Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=тонкопленочные электролюминесцентные излучатели<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

530.1
Г 952

Гурин, Н. Т.
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn при выключении [Текст] / Н. Т. Гурин, авт. О. Ю. Сабитов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 7. - С. 14-22

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- электроны -- диэлектрики
Аннотация: В результате экспериментального исследования формы спада тока, протекающего через слой люминофора тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, показано, что этот спад обусловлен бимолекулярным процессом захвата электронов на поверхностные состояния анодной границы раздела люминофор-диэлектрик. Определены скорость поверхностного захвата, сечение захвата и мгновенное время жизни электронов в момент времени, соответствующий началу спада, а также зависимости указанных параметров от полярности амплитуды и частоты напряжения треугольной формы.

Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.

Найти похожие

Гурин, Н. Т.
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS : Mn при выключении [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 7. - С. 14-22

УДК

^a530.1

Гурин, Н. Т.
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 1. - С. 59-68 : ил. - Библиогр.: с. 67-68 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поверхностные состояния -- ПС -- диэлектрик-полупроводник -- электролюминесцентные излучатели -- моделирование распределения плотности -- тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- релаксация электронов -- фазовые переходы -- экспериментальные данные
Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных состояний (ПС) на катодной границе раздела диэлектрик-люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей (ТП ЭЛИ) по энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения ТП ЭЛИ. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней ПС при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличения паузы между двумя соседними включенными состояниями ТП ЭЛИ, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на ПС. Определены максимальные значения плотности заполненных ПС на катодной границе, с которой осуществляется туннелирование электронов.

Доп.точки доступа:
Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)