Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=метод рентгеновской дифракции<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-23

Эволюция структуры порошковой смеси Cu[60]Fe[40] при увеличении деформации [Текст] / З. А. Самойленко [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 88-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эволюция структуры -- порошковые смеси -- скомпактированные смеси -- деформация -- Cu[60]Fe[40] -- медь -- Cu -- железо -- Fe -- ГЦК-структуры -- ОЦК-структуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- термическая обработка -- деформационно-термическая обработка -- атомы -- атомный порядок -- критическая деформация -- наноструктуры -- наноструктуры деформационного происхождения -- формирование наноструктур -- кластеры -- материалы -- поликристаллические структуры -- ОЦК-фазы
Аннотация: Методом рентгеновской дифракции анализировали скомпактированную смесь Cu[60]Fe[40] на разных стадиях деформационно-термической обработки (e=0/ 7. 4). Показано, что изменение атомного порядка характеризуется существованием критической деформации, соответствующей e=4. 6, при которой происходит формирование наноструктур деформационного происхождения в виде кластеров ОЦК-фазы alpha-Fe размером порядка 200 Angstrem, когерентно связанных с поликристаллической ГЦК-структурой Cu, что представляет собой новый класс материалов.

Доп.точки доступа:
Самойленко, З. А.; Белоусов, Н. Н.; Ивахненко, Н. Н.; Пушенко, Е. И.

Найти похожие

Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Веттегрень, В. И.
Напряжения в полимерных кристаллах, вызываемые внутренней атомно-молекулярной динамикой [Текст] / В. И. Веттегрень, А. И. Слуцкер, В. Б. Кулик // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 1. - С. 198-205. - Библиогр.: с. 205 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
полимерные кристаллы -- метод рамановской спектроскопии -- метод рентгеновской дифракции -- полимерные молекулы -- динамические растягивающие напряжения -- межмолекулярные связи -- аморфно-кристаллические полимеры
Аннотация: Для кристаллов полиэтилена и полиамида-6 в области 5-500 K методами рамановской спектроскопии и рентгеновской дифракции измерены температурные зависимости динамических растягивающих напряжений на химических связях скелета цепных молекул и связях между молекулами. Установлена связь динамических напряжений с квантовыми характеристиками вибрационной динамики полимерных молекул. Определены вклады в напряжения от нулевых и тепловых колебаний молекул. Найдено, что динамические растягивающие напряжения на межмолекулярных связях при температурах плавления кристаллов приближаются к разрывной прочности этих связей.

Доп.точки доступа:
Слуцкер, А. И.; Кулик, В. Б.

Найти похожие

Мессбауэровские и рентгеновские исследования динамики фазовых превращений и подавления полиморфизма в соединении LaMn[1-x]Fe[x]O[3+дельта] (x = 0. 015 - 0. 5) [Текст] / В. Д. Седых [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 351-358. - Библиогр.: с. 358 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые превращения -- подавление полиморфизма -- манганит лантана -- примесь железа -- полиморфные превращения манганита -- метод рентгеновской дифракции -- метод мессбауровской спектроскопии
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и мессбауэровской спектроскопии исследовано влияние примеси железа на структурные превращения и подавление полиморфизма в соединении LaMn[1-x]Fe[x]O[3+дельта] (x = 0. 015 - 0. 5). Показано, что примесь железа активно влияет на полиморфные превращения манганита. При малом содержании примеси Fe (до 10 at. %) в пределах фазы P nma II происходит локальное формирование фазы P nma I. Обсуждаются механизмы подавления полиморфизма.

Доп.точки доступа:
Седых, В. Д.; Шехтман, В. Ш.; Дубовицкий, А. В.; Зверькова, И. И.; Кулаков, В. И.

Найти похожие

Ренгенодифракционные исследования особенностей атомной структуры сплава Fe-Si в альфа-области фазовой диаграммы [Текст] / Н. В. Ершов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 3. - С. 417-422. - Библиогр.: с. 422 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
железокремнистые сплавы -- метод рентгеновской дифракции -- неупорядоченный твердый раствор -- температура разупорядочения -- разупорядочивающее воздействие
Аннотация: Атомная структура сплавов Fe-Si с концентрацией кремния 5-8 at. % (альфа область фазовой диаграммы) исследовалась методом рентгеновской дифракции. Выяснено влияние закалки после отжига при температуре разупорядочения 850 градусов Цельсия на структурное состояние сплавов. Показано, что в закаленных образцах имеет место ближнее упорядочение: при 5-6 at. %Si локальный порядок B2-типа, а при 8 at. %Si дополнительно появляются кластеры D0[3]-фазы. Установлена атомная структура B2-кластеров и их ближайшего окружения.

Доп.точки доступа:
Ершов, Н. В.; Черненков, Ю. П.; Лукшина, В. А.; Федоров, В. И.

Найти похожие

Рентгенодифракционные исследования структуры нанокристаллов в магнитомягких сплавах Fe[73. 5]Si[13. 5]B[9]Nb[3]Cu[1] до и после термомеханической обработки [Текст] / Ю. П. Черненко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 3. - С. 514-519. - Библиогр.: с. 519 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- магнитомягкие сплавы -- метод рентгеновской дифракции -- поперечная магнитная анизотропия -- магнитная анизотропия -- термомеханическая обработка -- остаточная деформация нанокристаллов
Аннотация: Методом рентгеновской дифракции в геометрии на просвет исследована структура магнитомягкого сплава Fe[73. 5]Si[13. 5]B[9]Nb[3]Cu[1]. В исходном сплаве, полученном закалкой из расплава, наблюдается ближний порядок (около 2 nm) в расположении атомов, характерный для структуры Fe-Si с объемоцентрированной кубической решеткой. В сплаве, подвергнутом отжигу, возникают нанокристаллы Fe-Si, размер которых достигает 10-12 nm. При отжиге под растягивающей нагрузкой решетка нанокристаллов растягивается, а после охлаждения сохраняется значительная остаточная деформация. Это видно из относительных сдвигов пиков (hkl) в дифрактограммах, измеренных для двух ориентаций вектора рассеяния: параллельно и перпендикулярно направлению приложения нагрузки. Наблюдается анизотропия деформации: в пределах точности эксперимента искажений в направлении [111] не зафиксировано, а в направлении [100] они максимальные. Известно, что кристаллы, близкие по составу к Fe[3]Si, имеют отрицательную магнитострикцию, т. е. намагниченность в них под действием нагрузки (эффект Виллари), приложенной вдоль [100], наводится в перпендикулярном ей направлении, вдоль одной из легких осей намагничивания: [010] или [001]. Ориентация осей нанокристаллов в сплаве изотропна, а большая их часть по составу близка к Fe[3]Si. Направление намагниченности таких нанокристаллов задается остаточной деформацией их решетки и находится вблизи плоскости, перпендикулярной направлению приложения растягивающей нагрузки при термообработке. Именно это и является причиной возникновения поперечной магнитной анизотропии типа легкая плоскость в сплаве Fe[73. 5]Si[13. 5]B[9]Nb[3]Cu[1].

Доп.точки доступа:
Черненков, Ю. П.; Ершов, Н. В.; Федоров, В. И.; Лукшина, В. А.; Потапов, А. П.

Найти похожие

Изучение химического взаимодействия механохимически синтезированных нанокомпозитов Cu/Bi с жидким галлием [Текст] / Т. Ф. Григорьева [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 4. - С. 564-567. - Библиогр.: c. 567 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

^a543.4/.5

ББК 24.46/48
Рубрики: Химия
Физико-химические методы анализа
Кл.слова (ненормированные):
Cu/Bi -- диффузионно твердеющие составы -- жидкий галлий -- медь -- метод рентгеновской дифракции -- морфология -- нанокомпозиты -- фазовый состав
Аннотация: Исследованы фазовый состав и морфология диффузионно твердеющего состава, содержащего механокомпозит с наноразмерными металлами и жидкий галлий.

Доп.точки доступа:
Григорьева, Т. Ф.; Анчаров, А. И.; Ковалева, С. А.; Баринова, А. П.; Becker, K. D.; Sepelak, V.; Ляхов, Н. З.

Найти похожие

Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In[x]Ga[1-x]As [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1140-1146 : ил. - Библиогр.: с. 1146 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
релаксация (физика) -- кристаллические решетки -- эпитаксиальные пленки -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]As -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- металлические подрешетки
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры In[x]Ga[1-x]As/GaAs (100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x=0. 5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора In[x]Ga[1-x]As, представляет собой соединение InGaAs[2] со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Садовников, С. И.
Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца [Текст] / С. И. Садовников, Н. С. Кожевникова, А. А. Ремпель // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1394-1400 : ил. - Библиогр.: с. 1400 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a544.22

ББК 24.52
Рубрики: Химия
Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- кристаллические структуры -- структуры -- оптические свойства -- нанокристаллические пленки -- сульфид свинца -- PbS -- химическое осаждение -- стеклянные подложки -- пленки
Аннотация: Методом рентгеновской дифракции изучена кристаллическая структура пленок сульфида свинца (PbS), полученных химическим осаждением на стеклянную подложку. Толщина синтезированных пленок ~120 нм, размер областей когерентного рассеяния ~ (70-80) нм, величина микронапряжения ~0. 20%. Установлено, что синтезированные пленки PbS и те же пленки, отожженные в интервале температур 293-423 K, имеют кубическую (пр. гр. Fm3m) кристаллическую структуру D0[3], отличающуюся от структуры B1, характерной для крупнозернистого PbS. В кубической структуре нанопленок PbS реализуется скрытое нестехиометрическое распределение атомов S и вакансий по октаэдрическим позициям 4 ( b) и тетраэдрическим позициям 8 ( c). В диапазоне длин волн 200-3270 нм измерено оптическое пропускание нанокристаллических пленок PbS. Наиболее заметное изменение пропускания наблюдается в области длин волн от 700-800 до 1600-2000 нм (энергии фотонов от ~1. 8 до ~0. 7 эВ). Установлено, что ширина запрещенной зоны составляет 0. 83-0. 85 эВ, т. е. больше ширины зоны монокристаллического PbS, равной 0. 41 эВ.

Доп.точки доступа:
Кожевникова, Н. С.; Ремпель, А. А.

Найти похожие

10.

546
П 535

Получение плотной керамики однофазного майенита (Ca[12]Al[14]O[32]) O [Текст] / А. С. Толкачева [и др.] // Журнал прикладной химии. - 2011. - Т. 84, вып. 6. - С. 881-886. - Библиогр.: c. 885-886 (33 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

546

ББК 24.12
Рубрики: Химия
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
майенит -- метод рентгеновской дифракции -- наноразмерная пористость -- однофазные материалы -- окислы алюминия -- плотные керамики -- самораспространяющийся высокотемпературный синтез -- твердофазный синтез
Аннотация: Исследована возможность синтеза майенита, имеющего собственную наноразмерную пористость, двумя методами: твердофазным синтезом и самораспространяющимся высокотемпературным синтезом.

Доп.точки доступа:
Толкачева, А. С.; Шкерин, С. Н.; Плаксин, С. В.; Вовкотруб, Э. Г.; Буланин, К. М.; Кочедыков, В. А.; Ординарцев, Д. П.; Гырдасова, О. И.; Молчанова, Н. Г.

Найти похожие

11.

544.72
G 17

Gang Li
Synthesis of well-aligned carbon nanotubes on the NH[3] pretreatment Ni catalyst films [Текст] / Gang Li // Журнал физической химии. - 2010. - Т. 84, N 9. - С. 1712-1717. - Библиогр.: c. 1717 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

544.72

ББК 24.58
Рубрики: Химия
Физическая химия поверхностных явлений
Кл.слова (ненормированные):
метод просвечивающей электронной микроскопии -- метод рентгеновской дифракции -- нанотрубки углерода -- осаждение паров -- поверхности каталитических металлов -- рентгеновский анализ -- углеродные нанотрубки -- энергия дисперсионного спектра
Аннотация: Well aligned multi-walled carbon nanotubes (CNT[s]) have been synthesized on large area Ni-deposited SiO[2]/Si substrates via the pyrolysis of C[2]H[2] using thermal chemical vapor deposition technique at 900 C. We concluded that NH[3] pretreatment was very crucial to control the surface morphology of catalytic metals and thus to achieve the vertical alignment of CNT[s]. With higher density of the Ni particles, better alignment of the CNT[s] can be obtained due to steric hindrance effect between neighboring CNT[s]. The degree of crystallization of the CNT[s] enhanced with the increase of the NH[3] pretreatment time was investigated by X-ray diffraction and transmission electron microscope studies. Energy dispersive X-ray spectrum analysis revealed that CNT[s] grew by a tip growth mechanism.

Найти похожие

12.

621.315.592
С 873

Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]/ GaAs(100) [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 739-750 : ил. - Библиогр.: с. 749-750 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
структурные особенности -- твердые растворы -- МОС-гидридные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- поверхность гетероструктур -- кристаллические решетки -- рентгеноструктурные исследования -- эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- ФЛ
Аннотация: Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z], выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p739-750.pdf

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Леньшин, А. С.; Смирнов, М. С.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

13.

539.2
Ф 815

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1182-1187 : ил. - Библиогр.: с. 1186 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37 + 535.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- структурные свойства -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- имплантация ионами -- ионы кремния -- обратное резерфордовское рассеяние -- рассеяние протонов -- аморфные слои -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- Si -- кремний -- дефекты -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- ионная имплантация
Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1182-1187.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Кютт, Р. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Афросимов, В. В.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

14.

621.315.592
О-754

Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb [Текст] / К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 788-793 : ил. - Библиогр.: с. 792 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магнитные полупроводники -- твердые растворы -- GaInAsSb -- лазерное осаждение -- метод лазерного осаждения -- атомы марганца -- марганец -- эпитаксиальные слои -- гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- вторичные ионы масс-спектроскопии -- ВИМС -- метод вторичных ионов масс-спектроскопии -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- магнитные примеси -- магнитные свойства -- кристаллы -- напыление марганца -- решетки
Аннотация: Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga[0. 96]In[0. 04]As[0. 11]Sb[0. 89] вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn[3]As[2]. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn (Mn) AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p788-793.pdf

Доп.точки доступа:
Моисеев, К. Д.; Лесников, В. П.; Подольский, В. В.; Kudriavtsev, Yu.; Koudriavtseva, O.; Escobosa, A.; Sanchez-Resendiz, V.

Найти похожие

15.

539.2
Т 572

Тонкая структура и магнетизм кубического оксидного соединения Ni[0. 3]Zn[0. 7]O [Текст] / С. Ф. Дубинин [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 7. - С. 1292-1296. - Библиогр.: с. 1296 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кубические оксидные соединения -- тонкие структуры -- магнетизм -- метод магнитных измерений -- метод синхротронной дифракции -- метод рентгеновской дифракции -- спин-системы
Аннотация: Методами магнитных измерений, синхротронной и рентгеновской дифракции исследовались тонкая кристаллическая структура и спин-система кубического оксидного соединения Ni[0. 3]Zn[0. 7]O, полученного из исходной гексагональной фазы посредством закалки образца с высокой температурой и при наложении на него внешнего гидростатического давления. Обнаружено, что дифракционные картины этого соединения наряду с сильными брэгговскими пиками кубической фазы включают в себя систему слабых диффузных максимумов с волновыми векторами. Показано, что происхождение диффузных пиков обусловлено продольными и поперечными смещениями ионов относительно симметричных кристаллографических направлений типа {111}. Кратко обсуждаются причины смещения ионов и особенности устройства спин-системы сильно коррелированного оксидного соединения Ni[0. 3]Zn[0. 7]O.

Доп.точки доступа:
Дубинин, С. Ф.; Максимов, В. И.; Пархоменко, В. Д.; Соколов, В. И.; Баранов, А. Н.; Соколов, П. С.; Дорофеев, Ю. А.

Найти похожие

16.

539.2
С 873

Структура сплавов aльфa-FeSi с 8 и 10 аt.% кремния [Текст] / Н. В. Ершов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1813-1819. - Библиогр.: с. 1819 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомные структуры -- монокристаллические образцы -- сплавы -- метод рентгеновской дифракции -- кремний
Аннотация: Атомная структура монокристаллических образцов сплавов Fe[1-x]Si[x] (x=0. 08 и 0. 10) исследовалась методом рентгеновской дифракции. Показано, что в ОЦК решетке сплавов имеются кластеры с локальным упорядочением B2-типа, которые характерны для сплавов обедненного состава, x=0. 05-0. 06. Фаза Fe[3]Si (структура D0[3]) обнаружена при концентрациях x=0. 08 и 0. 10. Объемная доля областей фазы Fe[3]Si растет как с увеличением содержания кремния в сплаве Fe[1-x]Si[x], так и в процессе отжига образцов с данной концентрацией кремния при температуре 450 градусов C. На основании полученных результатов сделан вывод о том, что анизотропное распределение B2-кластеров, возникшее в процессе термомагнитной или термомеханической обработки, является ответственным за наведение и стабильность одноосной магнитной анизотропии в сплавах Fe[1-x]Si[x] (x=0. 05-0. 10).

Доп.точки доступа:
Ершов, Н. В.; Черненков, Ю. П.; Лукшина, В. А.; Федоров, В. И.

Найти похожие

17.

546
К 933

Курлов, А. С.
Вакуумный отжиг нанокристаллических порошков WC / А. С. Курлов, авт. А. И. Гусев // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 7. - С. 781-791 : 7 рис. - Библиогр.: с. 791 (24 назв. ) . - ISSN 0002-337Х

УДК

546

669.017

ББК 24.12 + 34.2
Рубрики: Химия
   Химические элементы и их соединения
   Технология металлов
   Металловедение в целом
Кл.слова (ненормированные):
вакуумный отжиг -- отжиг -- нанокристаллические порошки -- метод рентгеновской дифракции -- электронная микроскопия -- карбид вольфрама -- твердые сплавы
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено влияние температуры вакуумного отжига на фазовый и химический состав, размер частиц и величину микронапряжений нанокристаллических порошков карбида вольфрама WC с частицами размером от 20 до 60 нм. Установлено, что вакуумный отжиг нанопорошков WC при tотж < 1400°C сопровождается их заметным обезуглероживанием и изменением фазового состава вследствие десорбции углерода с поверхности порошков в результате взаимодействия углерода с примесным кислородом. Отжиг приводит также к укрупнению частиц порошка за счет срастания агрегированных наночастиц и уменьшению микронапряжений.

Доп.точки доступа:
Гусев, А. И.

Найти похожие

18.

546
Л 877

Лушников, С. А.
Гидриды интерметаллического соединения СеNi[3] / С. А. Лушников, авт. Т. В. Филиппова // Неорганические материалы. - 2013. - Т. 49, № 4. - С. 347-351 : 2 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 351 (7 назв. ) . - ISSN 0002-337Х

УДК

546

ББК 24.12
Рубрики: Химия
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
гидриды -- интерметаллические соединения -- СеNi[3] -- метод рентгеновской дифракции -- синтез
Аннотация: В системе CeNi[3]-Н[2] при давлении водорода 5 МПа и температуре 273 К синтезирована гидридная фаза с содержанием водорода 5. 0 Н/ИМС. Синтезированный образец отличается высокой стабильностью и не выделяет водород при хранении на воздухе. Методом рентгеновской дифракции определены параметры решетки гидрида и при различных условиях синтеза.

Доп.точки доступа:
Филиппова, Т. В.

Найти похожие

19.

539.2
E 27

Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs / S. Corekci [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 810-814 : ил. - Библиогр.: с. 814 (37 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электроны -- подвижность электронов -- высокотемпературные структуры -- сапфировые подложки -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- микроструктурные эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные слои -- буферные слои -- подложки
Аннотация: Effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structure of a high-temperature AlN buffer on sapphire substrate have been studied by high-resolution x-ray diffraction and atomic force microscopy techniques. The buffer improves the micro structural quality of GaN epilayer and reduces approximately one order of magnitude the edge-type threading dislocation density. As expected, the buffer also leads an atomically flat surface with a low root-mean-square of 0. 25 nm and a step termination density in the range of 10{8} cm{-2}. Due to the high-temperature buffer layer, no change on the strain character of the GaN and AlGaN epitaxial layers has been observed. Both epilayers exhibit compressive strain in parallel to the growth direction and tensile strain in perpendicular to the growth direction. However, a high-temperature AlN buffer layer on sapphire substrate in the HEMT structure reduces the tensile stress in the AlGaN layer.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p810-814.pdf

Доп.точки доступа:
Corekci, S.; Ozturk, M. K.; Hongbo, Yu.; Cakmak, M.; Ozcelik, S.; Ozbay, E.

Найти похожие

20.

544.6
Ж 270

Жан, Л.
Улучшение электрохимического поведения LiFePO[4] с помощью восстановленного “in situ” гибкого графена / Л. Жан, авт. Х. Лиан // Электрохимия. - 2013. - Т. 49, № 10. - С. 1067-1071 . - ISSN 0424-8570

УДК

544.6

ББК 24.57
Рубрики: Химия
Электрохимия
Кл.слова (ненормированные):
литий-ионный аккумулятор -- композиты -- графен -- диспергированный графен -- метод рентгеновской дифракции
Аннотация: Для устранения недостатков, присущих LiFePO4 – весьма перспективному материалу для литий-ионных аккумуляторов, который синтезировали на графеновых слоях, – к нему добавляли в качестве проводящей добавки сильно диспергированный графен, восстановленный аскорбиновой кислотой в гидротермальных условиях. Приготовленные композиты LiFePO[4]/графен были охарактеризованы методами рентгеновской дифракции на порошках, растровой электронной микроскопии (SEM), спектроскопии электрохимического импеданса и гальваностатических кривых заряда–разряда. Полученные результаты показали, что по сравнению с обычными пластинками LiFePO[4] композиты отличаются прекрасными эксплуатационными качествами, благодаря наличию гибкой пористой проводящей сетки на основе графена. Мы полагаем, что этот несложный процесс открывает путь к дальнейшему улучшению эффективности запасания энергии.

Доп.точки доступа:
Лиан, Х.

Найти похожие

1-10 11-20 21-23

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)