Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=напряженность поля<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-22

537
Г 834

Григорьев, А. И.
О возможности зажигания коронного разряда в окрестности нелинейно осциллирующей слабо заряженной капли [Текст] / А. И. Григорьев, С. О. Ширяева, М. В. Волкова // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

537

539.19

ББК 22.33 + 22.36
Рубрики: Физика--Молекулярная физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
заряженные капли -- капиллярные колебания -- коронные разряды -- напряженность поля -- нелинейные осцилляции -- электропроводные жидкости -- электростатические поля
Аннотация: Получено аналитическое выражение для напряженности электростатического поля в окрестности заряженной капли электропроводной жидкости, совершающей нелинейные осцилляции, когда начальная деформация формы определена виртуальным возбуждением произвольной одиночной моды капиллярных колебаний. Оказалось, что даже при малых зарядах (когда параметр Рэлея для капли равен одной десятой от критического в смысле устойчивости по отношению к собственному заряду) напряженность электростатического поля у поверхности капли при начальном возбуждении одной из высоких мод достаточна для зажигания коронного разряда.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/

Доп.точки доступа:
Ширяева, С.О.; Волкова, М.В.

Найти похожие

539:537.226.4
Ж 783

Жога, Л. В.
Кинетика разрушения пьезокерамики при действии электрического поля [Текст] / Л. В. Жога, А. В. Шильников, В. В. Шпейзман // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 56 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

539:537.226.4

ББК 22.38 + 22.33
Рубрики: Физика--Ядерная физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
пьезокерамика -- сегнетопьезокерамика -- электрический пробой -- электрическая долговечность -- напряженность поля
Аннотация: На дисках из сегнетопьезокерамики измерены зависимости электрической долговечности (времени от момента приложения постоянного напряжения до пробоя) от напряженности электрического поля Е и зависимости пробивной напряженности поля Е[пр] от скорости подъема напряженности поля Е'. Сделано заключение о кинетической природе разрушения сегнетопьезокерамики.

Доп.точки доступа:
Шильников, А. В.; Шпейзман, В. В.

Найти похожие

532.517.4
Г 63

Гольбрайх, Е.
О влиянии внешнего магнитного поля на спектры МГД-турбулентности [Текст] / Е. Гольбрайх, С. С. Моисеев, А. Эйдельман // Физика плазмы. - 2003. - Т. 29, N 6. - С. 550-554. - Библиогр.: с. 554 (13 назв. ) . - ISSN 0367-2921

УДК

532.517.4

533.951.7

ББК 22.38
Рубрики: Физика--Ядерная физика
Кл.слова (ненормированные):
турбулентность плазмы -- магнитное поле -- напряженность поля -- плазма -- МГД-турбулентность
Аннотация: Турбулентные свойства проводящих жидкостей во внешнем постоянном магнитном поле изменяются с ростом напряженности поля. Исследуется поведение структурной функции второго порядка для турбулентного поля скорости в однородной несжимаемой жидкости в присутствии внешнего однородного магнитного поля. Показано, что в зависимости от напряженности магнитного поля в системе могут возникнуть разные определяющие параметры как в инерционном, так и в диссипативном интервалах турбулентности.

Доп.точки доступа:
Моисеев, С. С.; Эйдельман, А.

Найти похожие

Веденеев, О. В.
Пространственное распределение радиоизлучения ШАЛ на частоте 32 МГц [Текст] / О. В. Веденеев // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2008. - N 2. - С. 29-34 : Рис. - Библиогр.: c. 34 (21 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a539.14

^a539.1

ББК 22.383 + 22.38
Рубрики: Физика
Атомное ядро
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
глубины максимумов ливней -- напряженность поля -- пространственное распределение -- радиоизлучение -- частоты -- широкие атмосферные ливни (ШАЛ) -- экспериментальные данные
Аннотация: Приведены результаты переобработки экспериментальных данных по радиоизлучению широких атмосферных ливней (ШАЛ), полученных ранее на установке ШАЛ МГУ. Из анализа ширины пространственного распределения радиоизлучения получено распределение по глубинам максимумов ливней. Среднее значение глубины максимума X[max] = (655+8) г/см (2) при энергии первичных частиц E[0] ~ (3-4) 10 (17) эВ. Значения нормированной напряженности поля при E[0] = 10 (17) эВ составляют (3, 2+0, 60) и (2, 8+0, 4) мкв/м МГц на расстояниях 50 и 100 м от оси соответственно. Точность определения E[0] по напряженности поля радиоизлучения на расстоянии 50 м от оси составляет около 20%.

Найти похожие

Кулешов, П. С.
Влияние электрического поля на формирование и дробление пленки конденсата на стенках капилляра в потоке водяного пара [Текст] / П. С. Кулешов, Ю. В. Маношкин // Теплофизика высоких температур. - 2009. - Т. 47, N 1. - С. 108-116 . - ISSN 0040-3644

УДК

^a536.22/.23

ББК 22.365
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
капилляры -- электрическое поле -- пленка конденсата -- водяной пар -- напряженность поля -- режим двухфазного течения -- дробление пленки
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние электрического поля на параметры пленки конденсата, образующейся на стенках капилляра при протекании через него горячего водяного пара. По мере роста напряженности поля вблизи среза капилляра изменялся режим двухфазного течения в капилляре с кольцевого на снарядный; изменялась форма поверхности пленки с гладкой на волнообразную; образование крупных капель на срезе капилляра сменялось пульсирующим дроблением пленки на фрагменты. При последующем росте напряженности снарядный режим снова сменялся кольцевым, на срезе капилляра пленка образовывала стационарные выступы воды, дробление пленки становилось монотонным, на выступах возникал нестационарный коронный разряд. Изменение ориентации капилляра с горизонтальной на вертикальную приводило к увеличению напряженности, необходимой для развития снарядного режима. В работе предложен механизм монотонного дробления пленки, в рамках которого выполнены оценки характеристик фрагментов дробления.

Доп.точки доступа:
Маношкин, Ю. В.

Найти похожие

Воронков, Э. Н.
Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля
Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм.

Доп.точки доступа:
Козюхин, С. А.

Найти похожие

Бекяшев, Р. Х.
Опытная проверка результатов расчета потенциала электростатического поля, создаваемого полусферическим электродом (лекционная демонстрация) [Текст] / Р. Х. Бекяшев, Л. А. Игнатьева // Физическое образование в вузах. - 2010. - Т. 16, N 1. - С. 58-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (7 назв. ) . - ISSN 1609-3143

УДК

^a537.2

ББК 22.331
Рубрики: Физика
Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
электростатическое поле -- расчет электростатического поля -- полусферические электроды -- электроды -- лекционные демонстрации -- эксперименты -- напряженность поля
Аннотация: Приведена методика расчетов электростатического потенциала и напряженности поля, создаваемых полусферическим электродом.

Доп.точки доступа:
Игнатьева, Л. А.

Найти похожие

Ковалев, С. И.
Влияние предварительной магнитной обработки кристаллов и растворов KDP на их равновесие [Текст] / С. И. Ковалев, А. Е. Смирнов, А. Э. Волошин // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 7. - С. 30-33 : ил. - Библиогр.: с. 33 (8 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a548/549

ББК 26.303
Рубрики: Геология
Минералогия
Кл.слова (ненормированные):
магнитная обработка -- кристаллы -- растворы KDP -- магнитная индукция -- температура равновесия -- напряженность поля -- равновесие -- немагнитные кристаллы
Аннотация: Впервые методом измерения температуры равновесия обнаружено и исследовано влияние предварительной магнитной обработки немагнитных кристаллов и растворов KDP на изменение их температуры равновесия. Показано, что эффект максимален сразу после "намагничивания" после чего он монотонно спадает, а спустя 5 ч приближается к равновесному состоянию для "ненамагниченного" образца. Установлено, что явление носит характер насыщения, причем последнее отвечает величине магнитной индукции B = 0. 02 Тл, начиная с которой зависимость температуры равновесия от напряженности поля не изменяется вплоть до величины B = 2 Тл. Показано, что эффект уменьшения растворимости максимален для магнитообработанных кристаллов KDP с примесью хрома, меньше для кристаллов без примеси хрома и еще меньше для растворов KDP. Во всех случаях определены времена жизни магнитоиндуцированного состояния, которые соответственно составляют 2. 5, 2. 8 и 2. 6 ч.

Доп.точки доступа:
Смирнов, А. Е.; Волошин, А. Э.

Найти похожие

Попов, А. Л.
Напряженность магнитного поля в ближней зоне рамочной антенны для систем радиочастотной идентификации [Текст] / А. Л. Попов, О. Г. Вендик, Н. А. Зубова // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 19. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.396.67

ББК 32.845
Рубрики: Радиоэлектроника
Антенны
Кл.слова (ненормированные):
рамочные антенны -- магнитные поля -- напряженность поля -- ближние зоны -- радиочастотная идентификация -- системы идентификации -- конденсаторы -- планарные линии -- двухпроводные планарные линии -- расчеты характеристик -- полученные данные -- результаты измерений -- ток
Аннотация: Рассмотрена структура рамочной антенны электрически большого диаметра с разбиением периметра рамки конденсаторами, выполненными в виде двухпроводных планарных линий. Проведены расчеты характеристик антенны при одно- и двухстороннем расположении планарных линий относительно основного контура рамки и сопоставление полученных данных с результатами измерений. Показано существенное влияние расположения планарных линий на распределение тока по периметру рамки.

Доп.точки доступа:
Вендик, О. Г.; Зубова, Н. А.

Найти похожие

10.

Нелинейный отклик и два устойчивых состояния электропроводности в пластифицированных прозрачных поливинилхлоридных пленках [Текст] / Д. В. Власов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 19. - С. 100-106 : ил. - Библиогр.: с. 106 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
поливинилхлоридные пленки -- ПВХ пленки -- пластифицированные поливинилхлоридные пленки -- прозрачные пластифицированные поливинилхлоридные пленки -- нелинейные отклики -- устойчивые состояния -- электропроводность -- экспериментальные исследования -- результаты исследований -- напряженность поля -- спонтанные обратимые переходы -- спонтанные переходы -- обратимые переходы -- высокая проводимость -- низкая проводимость -- вольт-амперные характеристики -- релаксационные характеристики -- релаксационные процессы -- дебаевские процессы -- режим детерминированного переключения -- полимерные пленки
Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований электропроводности прозрачных пластифицированных поливинилхлоридных (ПВХ) пленок при напряженностях поля значительно меньших уровня пробоя. Обнаружены спонтанные обратимые переходы между двумя состояниями - с высокой и относительно низкой проводимостью: для образцов пленок пластифицированного ПВХ толщиной 30-50 mum, удельные объемные сопротивления устойчивых состояний составляли порядка 10{3} Omega· m и 10{6} Omega· m соответственно. Измерения релаксационных вольт-амперных характеристик в непрерывном режиме позволили корректно учесть релаксационные дебаевские процессы и выделить эффекты, связанные с нелинейностью и переходами между указанными состояниями. Реализован режим детерминированного переключения состояний проводимости. Предложена простая качественная модель, описывающая аномальный характер проводимости полимерных пленок.

Доп.точки доступа:
Власов, Д. В.; Апресян, Л. А.; Власова, Т. В.; Крыштоб, В. И.

Найти похожие

11.

Сбруев, И. С.
Квантовые ямы на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC [Текст] / И. С. Сбруев, С. Б. Сбруев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1357-1364 : ил. - Библиогр.: с. 1363 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- гетеропереходы -- 3C-SiC/NH-SiC -- локальные уровни -- поляризация -- энергия -- напряженность поля -- валентные зоны -- карбид кремния -- экспериментальные исследования
Аннотация: Пересмотрены результаты экспериментов с квантовыми ямами на гетеропереходах 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC, полученных различными способами. В рамках единой модели получены значения спонтанной поляризации, напряженности поля и энергий локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходах 3C-SiC/NH-SiC, согласующиеся с результатами всех рассмотренных экспериментов. Определены типы гетеропереходов. Представлены аппроксимация для разрывов валентных зон на гетеропереходах между политипами карбида кремния и выражение для вычисления локальных уровней в квантовых ямах на гетеропереходе 3C-SiC/NH-SiC. Вычислены значения спонтанной поляризации для 3C-SiC/4H-SiC - 0. 71 Кл/м{2}, для 3C-SiC/6H-SiC - 0. 47 Кл/м{2} и напряженности поля, создаваемого спонтанной поляризацией на гетеропереходе 3C-SiC/4H-SiC и 3C-SiC/6H-SiC - 0. 825 и 0. 55 МВ/см соответственно.

Доп.точки доступа:
Сбруев, С. Б.

Найти похожие

12.

621.375
К 788

Крахалев, М. Н.
Электрооптические характеристики полимер-диспергированной жидкокристаллической пленки, управляемой ионно-сурфактантным методом [Текст] / М. Н. Крахалев, В. А. Лойко, В. Я. Зырянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 1. - С. 72-77 : ил. - Библиогр.: с. 77 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
жидкокристаллические пленки -- полимер-диспергированные пленки -- электрооптические характеристики -- композитные пленки -- полимеры -- кристаллы -- жидкие кристаллы -- нематические жидкие кристаллы -- НЖК -- ионные сурфактанты -- ионная модификация -- поверхностные сцепления -- ионно-сурфактантный метод -- капли нематика -- процессы переориентации -- модуляция светопропускания -- амплитуды модуляции -- электрические поля -- напряженность поля -- динамические параметры -- оптические отклики
Аннотация: Исследованы электрооптические характеристики композитной пленки на основе полимера, нематического жидкого кристалла и ионного сурфактанта. Для эффекта ионной модификации поверхностного сцепления обнаружены пороговый характер процесса переориентации капель нематика и соответственно зависимости амплитуды модуляции светопропускания от напряженности электрического поля. Определены динамические параметры оптического отклика.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/01/p72-77.pdf

Доп.точки доступа:
Лойко, В. А.; Зырянов, В. Я.

Найти похожие

13.

537.6
П 270

Переключение магнитного перехода совместным действием импульса тока и магнитного поля. Численное моделирование [Текст] / Ю. В. Гуляев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 4. - С. 16-22 : ил. - Библиогр.: с. 22 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.6^V3

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитные переходы -- переключения -- токи -- импульсы тока -- магнитные поля -- спин-поляризованные токи -- внешние поля -- внешние магнитные поля -- плотность тока -- напряженность поля -- пороговые значения -- численное моделирование -- результаты моделирования
Аннотация: Приводятся результаты численного моделирования переключения магнитного перехода импульсом спин-поляризованного тока в присутствии внешнего магнитного поля при величинах плотности тока и напряженности поля, меньших соответствующих пороговых значений. Показана возможность переключения с регулируемым запаздыванием относительно импульса тока.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/04/p16-22.pdf

Доп.точки доступа:
Гуляев, Ю. В.; Зильберман, П. Е.; Чигарев, С. Г.; Эпштейн, Э. М.

Найти похожие

14.

537.311.33
М 662

Митин, А. Н.
Влияние структуры поверхности твердого диэлектрика на электрическое поле вблизи границы раздела воздух-барьер [Текст] / А. Н. Митин, авт. М. В. Соколова // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 10. - С. 50-56 : ил. - Библиогр.: с. 56 (4 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33^V3

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики -- твердые диэлектрики -- шероховатые поверхности -- шероховатость -- электрические поля -- границы раздела -- воздух-барьер -- распределение электрического поля -- результаты расчета -- расчетные модели -- ситаллы -- напряженность поля -- воздушные промежутки -- разрядные процессы
Аннотация: Представлены результаты расчета распределения электрического поля в воздухе вблизи поверхности твердого диэлектрика с разной степенью шероховатости его поверхности. Предложена расчетная модель, с использованием которой на примере ситалла показано, что электрическое поле вблизи вершин выступов на поверхности твердого диэлектрика может в 2. 5-3. 5 раза (в зависимости от степени шероховатости) превышать напряженность поля в воздушном промежутке. При этом определено, что поле во впадинах в 10 раз слабее поля у вершин выступов. Полученный результат согласуется с экспериментально установленным в [1] изменением интенсивности разрядных процессов у поверхности при увеличении шероховатости твердого диэлектрика.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/10/p50-56.pdf

Доп.точки доступа:
Соколова, М. В.

Найти похожие

15.

537.533/.534
Х 200

Характерная длина и время усиления лавины убегающих электронов в сильных электрических полях [Текст] / Е. В. Орешкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 17-26 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (18 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.533/.534

536.22/.23

ББК 22.338 + 22.365
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
убегающие электроны -- лавина убегающих электронов -- нарастание лавины -- экспоненциальное нарастание -- усиление лавины -- электрические поля -- сильные поля -- сильные электрические поля -- напряженность поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- воздух -- гелий -- давление воздуха -- давление гелия -- результаты расчетов -- разряды
Аннотация: С помощью метода Монте-Карло рассчитаны зависимости длины экспоненциального нарастания лавины убегающих электронов от напряженности электрического поля и давления воздуха и гелия. Результаты расчетов позволяют сделать вывод, что при равных значениях напряженности электрического поля длина и время экспоненциального нарастания лавины убегающих электронов уменьшаются при уменьшении давления и атомного номера газа, в котором происходит разряд.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p17-26.pdf

Доп.точки доступа:
Орешкин, Е. В.; Баренгольц, С. А.; Орешкин, В. И.; Чайковский, С. А.

Найти похожие

16.

539.21:537
Г 621

Голубев, О. Л.
Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера [Текст] / О. Л. Голубев, авт. В. А. Ивченко // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 20. - С. 63-68 : ил. - Библиогр.: с. 68 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
нановыступы -- наноразмерные выступы -- эмитирующие нановыступы -- локальные нановыступы -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- вольфрамовые эмиттеры -- эмитирующие поверхности -- термополевое воздействие -- электрические поля -- температура -- количество выступов -- напряженность поля
Аннотация: Описывается процедура направленного изменения количества эмитирующих наноразмерных выступов на поверхности полевого вольфрамового эмиттера. Суть процедуры состоит в том, что сначала посредством термополевого воздействия на эмиттер на его поверхности выращивается некое достаточно большое количество выступов, что не представляет, как правило, больших сложностей. Затем посредством процедуры контролируемого снижения величины напряженности приложенного электрического поля при определенной постоянной температуре эмиттера можно уменьшать количество выступов вплоть до единичного выступа на поверхности.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/20/p63-68.pdf

Доп.точки доступа:
Ивченко, В. А.

Найти похожие

17.

621.315.592
К 995

Кюрегян, А. С.
Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 372-378 : ил. - Библиогр.: с. 377-378 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
краевые каналы -- поверхностные токи -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- электрические поля -- напряженность поля -- поверхность фаски -- заряды -- МДП транзистор -- p-n-p структуры -- пороговое напряжение -- поверхностные утечки (физика) -- область пространственного заряда -- ОПЗ
Аннотация: Показано, что электрическое поле над поверхностью полупроводниковых приборов может оказаться достаточным для того, чтобы индуцировать краевые инверсионные каналы, если напряжение смещения велико, а плотность поверхностного заряда Q[s] мала. В этом случае краевая область приборов, содержащих p-n-p-структуру (например, тиристоров), функционирует как планарный p-канальный МДП транзистор, у которого затвор совмещен со стоком, а функцию подзатворного диэлектрика выполняет вся среда над поверхностью. Ток между истоком и стоком этого "краевого МДП транзистора" является током поверхностной утечки всего прибора. Построена аналитическая теория, описывающая вольт-амперную характеристику в подпороговом режиме. Показано, что этот новый механизм определяет полный ток утечки высоковольтных приборов, если |Q[s]| и температура T достаточно малы (|Q[s]|<4 нКл/см{2}, T<270 K для кремниевых и |Q[s]|<58 нКл/см{2}, T<600 K для карбид-кремниевых приборов).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p372-378.pdf

Найти похожие

18.

621.315.592
С 794

Степанов, Н. П.
Природа диамагнитного максимума в температурных зависимостях магнитной восприимчивости кристаллов твердых растворов (Bi[2-x]Sb[x])Te[3] (0 меньше X меньше 1) [Текст] / Н. П. Степанов, В. Ю. Наливкин, А. К. Гильфанов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1004-1011 : ил. - Библиогр.: с. 1010 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.21:537

ББК 31.233 + 22.373
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- магнитная восприимчивость -- кристаллы -- твердые растворы -- СКВИД-магнетометры -- диамагнитная восприимчивость -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- энергетические спектры -- легкие диамагнитные дырки -- диамагнитные дырки -- дырки -- плазменные колебания -- температурные изменения -- носители заряда -- напряженность поля -- магнитные поля -- экспериментальные результаты -- анализ результатов
Аннотация: Исследованы температурные зависимости магнитной восприимчивости chi кристаллов твердых растворов (Bi[2-x]Sb[x]) Te[3] (0 меньше X меньше 1) на СКВИД-магнетометре в диапазоне температур от 2 до 400 K, при параллельной и перпендикулярной ориентациях вектора напряженности магнитного поля H по отношению к тригональной оси кристалла C3 ( H || C[3] и H normal C[3]). Обнаружено увеличение диамагнитной восприимчивости образцов с x=0. 2 (Bi[1. 8]Sb[0. 2]Te[3]), x=0. 5 (Bi[1. 5]Sb[0. 5]Te[3]) в диапазоне от 50 K до температур, предшествующих наступлению собственной проводимости (250 K). Установлено, что диамагнитный максимум проявляется в том же температурном диапазоне, в котором наблюдается аномальное увеличение коэффициента Холла. Показано, что природа диамагнитного максимума связана с непараболичностью энергетического спектра легких диамагнитных дырок, уменьшение концентрации которых сопровождается уменьшением их эффективных масс, что обеспечивает увеличение диамагнитной восприимчивости с ростом температуры. Полученные результаты подтверждаются динамикой температурного изменения резонансной частоты плазменных колебаний свободных носителей заряда.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1004-1011.pdf

Доп.точки доступа:
Наливкин, В. Ю.; Гильфанов, А. К.

Найти похожие

19.

621.315.592
К 321

Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al[0.3]Ga[0.7]N/Al[0.4]Ga[0.6]N c различной морфологией [Текст] / Е. А. Шевченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1022-1026 : ил. - Библиогр.: с. 1026 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантово-размерный эффект Штарка -- КРЭШ -- Штарка квантово-размерный эффект -- квантовые ямы -- КЯ -- напряженность поля -- электрические поля -- буферные слои -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- плазменная активация -- азот -- фотолюминесценция -- ФЛ -- твердые растворы -- гетероструктуры -- AlGaN -- трехмерная локализация
Аннотация: Оцениваются величины напряженности электрического поля в квантовых ямах Al[0. 3]Ga0. 7N/Al[0. 4]Ga[0. 6]N, выращенных с использованием как трехмерного, так и планарного режимов роста буферных слоев методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Переход к трехмерному режиму роста приводит к существенному увеличению интенсивности фотолюминесценции квантовой ямы и сдвигу линии фотолюминесценции в коротковолновую сторону, что объясняется ослаблением квантово-размерного эффекта Штарка вследствие дополнительной трехмерной локализации носителей в слое квантовой ямы. Эффект локализации предположительно связан со спонтанными модуляциями состава твердого раствора AlGaN, увеличенными вследствие трехмерного режима роста.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1022-1026.pdf

Доп.точки доступа:
Шевченко, Е. А.; Жмерик, В. Н.; Мизеров, А. М.; Ситникова, А. А.; Иванов, С. В.; Торопов, А. А.

Найти похожие

20.

535.33
Э 455

Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.33

621.315.592

ББК 22.344 + 31.233
Рубрики: Физика
   Спектроскопия
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы.
The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf

Доп.точки доступа:
Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)