Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=выращивание пленок<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

539.2
С 895

Сукач, Г. А.
Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте [Текст] / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- выращивание пленок -- нитрид галлия -- оже-спектроскопия -- тонкие пленки -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности - избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700`C) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы - гексагональной

Доп.точки доступа:
Кидалов, В.В.; Котляревский, М.Б.; Потапенко, Е.П.

Найти похожие

539.2
С 302

Семенов, А. П.
Тонкие пленки углерода. I. Техника выращивания пучками заряженных частиц [Текст] / А. П. Семенов, И. А. Семенова // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 107 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
выращивание пленок -- ионные пучки -- распыление -- тонкие пленки -- углерод
Аннотация: Рассмотрим источник ионов и электронов на основе магнетронного разряда с холодным полым и неохлаждаемым стержневым катодами с улучшенными физическими и общетехническими характеристиками.

Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-98. html. ru

Доп.точки доступа:
Семенова, И. А.

Найти похожие

539.2
С 302

Семенов, А. П.
Тонкие пленки углерода. II. Строение и свойства [Текст] / А. П. Семенов, А. Ф. Белянин [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 104 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- выращивание пленок -- ионные пучки -- распыление -- рентгенофазовый анализ -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- тонкие пленки -- углерод -- электронные пучки
Аннотация: Исследованы процессы выращивания тонких пленок углерода различных структурных модификаций распылением графита ионным пучком и воздействием на структуру углеродного конденсата либо электронным, либо ионным пучками при низких температурах и давлениях. Изучены фазовый состав, строение, морфология поверхности и автоэмиссионные свойства полученных тонких пленок методами рентгенофазового анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния света и атомно-силовой микроскопии.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-101.html.ru

Доп.точки доступа:
Белянин, А. Ф.; Семенова, И. А.; Пащенко, П. В.; Барнаков, Ю. А.

Найти похожие

Выращивание пленок (InSb) [1-x] (Sn2) [x] на арсенид-галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 970-977 : ил. - Библиогр.: с. 976-977 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- выращивание пленок -- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] -- твердые растворы -- подложки -- арсенид-галлиевые подложки -- GaAs -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- ЖФЭ -- рентгенограммы -- спектральные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- непрерывные твердые растворы -- НТР -- структурные исследования -- гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- фоточувствительность гетероструктур
Аннотация: Показана возможность выращивания монокристаллического твердого раствора замещения (InSb) [1-x] (Sn2) [x] (0< x< 0. 05) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-GaAs-p- (InSb) [1-x] (Sn2) [x] при различных температурах. Определены параметры решетки твердого раствора (InSb) [1-x] (Sn2) [x]. Обнаружено, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики таких структур при малых напряжениях (до 0. 7 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0] exp (qV/ckT), а при больших (V>0. 9 В) имеется участок сублинейного роста тока с напряжением V~ V[0] exp (Jad). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что произведение подвижности основных носителей на концентрацию глубоких примесей уменьшается с ростом температуры.

Доп.точки доступа:
Саидов, А. С.; Саидов, М. С.; Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П.

Найти похожие

536.42
Y 55

Yoffe, A.
Получение высококачественных покрытых металлом пироэлектрических пленок SrTiO[3] [Текст] / A. Yoffe, H. Cohen, В. Шелухин // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 1. - С. 136-138. - Библиогр.: c. 138 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
пироэлектрические пленки -- тонкие пленки -- квазиаморфные пленки -- выращивание пленок -- магнетронное распыление -- трехслойные пленки -- металлические покрытия -- магнетронные распылители -- 306 Edwards sputtering
Аннотация: Представлена процедура изготовления покрытых металлом квазиаморфных пироэлектрических тонких пленок SrTiO[3]. Пленки выращивались с использованием модифицированной установки магнетронного распыления "306 Edwards sputtering" при контролируемых тепловых условиях и стабилизированных с высокой точностью условиях вакуума и давления газов. Представлены результаты исследований трехслойных пленок (200 nm Металл-100 nm SrTiO[3]-100 nm Металл). Пироэлектрическая природа электрического отклика на нагрев в этих пленках может быть непосредственно установлена в связи с тем, что металлические контакты, изготовленные из одинаковых материалов, не вносили искажений в измерения, исключая тем самым возможность влияния на результаты измерений контактной разницы потенциалов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/01/p136-138.pdf

Доп.точки доступа:
Cohen, H.; Шелухин, В.

Найти похожие

621.375
П 799

Прозрачные и проводящие наноалмазные пленки, легированные бором [Текст] / Н. А. Феоктистов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 7. - С. 64-71 : ил. - Библиогр.: с. 70-71 (16 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
наноалмазные пленки -- прозрачные наноалмазные пленки -- проводящие наноалмазные пленки -- бор -- плазмохимическое осаждение -- микроволновое плазмохимическое осаждение -- метод микроволнового плазмохимического осаждения -- газовые фазы -- легирование -- кварцевые подложки -- режимы осаждения -- легированные пленки -- выращивание пленок -- нуклеационные слои -- наноалмазы -- детонационные наноалмазы -- алмазные фазы -- зародышеобразование -- центры зародышеобразования -- спектры -- метан -- газовые смеси -- метан-водород
Аннотация: Методом микроволнового плазмохимического осаждения из газовой фазы получены легированные бором наноалмазные (НА) пленки на кварцевой подложке. Показано, что использование режимов осаждения, обеспечивающих выращивание легированных НА-пленок, в совокупности с нанесением начального нуклеационного слоя детонационных наноалмазов с небольшой шероховатостью (<15 nm) и с большим числом центров зародышеобразования алмазной фазы на единицу площади (>10{10} cm{-2}), дает возможность получать прозрачные в УФ-видимой области спектра проводящие НА-пленки. Исследовано изменение их прозрачности и проводимости в зависимости от концентрации бора и содержания метана в газовой смеси метан-водород.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/07/p64-71.pdf

Доп.точки доступа:
Феоктистов, Н. А.; Грудинкин, С. А.; Рыбин, М. В.; Смирнов, А. Н.; Алексенский, А. Е.; Вуль, А. Я.; Голубев, В. Г.

Найти похожие

621.315.592
С 149

Саидов, А. С.
Выращивание пленок твердого раствора Ge[1-x]Sn[x] и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств [Текст] / А. С. Саидов, Ш. Н. Усмонов, У. П. Асатова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 8. - С. 1111-1119 : ил. - Библиогр.: с. 1118 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

544.22

ББК 31.233 + 24.52
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Химия
   Химия твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- ТР -- пленки растворов -- выращивание пленок -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- химические элементы -- зарядовые состояния -- растворы замещения -- рентгенограммы -- спектральная чувствительность -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетероструктуры -- энергия фотонов -- фотоны -- эпитаксиальные пленки -- экспериментальные результаты -- инжекция -- двойная инжекция -- омическая релаксация -- рекомбинационные комплексы -- структурные свойства -- фотоэлектрические свойства -- монокристаллические пленки
Аннотация: На основе химических элементов IV группы, исходя из зарядового состояния и близости ковалентных радиусов молекул растворобразующих компонентов, предсказана возможность образования твердых растворов замещения, таких как: Si[1-x]Ge[x], Si[1-x]Sn[x], (Si2) [1-x] (SnC) [x], Ge[1-x]Sn[x], (Ge[2]) [1-x] (SiSn) [x], (SiC) [1-x] (GeC) [x], (GeC) [1-x] (SnC) [x], (SiGe) [1-x] (SnC) [x]. Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения Ge[1-x]Sn[x] (0 меньше или равно x меньше или равно 0. 03) на подложках Ge методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, спектральная фоточувствительность и вольт-амперные характеристики полученных гетероструктур n-Ge-p-Ge[1-x]Sn[x]. Получены значения параметров решетки эпитаксиальной пленки af=5. 6812 Angstrem и подложки as=5. 6561 Angstrem. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-Ge-p-Ge[1-x]Sn[x] охватывает даиапазон энергии фотонов от 0. 4 до 1. 4 эВ. Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0. 5 В) описывается экспоненциальной зависимостью I=I[0]exp (qV/ckT), а при больших (V больше 0. 5 В) степенной зависимостью I пропорционально Valpha, со значениями: alpha=2 при V= (0. 5-0. 9) В, alpha=1. 3 при V= (0. 9-1. 4) В и alpha=2 при V больше 1. 4 В. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p-структуры с помощью дрейфового механизма переноса тока в режиме омической релаксации с учетом инерционности электронного обмена внутри рекомбинационного комплекса.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/08/p1111-1119.pdf

Доп.точки доступа:
Усмонов, Ш. Н.; Асатова, У. П.

Найти похожие

536.42
Б 140

Багамадова, А. М.
Влияние состава газа-носителя на электрические и люминесцентные свойства пленок оксида цинка, полученных методом CVD / А. М. Багамадова, Е. М. Зобов, А. К. Омаев // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 5. - С. 78-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
оксид цинка -- тонкие пленки -- фотолюминесценция -- газы-носители -- CVD метод -- эпитаксиальные слои -- дефектно-примесные структуры -- выращивание пленок -- центры излучательной рекомбинации -- излучательная рекомбинация -- зеленая полоса люминесценции -- сапфировые подложки
Аннотация: Исследованы электрические и люминесцентные свойства пленок оксида цинка, выращенных методом CVD на сапфировых подложках при использовании различных газов-носителей. Установлено, что использование в качестве газа-носителя водорода, кислорода и аммиака при выращивании пленок не приводит к существенному изменению дефектно-примесной структуры кристаллов. Только водород способен уменьшать концентрацию центров излучательной рекомбинации, ответственных за характерную для оксида цинка "зеленую" полосу люминесценции.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/05/p78-81.pdf

Доп.точки доступа:
Зобов, Е. М.; Омаев, А. К.; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН; Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАНИнститут физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН

Найти похожие

539.2
Э 717

Эпитаксиальный карбид кремния на 6-дюймовой пластине кремния / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 71-79 : ил. - Библиогр.: с. 78-79 (20 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- пленки -- кремниевые пластины -- твердофазная эпитаксия -- вращение -- спектральная эллипсометрия -- SEM-микроскопия -- рентгеновская дифракция -- метод комбинационного рассеяния -- эпитаксиальные слои -- кривые качания -- темплейты -- выращивание пленок -- полупроводники -- комбинационное рассеяние
Аннотация: Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWH[Momega-theta]) пластин варьируется в пределах от 0. 7{o} до 0. 8{o} при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p71-79.pdf

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Лукьянов, А. В.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А.

Найти похожие

10.

539.2
Б 825

Борисенко, И. В.
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках манганитов LaMnO[3], выращенных магнетронным распылением / И. В. Борисенко, М. А. Карпов, Г. А. Овсянников // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 1-7 : ил. - Библиогр.: с. 7 (9 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
манганиты -- эпитаксиальные пленки -- магнетронное распыление -- выращивание пленок -- высокое давление -- кристаллические структуры -- кубическая симметрия -- изоляторы -- диэлектрики -- орторомбические подложки -- механические напряжения -- резистивные свойства -- избыточный кислород -- катионы -- ионы -- переходные процессы
Аннотация: Обнаружено, что тонкие пленки манганита LaMnO[3], выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления при высоком давлении на подложках с кубической симметрией кристаллической структуры, испытывают переход металл-изолятор, в то время как для орторомбических подложек LaMnO[3] остается в диэлектрическом состоянии. Исследованы зависимости параметров этого перехода от величины и симметрии механических напряжений, возникающих при эпитаксиальном росте пленки LaMnO[3] на различных подложках. Исследована зависимость резистивных свойств пленок LaMnO[3] на подложке SrTiO[3] от их толщины. Показано, что наличие избыточного кислорода с замещением в системе катионов может существенно влиять на соотношение концентраций ионов Mn{4+}/Mn{3+} в пленке и приводить к появлению перехода металл-изолятор.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p1-7.pdf

Доп.точки доступа:
Карпов, М. А.; Овсянников, Г. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)