Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=инфракрасные диапазоны<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13

1-10 11-13

Тонкопленочные структуры PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si для монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Акимов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 88-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные структуры -- фотоприемные устройства -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- монолитные матричные фотоприемные устройства -- инфракрасные диапазоны -- ИК-диапазоны -- дальние ИК-диапазоны -- PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si
Аннотация: Впервые описано создание матричных фотоприемников форматом 288x 2 с размером элемента 25x 25 mum на основе структур PbSnTe : In/BaF[2]/CaF[2]/Si и приведены пороговые характеристики этих структур. Обнаружительная способность около 90% элементов составляет от 7. 2· 10{12} до 8. 7· 10{12} cm· Hz{0. 5}/W при T=21. 2 K. Разработанная технология открывает возможности создания монолитных матричных фотоприемных устройств дальнего ИК-диапазона.

Доп.точки доступа:
Акимов, А. Н.; Беленчук, А. В.; Климов, А. Э.; Качанова, М. М.; Неизвестный, И. Г.; Супрун, С. П.; Шаповал, О. М.; Шерстякова, В. Н.; Шумский, В. Н.

Найти похожие

Получение слоев изотопно-модифицированного кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 41-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (21 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

^a533.9

ББК 22.37 + 22.333
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- изотопно-модифицированный кремний -- слои кремния -- получение слоев кремния -- плазма -- метод плазмохимического осаждения -- тетрафторид кремния -- изотопно-модифицированный тетрафторид кремния -- газовые фазы -- изотопный состав -- изотопы -- аморфные структуры -- кислород -- содержание кислорода -- спектроскопия -- методы рамановской спектроскопии -- спектры пропускания -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- концентрация изотопов -- масс-спектрометрия -- метод вторичной ионной масс-спектрометрии -- распределение концентрации изотопов
Аннотация: Методом плазмохимического осаждения с использованием изотопно-модифицированного тетрафторида кремния были получены слои кремния, отличающиеся изотопным составом от природного распределения изотопов. Полученные слои обладают аморфной структурой и характеризуются значительным содержанием кислорода в своем составе. Образцы исследованы методами рамановской спектроскопии, изучен спектр пропускания в ИК-диапазоне и распределение концентрации изотопов по толщине слоя методом вторичной ионной масс-спектрометрии.

Доп.точки доступа:
Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Pohl, H. -J.; Годисов, О. Н.

Найти похожие

Лазер на кристалле Tm{3+} : YLiF[4] с резонансным отражателем [Текст] / А. А. Андронов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 6. - С. 46-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.371.8

^a621.382

ББК 32.86-5 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- лазеры -- резонансные отражатели -- использование резонансных отражателей -- кремний -- резонаторы -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- параметры генерации -- кремниевые пластины -- кремниевые отражатели -- схемы резонаторов -- диэлектрические зеркала -- Tm{3+} : YLiF[4]
Аннотация: Рассмотрена возможность использования резонансных отражателей на основе кремния в качестве зеркал резонаторов в лазерах среднего ИК-диапазона. Получена и исследована генерация в схеме Tm : YLF лазера с зеркалом резонатора на отражателе из кремниевых пластин. Проведено сравнение параметров генерации в схемах резонаторов с кремниевым отражателем и на диэлектрических зеркалах.

Доп.точки доступа:
Андронов, А. А.; Еремейкин, О. Н.; Савикин, А. П.; Шарков, В. В.; Яковлева, А. Г.

Найти похожие

Баширов, А.
Цифровой кодовый замок ИК ключом [Текст] / А. Баширов ; ред. и граф. И. Нечаев // Радио. - 2010. - N 1. - С. 32-33 : 5 рис., 1 фот., 2 табл.

УДК

^a004.35

ББК 32.973-04
Рубрики: Вычислительная техника
Устройства ввода-вывода
Кл.слова (ненормированные):
замки -- цифровые замки -- кодовые замки -- ключи -- ИК ключи -- ИК диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- схемы -- коды -- клавиатуры
Аннотация: В статье предложена схема кодового замка. Для открывания замка применен ключ, работающий в ИК диапазоне. Благодаря этому отпадает необходимость в установке внешней клавиатуры для набора кода.

Доп.точки доступа:
Нечаев, И. \, .\

Найти похожие

621.375
Ф 815

Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs[0. 88]Sb[0. 12]/InAsSbP для спектрального диапазона 2. 5-4. 9 mu m [Текст] / В. В. Шерстнев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 1. - С. 11-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (7 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- гетероструктуры -- спектральные диапазоны -- фоточувствительность -- комнатные температуры -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- спектры -- монохроматическая чувствительность -- токовая чувствительность -- темновые токи -- обратные токи -- обратные темновые токи -- обратные смещения -- дифференциальные сопротивления -- обнаружительная способность -- спектральная чувствительность
Аннотация: Созданы фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs[0. 94]Sb[0. 06]/ InAs[0. 88]Sb[0. 12]/InAsSbP/InAs с диаметрами фоточувствительной площадки 0. 3 mm, работающие при комнатной температуре в среднем ИК-диапазоне спектра 2. 5-4. 9 mum. Отличительной особенностью фотодиодов является токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра (lambda[max]=4. 0-4. 6 mum), достигающая значений 0. 6-0. 8 A/W, значение плотности обратных темновых токов (1. 3-7. 5) ·10{-2} A/cm{2} при напряжении обратного смещения 0. 2 V. Дифференциальное сопротивление в нуле смещения достигает величины 700-800 Omega. По нашим оценкам, обнаружительная способность фотодиодов в максимуме спектральной чувствительности составляет (5-8) · 10{8}cm· Hz{1/2}· W{-1}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/01/p11-17.pdf

Доп.точки доступа:
Шерстнев, В. В.; Старостенко, Д.; Андреев, И. А.; Коновалов, Г. Г.; Ильинская, Н. Д.; Серебренникова, О. Ю.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

539.21:534
К 180

Каманина, Н. В.
Особенности наноструктурированных покрытий при использовании лазерной технологии и ориентированных углеродных нанотрубок [Текст] / Н. В. Каманина, П. Я. Васильев, В. И. Студенов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 3. - С. 23-29 : ил. - Библиогр.: с. 29 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:534^V3

ББК 22.372
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Кл.слова (ненормированные):
наноструктурированные покрытия -- лазерные технологии -- нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- ориентированные нанотрубки -- ориентированные углеродные нанотрубки -- механическая прочность -- поверхностная прочность -- поверхностная механическая прочность -- прозрачность -- мягкие материалы -- УФ-диапазоны -- ультрафиолетовые диапазоны -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- полупроводники -- металлы -- пластики -- лазерная обработка -- электрические поля -- спектры пропускания
Аннотация: Рассмотрен вопрос о влиянии углеродных нанотрубок на поверхностную механическую прочность и прозрачность различных "мягких" материалов УФ- и ИК-диапазона, полупроводников, металлов, пластиков. Показаны перспективы использования лазерной обработки поверхности материалов и ориентированных в электрическом поле углеродных нанотрубок. Установлено увеличение поверхностной механической прочности материалов от 2 до 10 раз и изменение спектра пропускания на 2-10%.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/03/p23-29.pdf

Доп.точки доступа:
Васильев, П. Я.; Студенов, В. И.

Найти похожие

621.375
Г 124

Гаврилов, Г. А.
Предельная чувствительность фотоприемного устройства на основе фотодиодов A{3}B{5} среднего ИК-диапазона спектра [Текст] / Г. А. Гаврилов, Б. А. Матвеев, Г. Ю. Сотникова // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 50-57 : ил. - Библиогр.: с. 57 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотоприемные устройства -- фотодиоды -- предельная чувствительность -- пороговая чувствительность -- спектры -- шумы -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- трансимпедансные усилители -- усилительные элементы -- типы элементов -- динамическое сопротивление -- малошумящие усилители
Аннотация: Представлен анализ шумов фотоприемного устройства на базе фотодиода (ФД) среднего ИК-диапазона, выполненного по схеме трансимпедансного усилителя, и даны рекомендации по выбору типов усилительных элементов в зависимости от величины динамического сопротивления используемых фотодиодов. Показано, что современные малошумящие усилители позволяют реализовать потенциальную пороговую чувствительность фотоприемного устройства только с ФД, динамическое сопротивление которых более 50 Omega.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p50-57.pdf

Доп.точки доступа:
Матвеев, Б. А.; Сотникова, Г. Ю.

Найти похожие

621.371.8
М 801

Морозов, Ю. А.
Импульсный режим генерации разностной частоты в полупроводниковом двухчастотном лазере с вертикальным внешним резонатором [Текст] / Ю. А. Морозов, М. Ю. Морозов, И. В. Красникова // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 23. - С. 53-60 : ил. - Библиогр.: с. 59-60 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.371.8^V3

ББК 32.86-5
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовые приборы
Кл.слова (ненормированные):
лазеры -- двухчастотные лазеры -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые двухчастотные лазеры -- резонаторы -- внешние резонаторы -- вертикальные резонаторы -- вертикальные внешние резонаторы -- разностные частоты -- режимы генерации -- импульсный режим -- численный анализ -- параметры излучения -- инфракрасные диапазоны -- длины волн -- нелинейно-оптическое взаимодействие -- внутрирезонаторное нелинейно-оптическое взаимодействие -- выходная мощность -- кристаллы -- нелинейные кристаллы -- коэффициент поглощения
Аннотация: Проведен численный анализ параметров излучения среднего инфракрасного диапазона (с длиной волны ~ 17 mum), которое может быть получено в результате внутрирезонаторного нелинейно-оптического взаимодействия в полупроводниковом двухчастотном лазере с вертикальным внешним резонатором в импульсном режиме. Исследована зависимость пиковой выходной мощности излучения от длины нелинейного кристалла при различных значениях величины коэффициента поглощения.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/23/p53-60.pdf

Доп.точки доступа:
Морозов, М. Ю.; Красникова, И. В.

Найти похожие

621.382
К 888

Кудрик, Я. Я.
Влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность светодиодов InAsSb/InAs [Текст] / Я. Я. Кудрик, авт. А. В. Зиновчук // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 10. - С. 14-20 : ил. - Библиогр.: с. 20 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.382^V3

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- квантовая эффективность -- внутренняя квантовая эффективность -- ВКЭ -- токовая локализация -- влияние локализации -- исследования -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- модифицированные модели -- рекомбинационные коэффициенты -- ИК-светодиоды -- длинноволновые светодиоды -- падение эффективности -- InAsSb/InAs
Аннотация: Исследовано влияние токовой локализации на внутреннюю квантовую эффективность (ВКЭ) светодиодов InAsSb/InAs среднего инфракрасного (ИК) диапазона (lambda=3-5 mum). Расчет на основе модифицированной модели рекомбинационных коэффициентов показывает, что токовая локализация приводит к значительному уменьшению ВКЭ светодиодов. Эффект уменьшения становится особенно заметным в более длинноволновых светодиодах (23 % для lambda=3. 4 mum и 39 % для lambda=4. 2 mum). Представленные результаты свидетельствуют о том, что токовую локализацию необходимо принимать во внимание как один из дополнительных нетермических механизмов падения эффективности в ИК-светодиодах.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/10/p14-20.pdf

Доп.точки доступа:
Зиновчук, А. В.

Найти похожие

10.

539.19
М 152

Макаров, А. А.
Внутримолекулярное перераспределение колебательной энергии: от спектров высокого разрешения к динамике в реальном времени [Текст] / А. А. Макаров // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 10. - С. 1047-1080 : 18 рис., 7 табл. - Библиогр.: с. 1076-1080 (352 назв.) . - ISSN 0042-1294

ГРНТИ	29.29.25
УДК	539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
колебательная энергия -- внутримолекулярное перераспределение энергии -- многоатомные молекулы -- спектроскопические диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- колебательное возбуждение
Аннотация: Внутримолекулярное перераспределение колебательной энергии - фундаментальное явление, присущее многоатомной молекуле при достаточно высоком уровне колебательного возбуждения.

Найти похожие

11.

535.2/.3
G 30

Ge-Te-Se- и Ge-Te-Se-S-сплавы - новые материалы для акустооптических устройств ближнего, среднего и дальнего инфракрасных диапазонов / Л. А. Кулакова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1435-1439 : ил. - Библиогр.: с. 1439 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3

621.315.592

ББК 22.343 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
акустические свойства -- оптические свойства -- акустооптические свойства -- сплавы -- Ge-Te-Se -- Ge-Te-Se-S -- инфракрасные диапазоны -- оптические излучения -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- теллуридные сплавы
Аннотация: Исследованы оптические, акустические и акустооптические свойства новых сплавов систем Ge-Se-Te-S и Ge-Se-Te. Проведена оптимизация параметров с целью создания эффективного акустооптического материала, прозрачного в широком диапазоне длин волн (lambda=1. 5-18 мкм) инфракрасного спектра оптического излучения.
The models for ruling over oxide cover formation during the annealing processes are developed. The model approximations are based on experimental results obtained by studies of nanostructured layers formation during the diffusion annealing. The data on oxide phases composition variation with deviation from stoichiometry changing in initial lead chalcogenide are reported. The model approximations for possibility to change the thickness of cover oxide phases by annealing in iodine vapors are developed. It is shown that annealing in iodine vapors provides effective oxygen penetration into the grains that is necessary for luminescence efficiency growth.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1435-1439.pdf

Доп.точки доступа:
Кулакова, Л. А.; Мелех, Б. Т.; Грудинкин, С. А.; Данилов, А. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

12.

535.37
З-135

Зависимость концентрации носителей заряда от тока в инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами / М. Я. Винниченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1526-1529 : ил. - Библиогр.: с. 1529 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
инжекционные лазеры -- лазеры -- инфракрасные диапазоны -- квантовые ямы -- спектральные зависимости -- люминесценция -- спонтанная люминесценция -- токовая зависимость -- лазерная генерация -- носители заряда -- размерное квантование -- поглощение света -- свободные дырки -- волноводы -- арсенидгаллиевые структуры
Аннотация: В инжекционных лазерах среднего инфракрасного диапазона с квантовыми ямами InGaAsSb/InAlGaAsSb экспериментально исследованы спектральные зависимости интенсивности спонтанной люминесценции в допороговом режиме и в режиме лазерной генерации. По зависимости интегральной спонтанной люминесценции от тока определена токовая зависимость концентрации носителей заряда. Обнаружено отсутствие насыщения концентрации носителей заряда с током в режиме генерации стимулированного излучения. Показано, что это может быть связано с разогревом носителей заряда на нижних уровнях размерного квантования и с увеличением поглощения света свободными дырками в волноводе.
The current dependence of spontaneous luminescence in the injection infrared lasers with InGaAsSb/InAlGaAsSb quantum wells has been studied. The current dependence of carrier concentration was determined from the spectral dependence of integral spontaneous luminescence. The lack of concentration saturation with current has been observed in the lasing regime. We associate it with carrier heating in the quantum wells and with the increase of the light absorption related to free holes in the waveguide.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1526-1529.pdf

Доп.точки доступа:
Винниченко, М. Я.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Машко, М. О.; Балагула, Р. М.; Belenky, G.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет; State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA); State University of New York at Stony Brook (USA)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

13.

539.21:535
Ф 815

Фотонные кристаллы и брэгговские решетки для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра / А. А. Усикова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1595-1598 : ил. - Библиогр.: с. 1598 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:535

621.315.592

ББК 22.374 + 31.233
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
двумерные периодические структуры -- 2D периодические структуры -- периодические структуры -- структуры -- фотонные кристаллы -- метод контактной оптической фотолитографии -- контактная оптическая фотолитография -- оптические свойства -- брэгговские решетки -- излучатели -- светодиоды -- терагерцевое излучение -- ТГц излучение -- инфракрасные диапазоны -- ИК диапазоны -- терагерцевые диапазоны -- поверхностные плазмоны
Аннотация: Сообщается о способе создания двумерных периодических структур методом контактной оптической фотолитографии с использованием технологии инвертирования изображения. Рассмотрены оптические свойства полученных фотонных кристаллов и брэгговских решеток для излучателей среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра. Показана возможность увеличения интегральной мощности излучения светодиодов среднего инфракрасного диапазона. Определены требования к решеткам для вывода терагерцового излучения, обусловленного поверхностными плазмонами, возбуждаемыми в слоях узкозонных вырожденных полупроводников, обладающих аккумуляционным слоем.
The technique of fabrication of two-dimension periodic structures by means of contact optical photolithography with processing image reversal resist is reported. Optical properties of photonic crystals and Bragg gratings for mid-infrared and terahertz emitters are investigated. The possibility of integral radiation power increasing for mid-infrared LED is shown. The mechanism of terahertz emission in narrow-gap degenerate semiconductors with surface accumulation layer is investigated. Parameters of Bragg gratings for terahertz emission caused by surface plasmons in narrow-gap degenerate semiconductors with accomulation layer are estimated.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1595-1598.pdf

Доп.точки доступа:
Усикова, А. А.; Ильинская, Н. Д.; Матвеев, Б. А.; Шубина, Т. В.; Копьев, П. С.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород)

Найти похожие

1-10 11-13

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)