти похожие

1-10 11-20 21-28

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)