Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=туннельная спектроскопия<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Визуализация локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной СТМ/АСМ [Текст] / П. А. Бородин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 71-75

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- туннельная спектроскопия -- размерно-квантованные состояния -- токовые изображения -- локальная плотность состояний
Аннотация: Метод комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии (СТМ/АСМ) в сверхвысоком вакууме впервые применен для туннельной спектроскопии размерно-квантованных состояний в поверхностных квантовых точках (КТ) InAs/GaAs (001). Получены туннельные спектры и токовые изображения, отражающие, соответственно, энергетическое и пространственное распределение локальной плотности основного и возбужденных электронных состояний в КТ.

Доп.точки доступа:
Бородин, П. А.; Бухараев, А. А.; Филатов, Д. О.; Воронцов, Д. А.; Лапшина, М. А.

Найти похожие

Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник
Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при TT[c]. Кроме эффекта Джозефсона, прямая и обратная ВАХ впервые идентифицируют процессы многократного андреевского отражения двумерных дырок в СККЯ, которые отвечают за микроскопический механизм, ответственный за сверхпроводящий эффект близости. Исследование проводимости двумерных дырок в плоскости СККЯ свидетельствует о наличии когерентного туннелирования в условиях спинозависимого многократного андреевского отражения между ограничивающими ее сверхпроводящими delta-барьерами.

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С.

Найти похожие

621.315.592
Ф 796

Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик [Текст] / А. О. Голубок [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1079-1083 : ил. - Библиогр.: с. 1082-1083 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

681.2^V3

ББК 31.233 + 34.91
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Приборостроение
   Приборостроение в целом
Кл.слова (ненормированные):
нитевые нанокристаллы -- ННК -- нановискеры -- GaAs-нановискеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- фокусированный ионный пучок -- ФИП -- электронные свойства -- туннельная спектроскопия -- сверхвысокий вакуум -- СВВ -- вольт-амперные характеристики -- запрещенные зоны -- легирование структуры -- плотность электронных состояний -- ПЭС
Аннотация: Предложен метод формирования одиночных полупроводниковых GaAs-нановискеров и их ансамблей на вершине химически заточенного вольфрамового острия в установке молекулярно-пучковой эпитаксии. Для выделения одиночного нановискера использовалась техника сфокусированного ионного пучка. Электронные свойства одиночных нановискеров исследовались с помощью упругой туннельной спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума. Измеренные вольт-амперные характеристики позволили оценить ширину запрещенной зоны GaAs-вискеров и степень легирования структуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1079-1083.pdf

Доп.точки доступа:
Голубок, А. О.; Самсоненко, Ю. Б.; Мухин, И. С.; Буравлев, А. Д.; Цырлин, Г. Э.

Найти похожие

539.231
Э 717

Эпитаксильный рост тонких пленок молекул фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) [Текст] / А. И. Орешкин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 937-939 : Рис. - Библиогр.: c. 939 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

539.231

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
двойные ступеньки -- доменные границы -- низкоэнергетическая электронная микроскопия -- поверхности -- сканирующая туннельная микроскопия -- тонкие пленки -- туннельная спектроскопия -- фуллерены -- эпитаксильные пленки
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии, а также низкоэнергетической электронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследована морфология и атомная структура пленок фуллерена C[60] на поверхности Bi (0001) /Si (111) -7x7 при разных степенях покрытия.

Доп.точки доступа:
Орешкин, А. И.; Бахтизин, Р. З.; Sadowski, J. T.; Sakurai, T.

Найти похожие

538.9
О-754

Особенности туннельной проводимости пленок двумерно упорядоченного линейно-цепочечного углерода / В. В. Хвостов [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 4. - С. 231-234

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
углерод -- линейно-цепочечный углерод -- двумерно-упорядоченный углерод -- пленки углерода -- туннельная проводимость -- дифференциальная проводимость -- туннельная спектроскопия
Аннотация: Методом туннельной спектроскопии исследованы пленки двумерно-упорядоченного линейно-цепочечного углерода с разными толщинами (50 и 500 нм). Обнаружена осцилляционная зависимость дифференциальной проводимости исследуемых структур. Полученные результаты интерпретируются с использованием модели образования волн зарядовой плотности на регулярных изгибах структуры линейно-цепочечного углерода.

Доп.точки доступа:
Хвостов, В. В.; Иваненко, И. П.; Стрелецкий, О. А.; Новиков, Н. Д.; Якунин, В. Г.; Савченко, Н. Ф.; Физический факультет МГУ им. Ломоносова; Физический факультет МГУ им. Ломоносова; Физический факультет МГУ им. Ломоносова; Физический факультет МГУ им. Ломоносова; Физический факультет МГУ им. Ломоносова; Физический факультет МГУ им. Ломоносова

Найти похожие

537.533/.534
Т 845

Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра-Блоджетт / К. А. Свит [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1237-1242 : ил. - Библиогр.: с. 1241-1242 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.533/.534

621.315.592

ББК 22.338 + 31.233
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
сканирующая электронная спектроскопия -- методы сканирующей электронной спектроскопии -- туннельный электронный транспорт -- нанокристаллы -- сульфид кадмия -- CdS -- метод Ленгмюра - Блоджетт -- Ленгмюра - Блоджетт метод -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отжиг -- электроны -- ловушки -- вакуум -- туннельная спектроскопия -- фотолюминесценция -- квантово-механические расчеты -- поверхность нанокристаллов -- монослои -- пассивация поверхности -- энергия электронов
Аннотация: Методом сканирующей электронной спектроскопии исследован туннельный электронный транспорт через массивы нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра - Блоджетт. Исследовано влияние атмосферы отжига матрицы на туннельный транспорт через массивы нанокристаллов. По туннельным вольт-амперным характеристикам обнаружен захват электронов на ловушки в случае нанокристаллов, отожженных в вакууме. Туннельные вольт-амперные характеристики проанализированы с помощью модели, связывающей данные туннельной спектроскопии, фотолюминесценции и квантово-механический расчет. Анализ показал, что при отжиге в аммиаке происходит пассивация поверхности нанокристаллов его монослоем. Обнаружено, что подложка и окружающие непассивированные нанокристаллы влияют на поляризационную энергию электронов.
Tunneling transport through ensembles of CdS nanocrystals obtained by Langmuir - Blodgett method has been investigated using scanning tunneling spectroscopy technique. The influence of the matrix annealing atmosphere on tunneling transport through the nanocrystals arrays has been investigated. By analysis of tunneling current-voltage curves for the nanocrystals annealed in vacuum the manifestation of the electron capture by surface traps was observed. Tunneling current-voltage characteristics was analyzed using the model that links the quantum-mechanical calculation, tunneling and photoluminescence spectroscopy data. Analysis of simulation results showed that annealing in ammonia atmosphere led to surface passivation of nanocrystals by ammonia monolayer. It was found that the substrate and the surrounding non-passivated nanocrystals affect electron polarization energy.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1237-1242.pdf

Доп.точки доступа:
Свит, К. А.; Протасов, Д. Ю.; Свешникова, Л. Л.; Шестаков, А. К.; Тийс, С. А.; Журавлев, К. С.; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Новосибирский государственный университет

Найти похожие

538.9
M 94

Multigap superconductivity in doped p-type cuprates / Ya. G. Ponomarev [et al.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 100, вып. 2. - С. 134-140

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
сверхпроводимость -- купраты -- p-купраты -- легирование -- многощелевая сверхпроводимость -- андреевская спектроскопия -- туннельная спектроскопия

Доп.точки доступа:
Ponomarev, Ya. G.; Alyoshin, V. A.; Antipov, E. V.; Oskina, T. E.; Krapf, A.; Kulbachinskii, S. V.; Mikheev, M. G.; Sudakova, M. V.; Tchesnokov, S. N.; Fisher, L. M.; Lomonosov MSU; Lomonosov MSU; Lomonosov MSU; Lomonosov MSU; Humboldt-Universitat zu Berlin (Germany); Lomonosov MSU; Lenin Russian Electrotechnical Institute; Lomonosov MSU; Lomonosov MSU; Lomonosov MSULenin Russian Electrotechnical Institute

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)