Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Тетеркин, В. $<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
344
Т 37

    Тетеркин, В. (рецензент).
    Впервые на русском [Текст] / рец. В. Тетеркин // Азия и Африка сегодня. - 2006. - N 3. - С. 36-37. - Рец. на кн.: Касрилс Р. Вооружен и опасен : от подпольной борьбы к свободе. М.: Изд-во ИТРК, 2005. . - ISSN 0321-5075
УДК
344
ББК 67.401.212
Рубрики: Право--Военное законодательство--ЮАР--Южно-Африканская Республика--Южная Африка, 20 в. 80-е гг.
Кл.слова (ненормированные):
военная разведка -- разведка -- африканские страны -- страны -- апартеид -- борьба против апартеида -- рецензии -- международные организации -- биографии


Доп.точки доступа:
Касрилс, Ронни (начальник военной разведки АНК); АНКАфриканский национальный конгресс

Найти похожие
2.
621.3
И 428

    Икусов, Д. Г.
    Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях Cd[x]Hg[1-x]Te (x=0. 20-0. 23 [Текст] / Д. Г. Икусов, Ф. Ф. Сизов, С. В. Старый, В. В. Тетеркин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 134-139 . - ISSN 0015-3222
УДК
621.3
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- Cd[x]Hg[1-x]Te -- эпитаксиальные слои -- рекомбинация неравновесных носителей -- температурные зависимости фоточувствительности
Аннотация: На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях Cd[x]Hg[1-x]Te с x=0. 20-0. 23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. В то же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли-Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии.


Доп.точки доступа:
Сизов, Ф. Ф.; Старый, С. В.; Тетеркин, В. В.

Найти похожие
3.


    Сукач, А. В.
    Трансформация электрических свойств InAs p-n-переходов в результате ультразвуковой обработки [Текст] / А. В. Сукач, В. В. Тетеркин // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 11. - С. 67-75 : ил. - Библиогр.: с. 74-75 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
^a537
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрические свойства -- InAs -- электронно-дырочные переходы -- p-n-переходы -- УЗО -- ультразвуковая обработка -- проводники -- полупроводники -- повышенная проводимость -- дислокации -- область пространственных зарядов -- ОПЗ
Аннотация: Исследовано влияние высокочастотной (f=5 MHz) ультразвуковой обработки (УЗО) на электрические свойства плавных InAs p-n-переходов при температуре T=77 K. Установлено, что наиболее чувствительной к УЗО является туннельная компонента тока, предположительно связанная с каналами повышенной проводимости, локализованными около дислокаций. Менее чувствительной к УЗО оказалась компонента тока, определяемая рекомбинацией носителей в области пространственного заряда (ОПЗ), свободной от дислокаций. Обнаружена тенденция к восстановлению электрических параметров p-n-переходов при длительном хранении образцов в лабораторных условиях. Обсуждаются возможные модели влияния УЗО на электрические характеристики InAs p-n-переходов.


Доп.точки доступа:
Тетеркин, В. В.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)