Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=метод резерфордовского обратного рассеяния<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.
539.26
В 226

    Вахтель, В. М.
    Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn - Nb на кремнии [Текст] / В. М. Вахтель, Н. Н. Афонин [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 7. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
539.26
537.2
ББК 22.361 + 22.331
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Электростатика
Кл.слова (ненормированные):
Sn - Nb -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- резерфордовское обратное рассеяние -- обратное рассеяние -- тонкопленочные системы -- кремний -- цинк -- ниобий -- монокристаллический кремний -- магнетронное осаждение -- фотонный отжиг -- рентгенофазовый анализ -- растровая электронная микроскопия -- металлические пленки -- неразрушающий анализ
Аннотация: Экспериментально с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы фазообразования и взаимной диффузии в послойно осажденной на подложки монокристаллического кремния тонкопленочной системе Sn - Nb.


Доп.точки доступа:
Афонин, Н. Н.; Логачева, В. А.; Прибытков, Д. М.; Шрамченко, Ю. С.; Ховив, А. М.

Найти похожие
2.


   
    Комплекс КГ-MEIS НИИЯФ МГУ для исследования поверхностных и нанослойных структур [Текст] / П. Н. Черных [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 109-112
УДК
^a537
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанослои -- субнанослои -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- многослойные структуры -- экспериментальные комплексы -- КГ-MEIS
Аннотация: Для исследования поверхностных нано- и субнанослоев в НИИЯФ МГУ создан экспериментальный комплекс КГ-MEIS, который объединил в себе ускоритель КГ-500 и камеру MEIS, оснащенную тороидальным электростатическим анализатором с детектором на основе микроканальных пластин и специального позиционно-чувствительного коллектора. Данный экспериментальный комплекс позволит использовать метод спектроскопии ионов средней энергии, основанный на принципе резерфордовского обратного рассеяния, и исследовать поверхность образцов с разрешением порядка одного ангстрема. В работе дано описание узлов экспериментального комплекса, а также приведены результаты тестовых экспериментов.


Доп.точки доступа:
Черных, П. Н.; Иферов, Г. А; Куликаускас, В. С.; Черныш, В. С.; Чеченин, Н. Г.; Чуманов, В. Я.; НИИЯФ МГУ

Найти похожие
3.


   
    Исследование методом резерфордовского обратного рассеяния c каналированием ионов эффекта дальнодействия при облучении светом [Текст] / В. Л. Левшунова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 3. - С. 84-86. - Доклад на 18 Международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод резерфордовского обратного рассеяния -- каналирование ионов -- эффект дальнодействия -- облучение кристалла светом
Аннотация: Представлены результаты первых экспериментов по наблюдению эффекта дальнодействия методом резерфордовского обратного рассеяния с каналированием ионов при освещении кристалла кремния видимым светом.


Доп.точки доступа:
Левшунова, В. Л.; Менделева, Ю. А.; Похил, Г. П.; Тетельбаум, Д. И.; Черных, П. Н.

Найти похожие
4.
621.78
С 667

   
    Состав и нанотвердость покрытий на Si, полученных методом ионно-ассистированного осаждения [Текст] / И. С. Ташлыков [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2011. - N 1. - С. 66-70 . - ISSN 0015-3214
УДК
621.78
ББК 34.65
Рубрики: Машиностроение
   Упрочнение металлов
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- композиционный состав покрытий -- метод ионно-ассистированного осаждения -- ионно-ассистированные осаждения -- нанотвердость покрытий -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- резерфордовское обратное рассеяние -- метод РОР -- титан -- молибден
Аннотация: Методом резерфордовского обратного рассеяния c компьютерным моделированием экспериментальных спектров исследован композиционный состав покрытий C, Ti, Zr и Mo на Si, полученных методом ионно-ассистированного осаждения. Показано, что в состав покрытий кроме основного компонента входят элементы остаточной атмосферы вакуумной камеры (C, H, O) и Si из подложки. Нанотвердость тонкого (50 нм) поверхностного слоя покрытий в 3-9 раз выше, чем исходного кремния.


Доп.точки доступа:
Ташлыков, И. С.; Барайшук, С. М.; Тульев, В. В.; Гременок, В. Ф.

Найти похожие
5.
535
К 887

    Кудоярова, В. Х.
    Исследование состава, структуры и оптических свойств пленок a-Si[1-x]C[x]:H(Er), легированных эрбием из комплексного соединения Er(pd)[3] / В. Х. Кудоярова, В. А. Толмачев, Е. В. Гущина // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 353-359 : ил. - Библиогр.: с. 359 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
535
ББК 22.34
Рубрики: Физика
   Оптика в целом
Кл.слова (ненормированные):
резерфордовское обратное рассеяние -- РОР -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- обратное резерфордовское рассеяние -- ОРР -- инфракрасная спектроскопия -- ИК спектроскопия -- метод инфракрасной спектроскопии -- метод эллипсометрических исследований -- эллипсометрические исследования -- метод атомно-силовой микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- комплексные исследования -- аморфные пленки -- состав пленок -- структура пленок -- оптические пленки -- высокочастотное разложение -- смесь газов -- газы -- термическое распыление -- термораспыление -- углерод -- комплексное соединение -- газовые смеси -- оптические зоны -- инфракрасные спектры -- эллипсометрические спектры -- оптические константы -- многометрические модели -- тонкие слои -- окислы кремния -- спектральная эллипсометрия -- оптическое поглощение
Аннотация: Методами резерфордовского обратного рассеяния, инфракрасной спектроскопии, эллипсометрических исследований и атомно-силовой микроскопии проведено комплексное исследование состава, структуры и оптических свойств аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er). Технология получения аморфных пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er) сочетала в себе метод высокочастотного разложения смеси газов (SiH[4]) [a]+ (CH[4]) [b] и одновременное термическое распыление комплексного соединения Er (pd) [3]. Показано, что увеличение CH[4] в составе газовой смеси приводит к увеличению содержания углерода в исследуемых пленках, увеличению ширины оптической зоны E{opt}[g] от 1. 75 до 2. 2 эВ. В инфракрасных спектрах наблюдались изменения состава пленок a-Si[1-x]C[x]: H (Er), которые, в свою очередь, сопровождались изменениями оптических констант. Проведен анализ наблюдаемых эллипсометрических спектров с использованием многопараметрических моделей. В результате проведенного анализа делается вывод о том, что хорошее совпадение экспериментальных и расчетных спектров наблюдается при учете изменяющегося состава аморфных пленок, происходящего при изменении состава газовой смеси. Существование на поверхности исследуемых пленок тонкого (6-8 нм) слоя окисла кремния и справедливость использования двухслоевой модели в расчетах эллиптических измерений подтверждаются проведенными исследованиями структуры методом атомно-силовой микроскопии.
Complex study of composition, structure and optical properties of amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) was performed with means of Rutherford backscattering, IR spectroscopy, ellipsometry and AFM-technology for producing amorphous films of a-Si[1-x]C[x]: H (Er) included the method of high-frequency decomposition of gas mixture of (SiH[4]) [a] + (CH[4]) [b] and simultaneous thermal spraying of a complex compound Er (pd) [3]. It is shown that an increase of CH[4] in the gas mixture leads to an increase in carbon content in the studied films, increasing the width of the optical zone E{opt}[g] from 1. 75 to 2. 2 eV. Changes in the composition of the a-Si[1-x]C[x]: H (Er) films, which in turn were accompanied by changes in the optical constants in the IR spectra were observed. Analysis of the observed ellipsometric spectra using multivariable models was performed. The analysis concludes that good agreement between experimental and calculated spectra is observed, taking into account the changing composition of the amorphous films, which occurs when the gas mixture composition changing. The existence of a thin (6-8 nm) layer of silicon dioxide on the film surface, and justice of 2-layer model in the calculation of ellipsometric measurements are confirmed by the AFM studies.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p353-359.pdf

Доп.точки доступа:
Толмачев, В. А.; Гущина, Е. В.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)