Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=размерное квантование<.>)

Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20

621.315.592
К 774

Краевчик, В. Д.
Эффект гибридизации размерного и магнитного квантования в спектрах оптического поглощения наногетеросистем с D{ (-) } - состояниями [Текст] / В. Д. Краевчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 72 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.22
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения
Кл.слова (ненормированные):
размерное квантование -- магнитное квантование -- оптическое поглощение -- квазинульмерные системы -- нанокристаллы -- диэлектрические матрицы -- нелинейная оптоэлектроника
Аннотация: Теоретически исследовано магнитопоглощение света комплексами квантовая точка - D{ (-) } - центр, синтезированными в прозрачной диэлектрической матрице, с учетом дисперсии размеров квантовых точек (КТ) . В приближении эффективной массы получено аналитическое выражение для коэффициента примесного магнитопоглощения света продольной по отношению к направлению квантующего магнитного поля поляризации.

Доп.точки доступа:
Грунин, А. Б.; Семенов, М. Б.

Найти похожие

Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в Sb-содержащих лазерных наноструктурах [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 53-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- лазерные наноструктуры -- квантовые ямы -- твердые растворы -- InGaAsSb -- фотолюминесценция -- ФЛ -- межзонная фотолюминесценция -- динамика фотолюминесценции -- барьеры -- температура -- возбуждения -- оптические возбуждения -- носители зарядов -- оптически инжектированные носители зарядов -- время жизни носителей зарядов -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- резонансная оже-рекомбинация -- рекомбинационные процессы -- электроны -- разогрев электронов -- квантование -- размерное квантование -- фононы -- неравновесные фононы -- оптические фононы -- лазеры -- Sb-содержащие лазерные наноструктуры -- длина волны
Аннотация: В структурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов InGaAsSb и с барьерами на базе AlGaAsSb и AlInGaAsSb исследована динамика межзонной фотолюминесценции при различных температурах и уровнях возбуждения. Экспериментально определены времена жизни оптически инжектированных носителей заряда в квантовых ямах при разных температурах и уровнях оптического возбуждения. Увеличение скорости рекомбинации в структурах с более глубокими квантовыми ямами InGaAsSb / AlGaAsSb для электронов связывается с проявлением резонансной оже-рекомбинации. Оже-рекомбинация приводит к разогреву электронов и дырок в нижних подзонах размерного квантования. Оценена температура носителей заряда при оже-рекомбинации с использованием уравнения баланса мощности, учитывающего накопление неравновесных оптических фононов. На основе исследованных структур изготовлены лазеры двух типов на длину волны около 3 мкм; показано, что использование пятикомпонентного твердого раствора в качестве материала барьера приводит к улучшению характеристик лазеров.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Зерова, В. Л.; Hosoda, T.; Тхумронгсилапа, П.; Воробьев, Л. Е.; Belenky, G.

Найти похожие

Аккумуляционный нанослой - 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 372-376. - Библиогр.: с. 375-376 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аккумуляционный нанослой -- фотоэмиссия -- размерное квантование -- спектры фотоэмиссии -- интерференция Фарби-Перо -- Фарби-Перо интерференция -- плотность электронных состояний
Аннотация: Обнаружено формирование 2D-электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN (0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фарби-Перо.

Доп.точки доступа:
Бенеманская, Г. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкин, М. Н.; Тимошнев, С. Н.

Найти похожие

Ланг, И. Г.
Импульсное и монохроматическое возбуждение полупроводниковых квантовых ям в условиях размерного квантования [Текст] / И. Г. Ланг, С. Т. Павлов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1614-1620. - Библиогр.: с. 1620 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- монохроматические возбуждения квантовых ям -- размерное квантование -- коэффициенты отражения -- квантующее магнитное поле -- импульсные возбуждения квантовых ям -- коэффициенты поглощения света
Аннотация: Вычислены коэффициенты отражения и поглощения света квантовыми ямами, ширина которых сравнима с длиной световой волны. Учитывается разность коэффициентов преломления веществ ямы и барьеров. Рассматривается импульсное облучение при произвольной форме возбуждающего импульса. Предполагается существование двух близко расположенных дискретных уровней возбуждения. Такая пара уровней может соответствовать двум магнетополяронным состояниям в квантующем магнитном поле, перпендикулярном плоскости ямы. Соотношение величин нерадиационного и радиационного затуханий электронных возбуждений произвольно. Окончательные результаты получены без использования приближения, в рамках которого кулоновское взаимодействие электронов и дырок считается пренебрежимо малым.

Доп.точки доступа:
Павлов, С. Т.

Найти похожие

539.21:535
К 930

Курбацкий, В. П.
О влиянии квантования электронного спектра малых металлических частиц на оптическое поглощение в композитах [Текст] / В. П. Курбацкий, А. В. Коротун, В. В. Погосов // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 9. - С. 130-134. - Библиогр.: c. 134 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
композиты -- диэлектрические матрицы -- оптическое поглощение -- квантование электронного спектра -- металлические наночастицы -- наночастицы -- квантовые эффекты -- размерное квантование -- диэлектрические функции -- коэффициент поглощения
Аннотация: Исследованы оптические свойства системы металлических наночастиц в диэлектрической матрице. Для оценки квантовых эффектов использовано аналитическое выражение для диэлектрической функции металлической частицы в форме параллелепипеда. Рассчитан коэффициент поглощения композитов с частицами разных металлов в различных матрицах и проведено сравнение с имеющимися экспериментальными данными.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/09/p130-134.pdf

Доп.точки доступа:
Коротун, А. В.; Погосов, В. В.

Найти похожие

530.1
Р 253

Ратников, П. В.
Размерное квантование в графеновых планарных гетероструктурах: псевдоспиновое расщепление энергетического спектра, приграничные состояния и экситоны [Текст] / П. В. Ратников, авт. А. П. Силин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 3. - С. 582-601 : рис., табл. - Библиогр.: с. 599-601 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
планарная квантовая яма -- размерное квантование -- графеновые планарные гетероструктуры -- псевдоспиновое расщепление -- энергетический спектр -- нанополоски бесщелевого графена -- бесщелевой графен -- графены -- приграничные состояния -- экситоны -- квантовая яма
Аннотация: Рассматривается планарная квантовая яма, составленная из нанополоски бесщелевого графена, по краям которой находятся щелевые модификации графена.

Доп.точки доступа:
Силин, А. П.

Найти похожие

621.315.592
Г 124

Гавриленко, В. И.
Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом [Текст] / В. И. Гавриленко, С. С. Криштопенко, M. Goiran // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 111-119 : ил. - Библиогр.: с. 118-119 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спин-орбитальное взаимодействие -- электрон-электронное взаимодействие -- гетероструктуры -- InAs/AlSb -- двумерные электроны -- 2D электроны -- электронные состояния -- спектры электронов -- размерное квантование -- энергетические спектры -- квантование -- приближение Хартри -- Хартри приближение -- приближение Хартри - Фока -- Хартри - Фока приближение -- расщепление Рашбы -- Рашбы расщепление -- спиновое расщепление -- волновые векторы
Аннотация: Теоретически изучено влияние электрон-электронного взаимодействия на спектр двумерных электронных состояний в гетероструктурах InAs/AlSb (001) с покрывающим слоем GaSb с одной заполненной подзоной размерного квантования. Выполнены расчеты энергетического спектра двумерных электронов в приближении Хартри и Хартри-Фока. Показано, что обменное взаимодействие, приводя к уменьшению энергии электронов в подзонах, увеличивает расстояние между подзонами и величину спин-орбитального расщепления спектра во всем диапазоне значений концентрации электронов, при которых заполнена только нижняя подзона размерного квантования. Продемонстрирована нелинейная зависимость константы расщепления Рашбы при фермиевском волновом векторе от концентрации двумерных электронов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p111-119.pdf

Доп.точки доступа:
Криштопенко, С. С.; Goiran, M.

Найти похожие

621.315.592
С 389

Синявский, Э. П.
Исследования подвижности в низкоразмерных системах в постоянном поперечном электрическом поле [Текст] / Э. П. Синявский, авт. С. А. Карапетян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1062-1064 : ил. - Библиогр.: с. 1064 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поперечное электрическое поле -- низкоразмерные системы -- параболические квантовые ямы -- ПКЯ -- пространственное квантование -- шероховатая поверхность -- размерное квантование -- электропроводность -- уровни Ферми -- Ферми уровни
Аннотация: Вычислена подвижность mu в параболической квантовой яме в электрическом поле E, направленном вдоль оси пространственного квантования. Показано, что при учете рассеяния носителей на шероховатой поверхности mu уменьшается с ростом E. Предлагается физическая интерпретация рассмотренного эффекта.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1062-1064.pdf

Доп.точки доступа:
Карапетян, С. А.

Найти похожие

539.2
А 497

Алешкин, В. Я.
Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs / В. Я. Алешкин, авт. Д. И. Бурдейный // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 466-472 : ил. - Библиогр.: с. 472 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кулоновское рассеяние электронов -- резонансное кулоновское рассеяние электронов -- донорные центры -- гетероструктуры -- арсенидгаллиевые структуры -- квантовые ямы -- резонансные состояния -- размерное квантование -- амплитуды рассеяния
Аннотация: Теоретически исследуются характеристики кулоновского рассеяния электронов проводимости на мелких донорных центрах в гетероструктурах Al[x]Ga[1-x]As/n-GaAs/Al[x]Ga[1-x]As с квантовыми ямами при учете влияния резонансных состояний. Резонансные состояния возникают под возбужденными подзонами размерного квантования вследствие наличия доноров. Найдены асимметричные резонансные особенности в спектрах полного и транспортного сечений кулоновского рассеяния в окрестности резонансных значений энергии. Показано, что особенности не являются малым эффектом: вблизи резонансных значений энергии сечения могут в несколько раз отличаться от соответствующих величин для нерезонансного случая.
We report a theoretical study on characteristics of the Coulomb scattering of conduction electrons by shallow donors in heterostructures Al[x]Ga[1-x]As/n-GaAs/Al[x]Ga[1-x]As with quantumwells, taking into account the effect of resonance states. The resonance states are formed under the excited dimensional quantization subbands owing to the shallow donors. The obtained spectra of total and transport Coulomb scattering cross-sections exhibit asymmetric resonance features in the vicinity of the resonanceenergy values. It is shown that these features are no small effect: near the resonance energy values the cross-sections may largelydiffer from the corresponding cross-sections for the non-resonancecase.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p466-472.pdf

Доп.точки доступа:
Бурдейный, Д. И.

Найти похожие

10.

530.145
З-264

Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In[0.52]Al[0.48]As/ In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As/InP / В. А. Кульбачинский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 927-934 : ил. - Библиогр.: с. 934 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

530.145

ББК 22.315
Рубрики: Физика
Квантовая теория поля
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- ширина -- легирование -- зонная структура -- электроны -- изоморфные разновидности -- подложки -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- подвижность -- размерное квантование -- ионизированные следы -- рассеяние -- межподзонные переходы -- температурные зависимости -- фотопроводимость -- фотовозбуждение -- носители заряда
Аннотация: Исследовано влияние ширины квантовой ямы L и легирования на зонную структуру, рассеяние и подвижность электронов в наногетероструктурах с изоморфной квантовой ямой In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As, выращенных на подложках InP. Из данных по эффекту Шубникова-де-Гааза получены квантовые и транспортные подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизированных примесях в исследуемых образцах является доминирующим. При температурах ниже 170 K обнаружена замороженная фотопроводимость, обусловленная пространственным разделением фотовозбужденных носителей заряда.
We investigated the influence of the quantum well width L and doping on the band structure, scattering and electron mobility in nanoheterostructures with isomorphic quantum well In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As grown on substrate InP. Using Shubnikov-de-Haas effect quantum and transport electron mobilities in quantized sub bands have been evaluated. Independently electron mobilities in quantized sub bands have been calculated with taking into account a scattering on ionized impurities and electron transitions between sub bands. We showed that ionized impurity scattering of electrons is a dominant. At T < 170 K we observed a persistent photoconductivity which can be explained by a spatial separation of photo exited carriers.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p927-934.pdf

Доп.точки доступа:
Кульбачинский, В. А.; Лунин, Р. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.

Найти похожие

11.

621.315.592
Ц 871

Цуриков, Д. Е.
Квантовый самосогласованный расчет дифференциальной емкости полупроводниковой пленки / Д. Е. Цуриков, авт. А. М. Яфясов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1169-1174 : ил. - Библиогр.: с. 1174 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дифференциальная емкость -- полупроводниковые пленки -- расчет емкости -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения -- уравнения Пуассона -- Пуассона уравнения -- омические контакты -- германий -- Ge -- результаты расчета -- размерное квантование -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ
Аннотация: В рамках самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона предложена быстрая схема вычисления поверхностной дифференциальной емкости полупроводниковой пленки в случае омического контакта на тыльной стороне. Метод рассмотрен на примере германия. Сравнение с результатами феноменологического расчета выявило специфику влияния эффектов размерного квантования на вольт-фарадную характеристику пленки.
A fast scheme for calculating the surface differential capacitance of a semiconductor film with an ohmic contact on the back side is proposed within self-consistent solving Schr`odinger`s and Poisson`s equations. The method is considered by the example of a germanium. A comparison with phenomenological calculation results has disclosed the specific character of a quantum-confinement effects influence on the capacitance-voltage characteristic of the film.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1169-1174.pdf

Доп.точки доступа:
Яфясов, А. М.; Санкт-Петербургский государственный университетСанкт-Петербургский государственный университет

Найти похожие

12.

535
К 598

Кокурин, И. А.
Оптическая ориентация электронов в компенсированных полупроводниках / И. А. Кокурин, П. В. Петров, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1244-1252 : ил. - Библиогр.: с. 1251-1252 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535

621.315.592

ББК 22.34 + 31.233
Рубрики: Физика
   Оптика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
оптическая ориентация -- носители заряда -- электроны -- полупроводники -- квантовые ямы -- КЯ -- возбуждение электронов -- акцепторы -- проводимость -- GaAs/AlGaAs -- спиновая ориентация -- размерное квантование -- дырки -- дефекты -- циркулярная поляризация -- фотолюминесценция -- рекомбинация электронов -- термализованные электроны -- оптические переходы -- спиновая релаксация -- энергетическая релаксация
Аннотация: Представлена теория оптической ориентации носителей заряда в компенсированных полупроводниках A{III}B{V} и квантовых ямах на их основе в случае возбуждения электронов из состояния заряженного акцептора Mn- в зону проводимости. Установлено, что в квантовой яме GaAs/AlGaAs степень спиновой ориентации электронов в зоне проводимости при такой схеме возбуждения может достигать 85%. При этом рост степени ориентации не связан с расщеплением уровней за счет размерного квантования, а происходит за счет увеличения вклада тяжелых дырок в состояние акцептора вблизи центра дефекта. Показано, что степень циркулярной поляризации фотолюминесценции при рекомбинации термализованных электронов со дна зоны и дырки в основном состоянии акцептора в квантовой яме может превышать 70%.
The theory of the carrier optical orientation in compensated A{III}B{V} semiconductors and quantum wells is presented in the case of electron excitation from charged acceptor Mn- state to conduction band. It is show that in GaAs/AlGaAs quantum well the electron spin orientation degree can reach 85%. Herewith the orientation degree increasing is not related to level splitting due to size quantization, but it occurs from heavy hole contribution increasing to acceptor state near defect center. It is shown that circular polarization degree of the photoluminescence, at recombination of electron from band bottom and the hole in acceptor ground state, can exceed 70%.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1244-1252.pdf

Доп.точки доступа:
Петров, П. В.; Аверкиев, Н. С.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

13.

621.315.592
А 471

Алексеев, П. С.
Анизотропия электронного g-фактора в квантовых ямах на основе кубических полупроводников / П. С. Алексеев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1253-1257 : ил. - Библиогр.: с. 1256-1257 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- анизотропия расщепления -- кубические полупроводники -- полупроводники -- арсенид галлия -- GaAs -- спиновое расщепление -- электронные уровни -- размерное квантование -- магнитные поля -- асимметричные квантовые ямы -- симметричные квантовые ямы
Аннотация: Для асимметричных квантовых ям на основе полупроводников типа GaAs предложен новый механизм анизотропии спинового расщепления электронных уровней размерного квантования относительно поворотов магнитного поля в плоскости ямы. Показано, что линейная по магнитному полю анизотропия зеемановского расщепления в асимметричной квантовой яме появляется за счет интерфейсных спин-орбитальных слагаемых в гамильтониане электрона. Для случая симметричной квантовой ямы показано, что анизотропия зеемановского расщепления кубична по величине магнитного поля, зависит как гармоника 4-го порядка от направления магнитного поля и обусловлена спин-орбитальным членом 4-го порядка по кинематическoму импульсу в гамильтониане объемного полупроводника.
A new mechanism of anisotropy of spin splitting of electron levels in asymmetric quantum wells based on the GaAs type semiconductors relative to rotations of a magnetic field in the interface plain has been suggested. It is demonstrated that anisotropy of Zeeman splitting, linear with a magnetic field, arises in asymmetric quantum wells due to the interface spin-orbit terms. For the case of symmetric quantum wells it is shown that anisotropy of Zeeman splitting is cubic with the magnitude of the magnetic field, depends on the direction of the magnetic field in the interface plain as the fourth order harmonic and is governed by the spin-orbit term of the fourth order by the kinematic momentum in the electron Hamiltonian of the bulk semiconductor.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1253-1257.pdf

Доп.точки доступа:
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

14.

539.2
К 640

Конаков, А. А.
Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах / А. А. Конаков, Н. В. Курова, В. А. Бурдов // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1521-1525 : ил. - Библиогр.: с. 1525 (26 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спин-орбитальное взаимодействие -- структуры -- проводимость кремния -- кремниевые подложки -- валентные зоны -- кремний -- Si -- анизотропия -- волновые функции -- кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- размерное квантование
Аннотация: С использованием приближения огибающей и k x p-метода теоретически исследуется влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния в зоне проводимости кремниевых нанокристаллов сферической формы. Показано, что возникающая слабая спин-орбитальная связь зоны проводимости и валентной зоны приводит к специфической несимметричной гибридизации огибающих функций s- и p-типа с противоположной ориентацией спина, связанной с анизотропией спинового смешивания в зоне проводимости кремния. В результате происходит перестройка волновых функций основного состояния, сопровождаемая незначительным уменьшением его энергии. При этом параметр спинового смешивания в нанокристаллах существенно зависит от их размера вследствие эффекта размерного квантования.
An effect of the spin-orbit interaction on the ground-state structure in the conduction band of spherical silicon nanocrystals is investigated theoretically using the envelope-function approximation and the k x p-method. It is shown that weak spin-orbit coupling of the conduction and valence bands leads to a specific asymmetric hybridization of the s- and p-type envelope functions with opposite spin orientation caused by anisotropy of the spin mixing in the conduction band of bulk silicon. As a result, the wave functions of the ground state are reconstructed while the ground-state energy insignificantly decreases. Note that the spin-mixing anisotropy in the nanocrystals substantially depends on their sizes due to the quantum confinement effect.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1521-1525.pdf

Доп.точки доступа:
Курова, Н. В.; Бурдов, В. А.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. ЛобачевскогоНижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

15.

535.37
З-135

Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами / М. Я. Винниченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1526-1529 : ил. - Библиогр.: с. 1529 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
инжекционные лазеры -- лазеры -- инфракрасные диапазоны -- квантовые ямы -- спектральные зависимости -- люминесценция -- спонтанная люминесценция -- токовая зависимость -- лазерная генерация -- носители заряда -- размерное квантование -- поглощение света -- свободные дырки -- волноводы -- арсенидгаллиевые структуры
Аннотация: В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе.
The current dependence of spontaneous luminescence in the injection infrared lasers with InGaAsSb/InAlGaAsSb quantum wells has been studied. The current dependence of carrier concentration was determined from the spectral dependence of integral spontaneous luminescence. The lack of concentration saturation with current has been observed in the lasing regime. We associate it with carrier heating in the quantum wells and with the increase of the light absorption related to free holes in the waveguide.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1526-1529.pdf

Доп.точки доступа:
Винниченко, М. Я.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Машко, М. О.; Балагула, Р. М.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

16.

537.533/.534
Д 250

Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт / А. В. Германенко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1586-1590 : ил. - Библиогр.: с. 1589-1590 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.533/.534

621.315.592

ББК 22.338 + 31.233
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- результаты исследований -- магнитосопротивление -- эффект Холла -- Холла эффект -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- теллурид ртути -- двумерные полуметаллы -- 2D полуметаллы -- полевые электроды -- энергетические спектры -- электроны -- дырки -- экспериментальные данные -- размерное квантование -- дисперсия -- носители заряда
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20. 2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной kp-модели.
The results of experimental study of the magnetoresistivity, the Hall and Shubnikov-de Haas effects for the heterostructure with HgTe quantum well of 20. 2 nm width are reported. The measurements were performed on the gated samples over the wide range of electron and hole densities. Analyzing the data we conclude that the energy spectrum for charge carriers is drastically different from that calculated in the framework of k p-model.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1586-1590.pdf

Доп.точки доступа:
Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шестобитов, А. А.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург); Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук (Екатеринбург); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

17.

539.21:537
А 227

Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур / Г. Н. Фурсей [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 6. - С. 71-77. - Библиогр.: c. 77 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
графеноподобные структуры -- автоэлектронная эмиссия -- взрывная эмиссия -- нанокластеры углерода -- графен -- резонансное туннелирование -- туннелирование -- размерное квантование
Аннотация: Ранее экспериментально было показано, что на нанокластерах углерода наблюдается исключительно низкий порог возбуждения электронной эмиссии (на 2- 3 порядка более низкий, чем для металлов и полупроводников). В настоящей работе на графенах и на графеноподобных структурах этот эффект подтвержден прямыми экспериментами. Предложена новая модель, позволяющая объяснить этот эффект резонансным туннелированием в результате размерного квантования. Обнаружена низкопороговая взрывная эмиссия.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/06/p71-77.pdf

Доп.точки доступа:
Фурсей, Г. Н.; Поляков, М. А.; Кантонистов, А. А.; Яфясов, А. М.; Павлов, Б. С.; Божевольнов, В. Б.

Найти похожие

18.

621.315.592
П 278

Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием / В. М. Лукашин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 684-692 : ил. - Библиогр.: с. 691-692 (31 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
мощные полевые транзисторы -- полевые транзисторы -- транзисторы -- гетероструктуры -- арсенид галлия -- GaAs -- квантовые ямы -- потенциальные барьеры -- донорно-акцепторное легирование -- размерное квантование
Аннотация: Представлены первые результаты разработки мощных полевых транзисторов на гетероструктурах на основе арсенида галлия с квантовой ямой и дополнительными потенциальными барьерами на основе слоев с разными типами легирования, оптимизированными для уменьшения поперечного пространственного переноса электронов и увеличения эффекта размерного квантования. Транзисторы продемонстрировали рост выходной мощности в 2 раза при длине трапециевидного затвора 0. 4 - 0. 5 мкм и общей ширине затвора транзистора 0. 8 мм на частоте 10 ГГц в непрерывном режиме работы. При этом коэффициент усиления превысил 9. 5 дБ при удельной выходной мощности более 1. 6 Вт/мм и величине кпд по добавленной мощности до 50%. Проведена оценка перспектив развития данного типа приборов.
The first result of power pHEMT`s with additional potential barrier and quantum well optimized for real space transferee reduction development have been submitted. High power transistor with gate length about 0. 4-0. 5 Mum and 0. 8mm width demonstrate specific output power higher than 1. 6W/mm, associated gain higher than 9. 5 dB and efficiency about 50% at 10GHz. Prospects of donor-acceptor doped heterostructure application in pHEMT`s is done.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p684-692.pdf

Доп.точки доступа:
Лукашин, В. М.; Пашковский, А. Б.; Журавлев, К. С.; Торопов, А. И.; Лапин, В. Г.; Голант, Е. И.; Капралова, А. А.; Научно-производственное предприятие "Исток" (Фрязино); Научно-производственное предприятие "Исток" (Фрязино); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (Новосибирск); Научно-производственное предприятие "Исток" (Фрязино); Научно-производственное предприятие "Исток" (Фрязино); Научно-производственное предприятие "Исток" (Фрязино)

Найти похожие

19.

539.2
П 121

Павлов, Н. В.
Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs[0.84]Sb[0.16]/AlSb / Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1217-1227 : ил. - Библиогр.: с. 1227 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
модель Кейна -- Кейна модель -- размерное квантование -- коэффициент поглощения -- межзонные оптические переходы -- оптические переходы -- квантовые ямы -- спин-орбитальное взаимодействие -- запрещенные зоны -- излучательная рекомбинация
Аннотация: В рамках модели Кейна вычислены: энергия уровней размерного квантования, коэффициент поглощения и скорость излучательной рекомбинации для межзонных оптических переходов между различными подзонами размерного квантования в гетероструктуре с глубокой квантовой ямой состава AlSb/InA[s0. 86]Sb[0. 14]/AlSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия. Показано, что поправки, вносимые спин-орбитальным взаимодействием при расчете указанных величин, не превышают нескольких десятков процентов даже при значениях константы спин-орбитального взаимодействия, превышающих ширину запрещенной зоны, а учет непараболичности при расчете энергии уровней размерного квантования и коэффициента поглощения является гораздо более важным, чем учет спин-орбитального взаимодействия. При расчете скорости излучательной рекомбинации необходимо учитывать оба эффекта.
This paper the dimentional quantization energies, the absorption coefficients and the radiative recombination rates for interband optical transitions between different dimentional quantization subbands in the heterostructure with deep quantum well AlSb/InAs0. 86Sb0. 14/AlSb are calculated with the Kane model in the approximation of the neglecting of spin-orbit interaction and taking it into account. It is shown that the spin-orbit interaction corrections values, do not exceed several tens of percent, even for the spin-orbit interaction constant values exceeding the band gap. It is also shown that taking the carriers energy spectrum nonparabolicity into account is more important than the spinorbit interaction in the dimentional quantization energies and the absorption coefficients calculating but it is necessary to take both effects into account in the radiative recombination rates calculating.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1217-1227.pdf

Доп.точки доступа:
Зегря, Г. Г.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

20.

621:620.22
А 554

Алымов, М. И.
Определение достаточности классического описания консолидации нанопорошков / М. И. Алымов, В. С. Шустов // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 3. - С. 69-71 . - ISSN 0015-3214

УДК

621:620.22

ББК 34.43
Рубрики: Машиностроение
Машиностроительные материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанопорошки -- прессование нанопорошков -- спекание нанопорошков -- консолидация нанопорошков -- квантовая механика -- размерное квантование
Аннотация: Проведена оценка необходимости применения методов квантовой механики для описания процессов консолидации (прессования и спекания) нанопорошков путем сравнения значения некоторого характеристического параметра с размерностью действия (Дж*с) с постоянной Планка.

Доп.точки доступа:
Шустов, В. С.

Найти похожие

1-10 11-20

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)