Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=метод горизонтальной направленной кристаллизации<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Катодолюминесценция и сцинтилляционные характеристики кристаллов YAG: Ce, выращенных методом ГНК в защитной атмосфере [Текст] / С. В. Нижанковский [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 77-83 : ил. - Библиогр.: с. 83 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.374 + 22.375
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел

   Термодинамика твердых тел

Кл.слова (ненормированные):
результаты исследований -- спектры катодолюминесценции -- катодолюминесценция -- сцинтилляционные характеристики -- кристаллы -- YAG: Ce -- кристаллизация -- метод горизонтальной направленной кристаллизации -- метод ГНК -- ГНК метод -- защитная атмосфера -- технология выращивания кристаллов -- световыходы -- амплитудное разрешение -- alpha-излучение -- ионы -- полосы излучения -- УФ-области спектра -- ультрафиолетовые излучения -- антиузельные дефекты -- ультрафиолетовые области спектра
Аннотация: Представлены результаты исследований спектров катодолюминесценции и сцинтилляционных характеристик кристаллов YAG: Ce, полученных методом горизонтальной направленной кристаллизации в защитной атмосфере. Показано, что данная технология выращивания позволяет получать крупные кристаллы (110x150x35 mm) с высоким световыходом (15 000-18 000 Ph/MeV) и амплитудным разрешением 8-10% при возбуждении источником alpha-излучения{239}Pu (5. 15 MeV). Установлено, что спектры катодолюминесценции кристаллов, кроме интенсивной полосы 550 nm ионов Ce{3+}, содержат также полосу собственного излучения YAG в УФ-области спектра, обусловленную присутствием в кристаллах антиузельных дефектов Y[Al].


Доп.точки доступа:
Нижанковский, С. В.; Данько, А. Я.; Зеленская, О. В.; Тарасов, В. А.; Зоренко, Ю. В.; Пузиков, В. М.; Гринь, Л. А.; Трушковский, А. Г.; Савчин, В. П.

Найти похожие

2.
544.22
К 724


    Костомаров, Д. B.
    Взаимодействие в системе Mo - W - Al[2]O[3] при 2400 К и 100 Па [Текст] / Д. B. Костомаров, Х. C. Багдасаров, В. A. Федоров // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 2. - С. 189-193. - Библиогр.: с. 193 (18 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
УДК
ББК 24.52 + 24.532
Рубрики: Химия
   Химия твердого тела

   Термохимия

Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- окисление -- метод горизонтальной направленной кристаллизации
Аннотация: Рассмотрено поведение системы Mo- W - Al[2]O[3] при Т = 2400 К и p = 100 Па и определены основные химические реакции, приводящие к окислению Мо и W. Установлено, что в данных термодинамических условиях невозможно прямое взаимодействие между Mo, W и расплавом Al[2]O[3], при этом процессы окисления происходят опосредованно с участием компонентов газовой фазы.


Доп.точки доступа:
Багдасаров, Х. C.; Федоров, В. A.

Найти похожие

3.
539.2
О-627


   
    Оптическая однородность кристаллов Ti:сапфира, выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации / С. В. Нижанковский [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 11. - С. 1243-1246 : 5 рис. - Библиогр.: с. 1246 (10 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
метод горизонтальной направленной кристаллизации -- выращивание кристаллов -- горизонтальная направленная кристаллизация -- кристаллы Ti: сапфира -- оптическая однородность
Аннотация: Определены условия выращивания методом ГНК кристаллов Ti: сапфира с равномерным распределением активатора в защитных газовых средах различного состава и давления. Показана возможность получения методом ГНК крупных лазерных кристаллов Ti: сапфира высокой оптической однородности с искажением волнового фронта лямбда/5-лямбда/10.


Доп.точки доступа:
Нижанковский, С. В.; Кривоносов, Е. В.; Баранов, В. В.; Будников, А. Т.; Канищев, В. Н.; Гринь, Л. А.; Адонкин, Г. Т.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)