Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=аморфные пленки<.>)

Общее количество найденных документов : 54
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-54

539.2
И 206

Иванов, В. Е.
Перемагничивание аморфных пленок гадолиний-кобальт с радиальным градиентом магнитных свойств [Текст] / В. Е. Иванов, Г. С. Кондаурова // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 54 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
перемагничивание пленок -- аморфные пленки -- гадолиний -- кобальт
Аннотация: По наблюдениям доменной структуры и измерениям магнитооптических петель гистерезиса изучены интегральные характеристики процесса перемагничивания аморфной пленки гадолиний-кобальт с перпендикулярной анизотропией, обладающей радиальным градиентом магнитных свойств, вызванных пространственно-неоднородным тепловым полем. Найден простой способ моделирования процесса перемагничивания областей пленки, где движение доменной границы определяется только коэрцитивной силой. Показано, что в первом приближении локальные процессы перемагничивания происходят независимо и результирующая петля гистерезиса может быть получена сложением локальных петель гистерезиса.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-50.html.ru

Доп.точки доступа:
Кондаурова, Г. С.

Найти похожие

539.2
А 724

Антонец, И. В.
Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов, Е. Н. Карпушов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 106 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- металлические пленки -- отражение волн -- проводимость -- СВЧ волны -- тонкие пленки
Аннотация: Методом вакуумного осаждения на полимерной подложке выращены аморфные пленки серебра, меди, золота и железа толщиной 6-60 nm. Получены зависимости удельной проводимости и коэффициента отражения для СВЧ волн от толщины пленок и выявлена их связь.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-102.html.ru

Доп.точки доступа:
Котов, Л. Н.; Некипелов, С. В.; Карпушов, Е. Н.

Найти похожие

539.2
К 216

Карачинов, В. А.
Эффект самосопряженной перфорации аморфных слоев карбида кремния [Текст] / В. А. Карачинов, С. Б. Торицин, Д. В. Карачинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 97 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- карбид кремния -- самосопряженная перфорация -- травление пленок
Аннотация: Установлено, что пленки SiC на стеклянных подложках имеют аморфную структуру, обладают высокими изоляционными свойствами и хорошей механической прочностью. Интегральный коэффициент светопропускания пленок SiC в спектральном диапазоне lambda=0. 4-0. 7 mum зависит от их толщины. Обнаружен эффект самосопряженной перфорации пленок SiC при травлении их в плавиковой кислоте.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-96.html.ru

Доп.точки доступа:
Торицин, С. Б.; Карачинов, Д. В.

Найти похожие

621.37/.39
А 724

Антонец, И. В.
Электродинамические свойства тонких металлических пленок с различной толщиной и морфологией поверхности [Текст] / И. В. Антонец, Л. И. Котов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 10. - Библиогр.: с. 1250 (29 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитные волны -- аморфные пленки -- металлические пленки
Аннотация: Экспериментально исследован коэффициент отражения электромагнитных волн диапазона 8...12 ГГц от аморфных пленок меди и железа толщиной 6...350 нм. Показано, что значения удельной проводимости пленок более чем на два порядка меньше аналогичной величины для объемных материалов, причем наиболее вероятной причиной такого поведения является аморфный характер пленок.

Доп.точки доступа:
Котов, Л. И.; Некипелов, С. В.; Шавров, В. Г.; Щеглов, В. И.

Найти похожие

537.311.33
С 173

Самойленко, З. А.
Влияние электромагнитного облучения на фазовый состав кластеризованных пленок CN[x] [Текст] / З. А. Самойленко, Е. И. Пушенко [и др.] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 3. - С. 57-62. - Библиогр.: c. 62 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
электромагнитное облучение -- аморфные пленки -- фазовый состав -- кластеризованные пленки -- рентгеноструктурный анализ -- кластеры -- графит -- карбонитрид -- нитрид углерода -- алмазоподобные пленки -- алмаз
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа и спектроскопии видимого диапазона исследовано влияние электромагнитного облучения белым и ультрафиолетовым (УФ) светом на фазовый состав аморфных пленок CN[x]. Пленки имели разномасштабный атомный порядок в виде аморфных (30 Angstrem) кластеров графитовой фазы, кристаллических кластеров 50-100 Angstrem графитовой, алмазной и карбонитридной фаз и межкластерной среды с ближним атомным порядком 1-2 Angstrem. Показано, что облучение растущей поверхности пленок белым светом стимулирует рост мелких кластеров графитовой фазы. Облучение УФ светом подавляет развитие кластеров графитовой и карбонитридной фаз, стимулируя преимущественный рост (1. 5%) алмазной фазы. Показано, что изменение мезоскопического фазового состава пленок CN[x] вызывает изменение ширины запрещенной зоны для видимой области спектра от E[g]=0. 75 eV для пленок, облученных белым светом до E[g]=1. 75 eV при облучении слоев УФ-светом.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/03/p57-62.pdf

Доп.точки доступа:
Пушенко, Е. И.; Ивахненко, Н. Н.; Варюхин, В. Н.; Прудников, А. М.; Шалаев, Р. В.

Найти похожие

539.2
Г 130

Гаджиев, Э. Ш.
Кинетика фазовых превращений в аморфных пленках YbAs[4]S[7] [Текст] / Э. Ш. Гаджиев, авт. А. И. Мададзаде // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 96-98 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые превращения -- кинетика фазовых превращений -- аморфные пленки -- кристаллизация аморфных пленок -- уравнение Авраами-Колмогорова -- Авраами-Колмогорова уравнение
Аннотация: Методом кинематической электронографии исследована кинетика при кристаллизации аморфных пленок тройного соединения YbAs[4]S[7], полученных вакуумным осаждением на монокристалл NaCl. Показано, что кристаллизация аморфных пленок YbAs[4]S[7] описывается уравнением Авраами-Колмогорова.

Доп.точки доступа:
Мададзаде, А. И.

Найти похожие

539.2
Г 858

Гриценко, В. А.
Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния [Текст] / В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 7. - С. 727-737. - Библиогр.: с. 737 (30 назв. ) . - ISSN 0042-1294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
атомная структура -- нитриды кремния -- аморфные нестехиометрические оксиды -- аморфные пленки -- диэлектрики -- физические свойства соединений
Аннотация: Аморфные пленки оксида и нитрида кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами.

Найти похожие

621.3
К 887

Кудоярова, В. Х.
Фотолюминесценция и состав аморфных пленок As[2]Se[3], модифицированных комплексным соединением Er (thd) [3] [Текст] / В. Х. Кудоярова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, В. М. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 934-940 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
As[2]Se[3] -- аморфные пленки -- фотолюминесценция -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- редкоземельные элементы
Аннотация: Проведено исследование фотолюминесценции и состава аморфных пленок As[2]Se[3], модифицированных комплексным соединением Er (thd) [3]. Обнаружена полоса фотолюминесценции при 1. 54 мкм при комнатной тепературе, характерная для фотолюминесценции Er, находящегося в аморфных материалах. Методами ядерного микроанализа - обратного резерфордовского рассеяния и ядерных резонансных реакций - исследован состав аморфных тонких пленок As[2]Se[3], модифицированных комплекным соединением Er (thd) [3]. Определены зависимости концентраций ионов Er, кислорода и углерода от условий получения пленок. Показано, что увеличение концентрации Er в тонкой пленке происходит нелинейным образом при увеличении относительной концентрации исходного комплексного соединения. Кроме того, рост содержания Er в пленке сопровождается симбатным увеличением содержания таких легких элементов, как углерод и кислород. Сравнительный анализ результатов ядерного микроанализа и ИК-спектров позволил предположить, что при данном методе модифицирования As[2]Se[3] комплексным соединением Er (thd) [3] Er частично сохраняет локальное окружение комплексного соединения.

Доп.точки доступа:
Козюхин, С. А.; Цэндин, К. Д.; Лебедев, В. М.

Найти похожие

621.315.592
Г 130

Гаджиев, Э. Ш.
Электронографическое исследование параметров ближнего порядка в аморфных пленках Yb[1-x]Sm[x]As[2]S[4] [Текст] / Э. Ш. Гаджиев, авт. А. И. Мададзаде // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 608-610 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- структуры ближнего порядка -- радиальное распределение атомов
Аннотация: Получена кривая интенсивности рассеяния электронов в зависимости от угла рассеяния для аморфных пленок Yb[1-x]Sm[x]As[2]S[4]. Построена кривая радиального распределения атомов. Определены радиусы координационных сфер и парциальные координационные числа атомов в Yb[1-x]Sm[x]As[2]S[4].

Доп.точки доступа:
Мададзаде, А. И.

Найти похожие

10.

621.315.592
А 954

Ахмедов, Г. М.
Фазовый состав пленок системы Bi-S и формирование Bi[2]S[3] с различной субструктурой [Текст] / Г. М. Ахмедов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 129-130 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- висмут -- сера -- текстурированные пленки
Аннотация: Методом электронографии исследовано образование фаз в системе Bi-S. Показано, что при последовательном осаждении Bi и S независимо от порядка напыления, а также при одновременном испарении компонентов выделяется фаза состава Bi[2]S[3]. Образующиеся пленки при комнатной температуре аморфны. Аморфные тонкие слои Bi[2]S[3] стабильны при комнатной температуре и кристаллизуются в пределах ~423 K. Установлены условия формирования пленок состава Bi[2]S[3] с различной субструктурой.

Найти похожие

11.

537.6
И 201

Иванов, В. Е.
Визуализация неоднородных магнитных полей при помощи аморфных пленок гадолиний-кобальт [Текст] / В. Е. Иванов // Физика металлов и металловедение. - 2008. - Т. 105, N 5. - С. 485-491. - Библиогр.: с. 491 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3230

УДК

537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнитные поля -- неоднородные магнитные поля -- визуализация -- аморфные пленки -- гадолиний -- кобальт
Аннотация: Изучены конфигурации магнитной доменной структуры аморфных пленок гадолиний-кобальт с перпендикулярной анизотропией при действии пространственно-неоднородных магнитных полей рассеяния, создаваемых различными миниатюрными источниками.

Найти похожие

12.

539.2
К 172

Калинников, Г. В.
Свойства наноструктурных и аморфных пленок системы TiB[2] - B[4]C [Текст] / Г. В. Калинников, В. Н. Андриевский, В. Н. Копылов, D. Louzguine // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 360-364. - Библиогр.: с. 364 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктурные пленки -- аморфные пленки -- метод магнетронного нереативного распыления -- рентгеноаморфные образования
Аннотация: Исследовались свойства наноструктурных и рентгеноаморфных пленок системы TiB[2] - B[4]C, полученных с помощью метода магнетронного нереактивного распыления, в том числе с наложением внешнего дополнительного магнитного поля с индукцией до 0. 3 T. Методы электронно-микроскопического анализа на просвет, микродифракции и рентгенофазного анализа, а также атомно-силовой микроскопии и микродюрометрии использовались для изучения зерен, фазового состава, преимущественной текстуры, шероховатости и твердости напыленных пленок. Обсуждаются особенности фазовой диаграммы применительно к пленкам и влияния наложения магнитного поля на их свойства.

Доп.точки доступа:
Андриевский, В. Н.; Копылов, В. Н.; Louzguine, D.

Найти похожие

13.

Морфология и сопряжение нанокристаллов, растущих в аморфных пленках Cr-O и V-O при отжиге [Текст] / Багмут А. Г. [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 5-12. - Библиогр.: с. 12 [6 назв. ] . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.27

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- кристаллизация -- нанокристаллы -- отжиг
Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии определены основные морфологические типы нанокристаллов Cr[2]O[3] и V[2]O[3], а также их эволюция в процессе роста в кристаллизующихся аморфных лазерных конденсатах при отжиге. Пленки осаждали из лазерной эрозионной плазмы при распылении мишеней Сr и V в атмосфере кислорода. Отжиг осуществляли электронным лучом в колонне микроскопа. Установлены ориентационные соотношения при сопряжении кристаллов различных морфологических типов. Исследован процесс кристаллизации аморфных пленок с градиентом толщины. Выявлено проявление примесного и размерно-примесного эффекта стабилизации аморфного состояния.

Доп.точки доступа:
Багмут, А. Г.; Григоров, С. Н.; Жучков, В. А.; Колосов, В. А.; Косевич, В. М.; Мельниченко, Д. В.

Найти похожие

14.

Камзин, А. С.
Мессбауэровские исследования аморфных TbFeCo пленок для "перпендикулярной" магнитной записи информации [Текст] / А. С. Камзин, A. Morisako, X. Liu // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 23. - С. 21-26 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a544.72

ББК 24.58
Рубрики: Химия
Физическая химия поверхностных явлений
Кл.слова (ненормированные):
мессбауэровские исследования -- аморфные пленки -- магнетронное распыление -- магнитная запись информации
Аннотация: Методом магнетронного распыления получены (при различных давлениях аргона (P[Ar]) в камере ) аморфные пленки Tb[x]Fe[ (100-x-y) ]Co[y] толщиной ~200 nm.

Доп.точки доступа:
Morisako, A.; Liu, X.

Найти похожие

15.

Термодинамическое исследование биядерного комплекса пивалата самария Sm[2] (Piv) [6] (HPiv) [7] [Текст] / И. П. Малкерова [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 5. - С. 793-796 : рис. - Библиогр.: с. 796 (14 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a544

^a544.3

ББК 24.5 + 24.531
Рубрики: Химия
Физическая химия в целом
Химическая термодинамика
Кл.слова (ненормированные):
халькогениды -- полупроводники -- редкоземельные элементы -- аморфные пленки -- масс-спектрометрические методы
Аннотация: Проведено масс-спектрометрическое изучение состава газовой фазы и определены термодинамические характеристики процесса парообразования биядерного комплекса пивалата самария.

Доп.точки доступа:
Малкерова, И. П.; Алиханян, А. С.; Фомина, И. Г.; Доброхотова, Ж. В.

Найти похожие

16.

Микроэлектромеханические переключатели на основе аморфных алмазоподобных углеродных пленок [Текст] / В. А. Власенко [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 15. - С. 105-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (5 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
переключатели -- микроэлектромеханические переключатели -- пленки -- углеродные пленки -- алмазоподобные углеродные пленки -- аморфные алмазоподобные углеродные пленки -- аморфные пленки -- результаты исследований -- однокристальные микроэлектромеханические переключатели -- АПП -- электроды -- подложки (физика) -- арсенид галлия -- кремний -- сверхвысокие частоты -- коммутируемые сигналы -- потери сигналов -- высокие скорости переключений -- GaAs -- Si -- галлий -- Ga -- мышьяк -- As
Аннотация: Представляются результаты разработки и исследований однокристальных микроэлектромеханических переключателей (полная пара), подвижные элементы которых выполнены на основе высокоомных аморфных углеродных алмазоподобных пленок (АПП). Использование в RF MEMS переключателях АПП позволяет устранить эффекты "залипания" электродов, существенно понизить потери сигнала (до 100 dB), реализовать высокие скорости переключений (~ 10 ns) при сверхвысоких частотах коммутируемого сигнала (до 2 GHz на подложках из кремния и свыше 10 GHz на положках из арсенида галлия).

Доп.точки доступа:
Власенко, В. А.; Беляев, С. Н.; Ефимов, А. Г.; Ильичев, Э. А.; Маленкович, М. Д.; Немировский, В. Э.; Полторацкий, Э. А.; Горячев, А. В.; Попков, А. Ф.; Фролова, Г. В.; Шупегин, М. Л.

Найти похожие

17.

Грабчиков, С. С.
Микроструктура и магнитные свойства аморфных пленок сплавов кобальт-фосфор, полученных в условиях импульсного электролиза [Текст] / С. С. Грабчиков, О. И. Потужная // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 6. - С. 64-70

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- импульсный электролиз -- осаждение -- концентрационная область -- однородная мелкодисперсная сеточная микроструктура
Аннотация: Исследовано влияние импульсных режимов электролиза на микроструктуру и магнитные свойства аморфных пленок сплавов Со-Р. Показано, что осаждение в импульсном режиме позволяет расширить концентрационную область существования аморфной фазы и получить образцы с более однородной мелкодисперсной сеточной микроструктурой по сравнению с образцами, осажденными при постоянном токе. Модификация сеточной микроструктуры приводит к снижению величин коэрцитивной силы и поля насыщения аморфных пленок. Обсуждается возможный механизм зарождения и роста аморфных пленок в условиях импульсного электролиза, влияние его на характер сеточной микроструктуры.

Доп.точки доступа:
Потужная, О. И.

Найти похожие

18.

Воронков, Э. Н.
Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях [Текст] / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 953-956 : ил. - Библиогр.: с. 956 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
аморфные пленки -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- электрические поля -- сильные электрические поля -- электропроводность -- напряженность поля
Аннотация: Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 10{4} В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10{-2} см{2}/ (Вхс) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~ (10-30) нм.

Доп.точки доступа:
Козюхин, С. А.

Найти похожие

19.

Исмаилов, Д. И.
Образование фаз в пленках системы Ag-In-Se [Текст] / Д. И. Исмаилов, Н. К. Керимова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1153-1156 : ил. - Библиогр.: с. 1156 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фазы -- фазообразование -- фазовые переходы -- фазовые превращения -- пленки -- тонкие пленки -- аморфные пленки -- текстурированные пленки -- текстурированные пленки высокого совершенства -- Ag-In-Se -- осаждение компонентов -- кристаллизация
Аннотация: Методом электронографического структурного анализа исследованы процессы фазообразования и фазовых переходов в тонких слоях системы Ag-In-Se. Установлены фазы, образующиеся в начале процесса взаимодействия пленок, и фазовые превращения, происходящие во время отжига объектов в вакууме. Выявлено, что тонкие слои соединения состава AgInSe[2], формирующиеся в результате одновременного и последовательного осаждения компонентов, получаются аморфными, при этом кристаллизация приводит к образованию текстурированных пленок высокого совершенства.

Доп.точки доступа:
Керимова, Н. К.

Найти похожие

20.

Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия
Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-54

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)