Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=переходные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 18

1-10 11-18

541.135.4
А 877

Архипова, Н. В.
Катодное включение границы Li/Sb[2]S[5] [Текст] / Н. В. Архипова, А. М. Михайлова, Ю. В. Серянов // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N6. - Библиогр.: с.22 (8 назв.) . - ISSN 0579-2991

УДК

541.135.4

ББК 24.5
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
литиевые катоды -- переходные слои -- твердые электролиты -- топохимические реакции -- электрохимические реакции
Аннотация: При катодном гальваностатическом включении прямого контакта Li/Sb[2]S[5] образуется переходный слой интерфазы по механизму быстрого восстановления Sb[2]S[5] до Sb[2]S[3]{2+}, инжектированными из литиевого катода электронами с последующей медленной топохимической реакцией формирования LiSbS[2], контролируемой твердофазным диффузионным зародышеобразованием.

Доп.точки доступа:
Михайлова, А.М.; Серянов, Ю.В.

Найти похожие

Воронов, А. Я.
О структуре двумерных пространственно-периодических внутренних переходных слоев газоразрядной плазмы [Текст] / А. Я. Воронов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 128, N 1. - С. 168-178. - Библиогр.: с. 178 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
плазма -- газоразрядная плазма -- пограничные слои -- переходные слои -- пространственно-периодические переходные слои -- асимптотические методы -- метод пограничных функций -- тлеющий разряд -- плазма положительного столба -- внутренние переходные слои
Аннотация: Исследование структуры пространственно-периодических внутренних пограничных слоев плазмы положительного столба тлеющего разряда, организованного в длинной трубке цилиндрической формы с электроположительным газом внутри. При анализе исходной математической модели использовались асимптотические методы, а именно, метод пограничных функций.

Найти похожие

Нестеров, А. В.
Об асимптотике решения сингулярно возмущенной системы параболических уравнений в критическом случае [Текст] / А. В. Нестеров, О. В. Шулико // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2010. - Т. 50, N 2. - С. 268-275. - Библиогр.: c. 275 . - ISSN 0044-4669

УДК

^a519.633

ББК 22.19
Рубрики: Вычислительная математика
Математика
Кл.слова (ненормированные):
асимптотические представления решений -- начально-краевые задачи для параболических уравнений -- переходные слои -- сингулярно возмущенные системы -- сингулярные возмущения -- системы параболических уравнений
Аннотация: Построено формальное асимптотическое представление решения начально-краевой задачи для сингулярно возмущенной системы параболических уравнений. Особенностью задачи является наличие внутреннего переходного слоя у решения.

Доп.точки доступа:
Шулико, О. В.

Найти похожие

Точицкий, Т. А.
Двойникование в электролитических пленках никеля [Текст] / Т. А. Точицкий, А. Э. Дмитриева // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 1. - С. 88-92

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- пленки никеля -- медные подложки -- дифракция электронов -- переходные слои -- вакуумное напыление -- экстра-рефлексы
Аннотация: Исследовано формирование структуры эпитаксиальных слоев электролитических пленок никеля на медных подложках. Установлено, что основной причиной возникновения на электронограммах экстра-рефлексов является дифракция электронов на прослойках с ГПУ-решеткой, которые образуются в переходных слоях “пленка-подложка” в результате многократного двойникования.

Доп.точки доступа:
Дмитриева, А. Э.

Найти похожие

Особенности физико-механических свойств границы раздела между исходным материалом и материалом, содержащим примеси водорода и гелия [Текст] / И. П. Чернов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 108-112

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
неразрушающие методы контроля -- электропроводность металлов -- переходные слои -- сплавы титана -- ферритные стали -- методы ионной имплантации
Аннотация: С помощью неразрушающих методов контроля проведены исследования физико-механических свойств границы раздела между исходным материалом и материалом, содержащим примеси водорода и гелия. Установлено, что переходные области обладают особыми физико-механическими свойствами: при наводороживании на границе раздела наблюдается повышенное содержание водорода и, соответственно, повышенные значения микротвердости. Акустические измерения указывают на значительные изменения механических свойств металлов в переходных областях. Во всех случаях значение термоэдс ниже в области, насыщенной гелием. Установлено, что при насыщении водородом циркония значение термоэдс снижается с уменьшением времени наводороживания.

Доп.точки доступа:
Чернов, И. П.; Черданцев, Ю. П.; Лидер, А. М.; Мамонтов, А. П.; Гаранин, Г. В.; Ган, А. К.; Чупина, А. С.; Томина, Н. С.

Найти похожие

Семенов, Я. С.
Фазовый состав и распределение легирующих элементов в переходном слое [Текст] / Я. С. Семенов, С. К. Попова, М. П. Лебедев // Прикладная механика и техническая физика. - 2009. - Т. 50, N 6. - С. 207-212 . - ISSN 0869-5032

УДК

^a620.1/.2

ББК 30.3
Рубрики: Техника
Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
рентгеноспектральный анализ -- рентгеноструктурный анализ -- легирующие элементы -- химический состав -- фазовый состав -- технологические параметры -- оптические микроскопы -- плазменное напыление -- газоплазменное напыление -- переходные слои
Аннотация: С использованием методов рентгеноспектрального, рентгеноструктурного анализов и с помощью оптического микроскопа изучены химический и фазовый состав, структура и морфология легирующих элементов переходного слоя, полученного газопламенным и плазменным напылением на стали марки Ст. 3сп. Показано, что структура, химический и фазовый состав переходного слоя существенно зависят от технологических параметров, методов обработки и химического состава покрытия.

Доп.точки доступа:
Попова, С. К.; Лебедев, М. П.

Найти похожие

517.9
Н 580

Нефедов, Н. Н.
Контрастные структуры в многомерных сингулярно возмущенных задачах реакция-диффузия-адвекция [Текст] / Н. Н. Нефедов, авт. М. А. Давыдова // Дифференциальные уравнения. - 2012. - Т. 48, № 5. - С. 738-748. - Библиогр.: с. 748 (8 назв.) . - ISSN 0374-0641

УДК

517.9

ББК 22.161.6
Рубрики: Математика
Дифференциальные и интегральные уравнения
Кл.слова (ненормированные):
Ляпунова устойчивость -- адвекция -- асимптотика -- асимптотические методы -- внутренние слои -- возмущенные задачи -- дифференциальные неравенства -- диффузия -- контрастные структуры -- краевые задачи -- многомерные задачи -- нелинейные задачи -- оценки точности -- переходные слои -- реакция -- уравнения адвекции -- уравнения диффузии -- уравнения реакции -- устойчивость Ляпунова
Аннотация: Рассматривается нелинейная краевая задача для уравнения типа реакции-диффузии-адвекции, решения которой имеют внутренние переходные слои (контрастные структуры).

Доп.точки доступа:
Давыдова, М. А.

Найти похожие

539.21:535
И 755

Ионно-плазменная обработка монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x~ 0.04) и оптическое просветление алмазоподобными углеродными пленками [Текст] / Н. И. Клюй [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 8. - С. 83-88. - Библиогр.: c. 88 (26 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
ионно-плазменная обработка -- оптическое просветление -- алмазоподобные пленки -- углеродные пленки -- кадмий-цинк-теллур -- плазма -- аргон -- азот -- водород -- спектры поглощения -- оптические покрытия -- переходные слои -- плазменная очистка
Аннотация: Изучено влияние ионно-плазменной обработки монокристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x~0. 04), которая проводилась перед нанесением просветляющего покрытия - алмазоподобной углеродной пленки a-C: H: N, на оптические свойства получаемой структуры. Обработка проводилась в плазме аргона, азота или водорода. Контроль оптических свойств системы a-C: H: N/Cd[1-x]Zn[x]Te показал, что наиболее эффективной, с точки зрения повышения пропускания структуры, является обработка в плазме аргона. Предложена модель оптической системы, учитывающая формирование переходных слоев после плазменной обработки и влияние типа ионов на их характеристики. Проведен анализ спектров поглощения системы a-C: H: N/Cd[1-x]Zn[x]Te, позволивший установить присутствие полос, соответствующих валентным и деформационным колебаниям C-H-связей, а также C-C- и C=O-связям, наличие которых необходимо учитывать при конструировании и синтезе изучаемых оптических покрытий.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/08/p83-88.pdf

Доп.точки доступа:
Клюй, Н. И.; Лозинский, В. Б.; Лукьянов, А. Н.; Мороженко, В. А.; Савкина, Р. К.; Сизов, Ф. Ф.; Смирнов, А. Б.; Дериглазов, В. А.

Найти похожие

536.42
В 400

Вешнев, В. П.
Кристаллизация твердых сфер вблизи стенки [Текст] / В. П. Вешнев, авт. Т. А. Нурлыгаянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 44-49 : ил. - Библиогр.: с. 49 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

536.42^V3

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
твердые сферы -- кристаллизация твердых сфер -- молекулярная динамика -- классическая динамика -- метод классической молекулярной динамики -- термодинамические системы -- плотности -- кристаллы -- примитивные пирамиды (физика) -- тригональная сингония -- изотропные жидкости -- переходные слои -- конфигурационные пространства -- стенки (физика)
Аннотация: Методом классической молекулярной динамики изучается термодинамическая система твердых сфер вблизи идеальной стенки. Обнаружено, что при задании средней начальной плотности выше определенного значения в процессе выравнивания плотности система релаксирует к равновесному состоянию, состоящему из двух фаз. Вблизи стенки возникает кристалл примитивных пирамид твердых сфер, относящийся к тригональной сингонии. Далее находится изотропная жидкость, отделенная от кристалла переходным слоем. При увеличении средней плотности в результате кристаллизации в конфигурационном пространстве система приходит в состояние с увеличенной толщиной слоя кристалла у стенки и неизменными плотностями кристалла и находящейся с ним в равновесии изотропной жидкости.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p44-49.pdf

Доп.точки доступа:
Нурлыгаянов, Т. А.

Найти похожие

10.

544.45
Б 914

Буркина, Р. С.
Влияние структурных изменений приповерхностного слоя конденсированного вещества на его зажигание мощным импульсом излучения [Текст] / Р. С. Буркина, авт. А. М. Домуховский // Физика горения и взрыва. - 2012. - Т. 48, № 5. - С. 122-129 : ил. - Библиогр.: с. 128-129 (10 назв.) . - ISSN 0430-6228

УДК

544.45

ББК 24.543
Рубрики: Химия
Горение. Взрыв
Кл.слова (ненормированные):
модели зажигания -- режимы зажигания -- конденсированные вещества -- переходные слои -- импульсы излучения -- закон Бугера -- Бугера закон -- приповерхностные слои
Аннотация: Авторами статьи предложена модель зажигания реакционноспособного конденсированного вещества мощным импульсом излучения из высокотемпературной области через переходный слой, образующийся у поверхности вещества.

Доп.точки доступа:
Домуховский, А. М.

Найти похожие

11.

621.315.592
Р 244

Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1373-1378 : ил. - Библиогр.: с. 1377-1378 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

537.533/.534^V3

ББК 31.233 + 22.338
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- HFET-структуры -- комбинированно-легированные структуры -- структуры -- электроны -- двумерные электроны -- 2D электроны -- рассеяние электронов -- квантовые ямы -- КЯ -- комбинированное легирование -- электронные транспортные свойства -- гетероструктуры -- легирование кремния -- AlGaAs/InGaAs/AlGaAs -- переходные слои -- ПС -- границы раздела -- подвижность электронов -- электронная подвижность -- ионизированные примеси
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов n[s] в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и delta-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним delta-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, n[s]=1. 37 x 10{13} см{-2}, получено наибольшее значение электронной подвижности mu[H]=1520 см{2}/ (В x с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1373-1378.pdf

Доп.точки доступа:
Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Лунин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.

Найти похожие

12.

539.2
Ф 912

Фролов, Г. И.
Исследование параметров переходного слоя в обменно-связанной пленочной структуре NiFe/DyCo [Текст] / Г. И. Фролов, В. А. Середкин, В. Ю. Яковчук // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1279-1283. - Библиогр.: с. 1283 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
обменно-связанные пленочные структуры -- переходные слои -- магнитооптический эффект Керра -- Керра магнитооптический эффект -- однонаправленная анизотропия -- анизотропия
Аннотация: Параметры переходного слоя в обменно-связанных пленочных структурах являются необходимым звеном для понимания механизма формирования однонаправленной анизотропии. Определена толщина этого слоя в пленках NiFe/DyCo путем сравнения сигналов полярного магнитооптического эффекта Керра с контрольной пленки DyCo и с магнитожесткого слоя обменно-связанной структуры. Полученная величина на порядок превышает значения, характерные для ферро-/антиферромагнитных двухслойных пленок. Для объяснения механизма перемагничивания исследованной структуры использована модель, которая предполагает образование 180{o} границы в интерфейсе.

Доп.точки доступа:
Середкин, В. А.; Яковчук, В. Ю.

Найти похожие

13.

539.21:537
Э 455

Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди / А. С. Комолов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 948-953 : ил. - Библиогр.: с. 952-953 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
интерфейсы -- пограничные слои -- электронные свойства -- фталоцианин меди -- электролитическое осаждение -- пленки -- отражение -- регистрация -- медленные электроны -- спектроскопия -- падающие электроны -- токи -- максимумы -- энергетические диапазоны -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- метод теории функционала плотности -- переходные слои -- вакуум -- электронная плотность
Аннотация: Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F[16]-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F[16]-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F[16]-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F[16]-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F[16]-CuPc/CuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0. 7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F[16]-CuPc.
The interface formation during the deposition of the unsubstituted copper phthalocyanine film (CuPc) onto the surface of hexadecafluoro copper phthalocyanine (F[16]-CuPc) was studied. The incident low-energy electron beam with energies from 0 to 25 eV was used to test the surface under study according to the very low energy electron diffraction technique and to the total electron current spectroscopy measurement scheme. The peak structure of the total current spectra was determined for the F[16]-CuPc films studied and a comparison was made to the peak structure of the spectra known for the unsubstituted CuPc films within the energy region from 5 to 15 eV above the Fermi level. The differences of the orbital energies of CuPc and F[16]-CuPc molecules were obtained by means of the density functional theory calculations for the same energy region. During the CuPc film deposition the changes of the intensities of the spectra, which appear from the interface layer between CuPc and F[16]-CuPc films were analyzed. It was suggested that the interface layer with no significant total electron current peak structure was formed within 1 nm from the interface plane. The height of the interface barrier, its width and the work function changes at the F[16]-CuPc/CuPc boarder were determined. It was observed that the energy position of the vacuum level decreased by 0. 7 eV, which corresponds to the electron transfer from the CuPc film in the direction of the F[16]-CuPc film.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p948-953.pdf

Доп.точки доступа:
Комолов, А. С.; Лазнева, Э. Ф.; Пшеничнюк, С. А.; Гавриков, А. А.; Чепилко, Н. С.; Томилов, А. А.; Герасимова, Н. Б.; Лезов, А. А.; Репин, П. С.

Найти похожие

14.

539.19
С 750

Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации / Д. Б. Шустов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1279-1282 : ил. - Библиогр.: с. 1282 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.19

621.315.592

ББК 22.36 + 31.233
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- сублимация -- вакуум -- подложки -- 6H-SiC -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- политипы -- катодолюминесценция -- КЛ -- поверхность пленок -- латеральная поверхность -- дефекты упаковки -- границы -- переходные слои -- сравнительные исследования
Аннотация: Исследовались гетероструктуры n-3C-SiC/n-6H-SiC, выращенные методом сублимации в вакууме на коммерческих подложках 6H-SiC компании CREE. ПЭМ исследования показали, что на подложке вырос переходной слой переменной толщины, представляющий собой смесь 3C- и 6H-политипов. На прослойке был получен слой 3C-политипа. Исследования катодолюминесценции поверхности выращенной пленки в латеральной поверхности показали, что на поверхности и приповерхностной области (порядка 100 мкм) встречаются дефекты в виде вкрапления другой фазы (6H-политипа), дефектов упаковки и двойничковых границ (разделяющих домены кубической модификации, выращенной в различных ориентациях). Различные условия роста оказывают влияние на концентрацию различных типов дефектов.
Heterostructure of n-3C-SiC layers grown by vacuum sublimation technique on CREE n-6H-SiC substrates were studied by cathodoluminescence (CL) and transmission electron microscopy (TEM). According to TEM measurements there intermediate layer was found between 3C-layer and 6H-substrate. Intermediate layer is an irregular sequence of 3C/6H thin layers with non-uniform spatial distribution. CL shows the presence of defects (6H-inclusions, staking faults, twin-boundaries) in the 3C-surface layer (~ 100 mum). Variation of growth parameters leads to changes in density of different defects types.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1279-1282.pdf

Доп.точки доступа:
Шустов, Д. Б.; Лебедев, А. А.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Ситникова, А. А.; Заморянская, М. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РAH (Санкт-Петербург)

Найти похожие

15.

535.37
И 889

Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiC/6H-SiC / А. А. Лебедев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1554-1558 : ил. - Библиогр.: с. 1558 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- гетероструктуры -- 3C-SiC/6H-SiC -- карбид кремния -- SiC -- кремний -- Si -- спинодальный распад -- переходные слои -- TEM -- структурные исследования -- сублимационная эпитаксия
Аннотация: Методами ТЕМ и катодолюминесценции проведено исследование переходной области гетероструктур 3C-SiC/6H-SiC. Обнаружено, что данная область, как правило, состоит из чередования слоев 3C-SiC и 6H-SiC с возможным включением и других политипов карбида кремния. Высказано предположение, что подобная структура переходной области может быть объяснена на основе модели спинодального распада.
TEM methods and cathodoluminescence study of the transition region heterostructures 3C-SiC/6H-SiC. It was found that this area usually consists of alternating layers of 3C-SiC and 6H-SiC possibly including other polytypes of silicon carbide. The idea is put forward that such a structure of the transition layer can be considertd on the basis of the spinodal decomposition model.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1554-1558.pdf

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Заморянская, М. В.; Давыдов, С. Ю.; Кириленко, Д. А.; Лебедев, С. П.; Сорокин, Л. М.; Шустов, Д. Б.; Щеглов, М. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

16.

517.9
Н 580

Нефедов, Н. Н.
Контрастные структуры в сингулярно возмущенных квазилинейных уравнениях реакция - диффузия - адвекция / Н. Н. Нефедов, авт. М. А. Давыдова // Дифференциальные уравнения. - 2013. - Т. 49, № 6. - С. 715-733. - Библиогр.: с. 733 (8 назв.) . - ISSN 0374-0641

УДК

517.9

ББК 22.161.6
Рубрики: Математика
Дифференциальные и интегральные уравнения
Кл.слова (ненормированные):
контрастные структуры -- квазилинейные уравнения -- уравнения реакции -- уравнения диффузии -- уравнения адвекции -- стационарные решения -- внутренние слои -- переходные слои -- эллиптические уравнения -- стационарные уравнения -- асимптотики -- алгоритмы -- краевые задачи -- уравнение Бюргерса -- Бюргерса уравнение
Аннотация: Изучаются стационарные решения с внутренними переходными слоями (контрастные структуры) сингулярно возмущенного эллиптического уравнения.

Доп.точки доступа:
Давыдова, М. А.

Найти похожие

17.

517.9
Д 534

Дмитриев, М. Г.
Асимптотическое решение сингулярно возмущенной задачи оптимального управления, связанной с восстановлением поврежденной кривой / М. Г. Дмитриев, авт. Ю. Л. Сачков // Дифференциальные уравнения. - 2013. - Т. 49, № 11. - С. 1381-1389. - Библиогр.: с. 1389 (18 назв.) . - ISSN 0374-0641

УДК

517.9

ББК 22.161.6
Рубрики: Математика
Дифференциальные и интегральные уравнения
Кл.слова (ненормированные):
асимптотические решения -- решения задач -- сингулярно возмущенные задачи -- оптимальное управление -- кривые -- оптимальные траектории -- равномерное движение -- переходные слои -- интервалы управления -- переменные -- поврежденные кривые -- задачи оптимального управления
Аннотация: Доказано, что в исходной задаче оптимального управления оптимальные траектории наряду с равномерным движением внутри временного промежутка имеют быстрые переходные слои на границах интервала управления.

Доп.точки доступа:
Сачков, Ю. Л.; Научно-исследовательский университет "Высшая школа экономики" (Москва)Институт программных систем им. А. К. Айламазяна РАН (Переславль-Залесский)

Найти похожие

18.

539.2
Д 138

Давыдов, С. Ю.
О возможности спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 6. - С. 721-724 : ил. - Библиогр.: с. 724 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спинодальный распад -- переходные слои -- гетероструктуры -- карбид кремния -- SiC -- интегральные характеристики -- феноменологические модели
Аннотация: Предложено описание переходного слоя между двумя политипами карбида кремния с использованием только одной интегральной характеристики - степени гексагональности D. Представлена упрощенная феноменологическая картина формирования периодической структуры в переходном слое, рассматриваемого как своеобразный спинодальный распад.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/06/p721-724.pdf

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

1-10 11-18

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)