Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=электролюминесцентные конденсаторы<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
539.2
Д 332

    Денисов, Б. Н.
    Скорость полевой генерации в электролюминесцентных планарных порошковых структурах [Текст] / Б. Н. Денисов, авт. Е. М. Бибанина // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 74-77. - Библиогр.: c. 77 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесцентные конденсаторы -- электролюминесцентные структуры -- электролюминесценция -- электролюминофоры -- энергия вспышки
Аннотация: Исследована энергия вспышки электролюминофоров при возбуждении униполярными импульсами напряжения с линейным фронтом. На основе проведенных экспериментов получено выражение для скорости генерации свободных носителей в планарном электролюминесцентном конденсаторе с поляризационным механизмом свечения.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p74-77.pdf

Доп.точки доступа:
Бибанина, Е. М.

Найти похожие
2.


    Калыгина, В. М.
    Твердотельные преобразователи изображения на основе структур GaAs/ZnS [Текст] / В. М. Калыгина, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 975-979 : ил. - Библиогр.: с. 979 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
преобразователи -- твердотельные преобразователи изображения -- ТПИ -- конденсаторы -- электролюминесцентные конденсаторы -- ЭЛК -- структуры -- структуры GaAs/ZnS -- люминофоры -- рентгеновское излучение -- математическое моделирование -- ионизирующее излучение -- детекторы ионизирующих излучений -- GaAs/ZnS структуры
Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики и частотные зависимости яркости свечения электролюминесцентных конденсаторов на основе люминофора ZnS : Cu, Al. Изучено влияние рентгеновского излучения (17 кэВ) на высокоомные слои GaAs, полученные тремя способами. С помощью математического моделирования показана возможность создания детекторов ионизирующего излучения с оптическим считыванием информации при использовании структур GaAs/ZnS. Отмечено, что наиболее перспективным материалом для разработки твердотельных преобразователей изображения оказывается GaAs : Cr, полученный диффузией хрома из напыленного слоя.


Доп.точки доступа:
Тяжев, А. В.; Яскевич, Т. М.

Найти похожие
3.
539.21:535
Х 200

   
    Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe [Текст] / Р. Г. Валеев [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 6. - С. 153-155. - Библиогр.: c. 155 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
539.21:535
621.371.8
ББК 22.374 + 32.86-5
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел
   Радиоэлектроника
   Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
нанокомпозитные пленки -- селенид цинка -- электролюминесцентные источники излучения -- тонкие пленки -- электролюминесцентные устройства -- электролюминесцентные конденсаторы -- импеданс -- вольт-амперные характеристики -- электролюминесценция -- тонкопленочная электролюминесценция
Аннотация: Представлен подход к созданию электролюминесцентных устройств, в которых впервые применен рабочий слой из селенида цинка в нанокомпозитном (нанокристаллит в аморфной матрице) состоянии. В отличие от классических тонкопленочных электролюминесцентных источников, для получения излучения с заданной длиной волны в предлагаемых устройствах не требуется легирование рабочего слоя примесями. Для опытного образца устройства исследованы вольт-амперная характеристика и импеданс электролюминесцентного конденсатора. Представлен также спектр электролюминесценции, который имеет максимум при длине волны 335 nm.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/06/p153-155.pdf

Доп.точки доступа:
Валеев, Р. Г.; Бельтюков, А. Н.; Ветошкин, В. М.; Романов, Э. А.; Елисеев, А. А.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)