Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Пащенко, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12

621.7
К 48

Клепиков, В. Ф.
Дистанционное нанесение покрытий сильноточным релятивистским электронным пучком [Текст] / В. Ф. Клепиков, А. В. Пащенко [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 3. - С. 24-28 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.7

621.9

ББК 34.63-5 + 30.68
Рубрики: Машиностроение--Станки и инструменты
Техника--Обработка материалов
Кл.слова (ненормированные):
электронные пучки; сильноточные электронные пучки; способы нанесения покрытий; релятивистские электронные пучки; подложки; материалы; наплавка материалов; сверхбыстрое охлаждение покрытий; образование неравновесных фаз; твердые холодные подложки
Аннотация: Описан способ покрытий, в котором наносимый материал покрытия под действием электронного пучка расплавляется и получает реактивный импульс в направлении подложки. Рассмотрены условия, при которых возможна равномерная наплавка материалов на подложку.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пономарев, А. Г.; Уваров, В. В.; Уваров, В. Т.; Шеремет, В. И.

Найти похожие

539.2
П 22

Пащенко, В. П.
Структура и свойства магниторезистивной керамики, толстой и тонкой пленки La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1-x]Fe[x]O[3+delta] [Текст] / В. П. Пащенко, Ю. Ф. Ревенко [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 11. - С. 105-111. - Библиогр.: c. 111 (36 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
магниторезистивная керамика; магниторезистивный эффект; манганит-лантан-стронциевые перовскиты; тонкие пленки; фазовые переходы
Аннотация: Рентгеноструктурным, ядерно-магнитно-резонансным (ЯМР) {55}Mn, резистивным и магнитным методами исследованы магниторезистивные керамические, толстопленочные и тонкопленочные образцы La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1-x]Fe[x]O[3+delta] (x=0 и 0. 04) . Установлено, что ромбоэдрически искаженная (R3c) перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные дефекты кластерного типа. Широкие асимметричные спектры ЯМР 55Mn подтвердили высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn{3+} и Mn{4+} и неэквивалентность их окружения, обусловленную высокой дефектностью и неоднородностью структуры. Легирование железом и повышение температуры отжига приводит к уменьшению температур фазовых переходов металл-полупроводник, ферро-парамагнетик и увеличению магниторезистивного эффекта. Низкополевой магниторезистивный эффект в низкотемпературной области (~100 K) в керамике и толстой пленке объяснен туннелированием на межкристаллитных границах. Анализ влияния железа и температуры отжига на энергию активации подтвердил вывод о сложном характере дефектности перовскитовой структуры и наличии нескольких механизмов активационных процессов.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/11/page-105.html.ru

Доп.точки доступа:
Ревенко, Ю. Ф.; Пащенко, А. В.; Прокопенко, В. К.; Шемяков, А. А.; Турченко, В. А.; Носанов, Н. И.; Волков, В. И.; Ищук, В. М.; Чуканова, И. Н.; Бажин, А. И.; Пащенко, В. В.

Найти похожие

Неустойчивость замедляющегося электронного потока, инжектированного в плоский диод [Текст] / А. В. Пащенко [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 24. - С. 83-89 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
электронные потоки -- плоские диоды -- дисперсионные уравнения
Аннотация: На основе точного решения системы неоднородных гидродинамических уравнений первого приближения теории устойчивости и экспериментального исследования изучена неустойчивость замедляющегося электронного потока, инжектированного в плоский диод. Получено дисперсионное уравнение, связывающее частоты и инкременты (декременты) возникающих электромагнитных колебаний с параметрами электронного потока и диода. Решение дисперсионного уравнения показывает, что в диоде, через который распространяется замедляющийся электронный поток, возникает не описанная ранее неустойчивость колебаний в СВЧ-диапазоне. Эта неустойчивость имеет место, когда в стационарном состоянии минимум потенциала в диоде не образуется. Экспериментально подтверждено возникновение неустойчивости колебаний с предсказанными теоретически частотами и инкрементами.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Залкинд, В. М.; Лонин, Ю. Ф.; Мележик, О. Г.; Романов, С. С.; Ситников, Д. А.; Тарасов, И. К.; Тарасов, М. И.; Шаповал, И. Н.; Новиков, В. Е.; Яцышин, В. А.

Найти похожие

Влияние Co на структурную и магнитную неоднородности, фазовые переходы и магниторезестивные свойства La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2-x]Co[x]O[3+ - дельта] [Текст] / А. В. Пащенко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1257-1262. - Библиогр.: с. 1261-1262 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитная неоднородность -- фазовые переходы -- магниторезестивный эффект -- ядерный магнитный резонанс -- ЯМР -- электронно-дырочный обмен
Аннотация: Рентгеновским, резистивным, магнитным (хи[ac], M, ЯМР{55}Mn) методами исследовали структуру и свойства магниторезестивной керамики La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2-x]Co[x]O[3+ - дельта] (х = 0-0, 3), спеченной при 1200 градусах. Образцы содержали ромбоэдрическую R3c перовскитовую (90%) и тетрагональную I4[1]/amd гаусманитовую (10%) фазы, параметры решетки которых уменьшались при повышении x. Реальная перовскитовая структура содержала точечные (анионные и катионные вакансии) и наноструктурные дефекты кластеризованного типа. Анализ асимметрично уширенных спектров ЯМР {55}Mn подтвердил высокочастотный электронно-дырочный обмен между Mn{3+} -Mn{4+} и локальную неоднородность их окружения другими ионами и дефектами как точечного, так и кластерного типа. Повышение содержания Co приводит к увеличению удельного сопротивления и магниторезестивного эффекта, уменьшению магнитной восприимчивости и температур фазовых переходов металл-полупроводник T[ms] и ферромагнетик T[c] вследствие нарушения обменных взаимодействий между Mn{3+} -Mn{4+} ионами кобальта, вакансиями и кластерами. Введение Co уменьшает ферромагнитную составляющую и энергию активации. Магниторезестивный эффект вблизи T[ms] и T[c] обусловлен рассеянием носителей заряда на внутрикристаллитных неоднородностях решетки, а низкотемпературный - туннелированием на межкристаллических границах.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Шемяков, А. А.; Кисель, Н. Г.; Прокопенко, В. К.; Ревенко, Ю. Ф.; Сильчева, А. Г.; Дьяконов, В. П.; Шимчак, Г.

Найти похожие

Влияние высокого давления с кручением на структуру, микронапряжения, ЯМР {55}Mn и магниторезистивные свойства нанопорошков La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta] [Текст] / А. В. Пащенко [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 55-62 : ил. - Библиогр.: с. 61-62 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
высокое давление -- рентгеноструктурный метод -- резистивный метод -- магнитный метод -- магниторезистивный метод -- низкотемпературная адсорбция -- метод низкотемпературной адсорбции -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- влияние высокого давления -- деформация кручения -- микронапряжения -- ЯМР -- ядерно-магнитный резонанс -- магниторезистивные свойства -- нанопорошки -- структуры -- нанопорошковые прессовки -- манганитоперовскиты -- нестехиометрические лантан-стронциевые манганитоперовскиты -- барическая обработка -- марганец -- ионы марганца -- магнитные состояния -- локальные валентные состояния -- удельное сопротивление -- коэрцитивные силы -- температура Кюри -- Кюри температура -- магниторезистивный эффект -- циклы кручения
Аннотация: Низкотемпературной адсорбцией Ar, электронной микроскопией, рентгеноструктурным, резистивным, магнитным (chi[ac], ЯМР {55}Mn) и магниторезистивным методами впервые исследовали влияние высокого давления (3 GPa) с деформацией кручения на структуру и свойства нанопорошковых прессовок нестехиометрических лантан-стронциевых манганитоперовскитов La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta]. Установлены закономерности влияния такой барической обработки на структуру, локальные валентные и магнитные состояния ионов марганца и неоднородность их окружения другими ионами и дефектами, на удельное сопротивление, микронапряжения; коэрцитивную силу, температуру Кюри и магниторезистивный эффект нанопорошковых прессовок La[0. 6]Sr[0. 3]Mn[1. 1]O[3+-delta]. Впервые обнаружено положительное влияние на магниторезистивный эффект нескольких циклов кручения под давлением.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Ревенко, Ю. Ф.; Спусканюк, В. З.; Касатка, Н. Г.; Турченко, В. А.; Шемяков, А. А.

Найти похожие

Дефектность наноструктуры, фазовые переходы, ЯРМ {55}Mn и магниторезестивные свойства керамики La{3+}[0. 7]Ca{2+}[0. 3-x]Sr{2+}[x]MnO[3+/-сигма] [Текст] / А. В. Пащенко [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 6. - С. 1127-1136. - Библиогр.: с. 1135-1136 (43 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
дефектность наноструктуры -- фазовые переходы -- магниторезестивный эффект -- электронно-дырочный обмен
Аннотация: Рентгеноструктурным, микроскопическим, резестивным, магнитным (хи, ЯМР {55}Mn) методами исследованы магниторезестивные керамические образцы La{3+}[0. 7]Ca{2+}[0. 3-x]Sr{2+}[x]MnO[3+/-сигма], спеченные при 1150 и 1350 градусов Цельсия. Установлены закономерности влияния состава на тип и параметры перовскитовой структуры, ее дефектность, кристаллическую пористую структуру, фазовые переходы металл-полупроводник и ферромагнетик-полупроводник, спектры ЯМР {55}Mn и магниторезестивный эффект. Построена магнитная фазовая диаграмма. Сделаны выводы о неоднородности распределения ионов и вакансий вокруг марганца, участвующего в высокочастотном электронно-дырочном обмене (Mn{3+} - Mn{4+}), наноструктурном расслоении перовскитовой структуры, содержащей анионные и катионные вакансии, концентрации которых и величина магниторезестивного эффекта уменьшаются, а параметры решетки и температуры фазовых переходов увеличиваются по мере замещения кальция стронцием.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Шемяков, А. А.; Пащенко, В. П.; Турченко, В. А.; Прокопенко, В. К.; Ревенко, Ю. Ф.; Медведев, Ю. В.; Эфрос, Б. М.; Левченко, Г. Г.

Найти похожие

347.243.8
П 226

Пащенко, А. В.
Правовой режим заготовки гражданами пищевых лесных ресурсов и сбора лекарственных растений [Текст] / А. В. Пащенко, авт. В. В. Хрешкова // Гражданин и право. - 2011. - N 3. - С. 75-83. - Библиогр. в сносках

УДК

347.243.8

ББК 67.407.2
Рубрики: Право
Лесное право
Кл.слова (ненормированные):
лекарственные растения -- сбор лекарственных растений -- дикоросы -- лесные отношения -- лесопользование для собственных нужд -- пищевые лесные ресурсы -- заготовка пищевых лесных ресурсов -- лесные ресурсы -- предпринимательская деятельность
Аннотация: Рассматривается правовой режим заготовки гражданами пищевых лесных ресурсов и сбора лекарственных растений как для удовлетворения собственных потребностей, так и с целью ведения предпринимательской деятельности.

Доп.точки доступа:
Хрешкова, В. В.

Найти похожие

539.2
В 586

Влияние сверхстехиометрического марганца на структуру, транспортные, магнитные и магниторезистивные свойства манганит-лантановых перовскитов (La[0.7]Ca[0.3])[1-x]Mn[1+x]O[3] [Текст] / В. П. Пащенко [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 11. - С. 43-48. - Библиогр.: c. 47-48 (33 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
марганец -- сверхстехиометрический марганец -- манганит-лантановые перовскиты -- керамика -- перовскитовые структуры -- вакансии -- наноструктурные кластеры -- наноструктурные неоднородности -- магниторезистивный эффект -- фазовые переходы -- удельное сопротивление -- энергия активации -- спектры ЯМР -- сверхобмен ионов -- магниторезистивный эффект -- дефектные структуры
Аннотация: Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР {55}Mn и магниторезистивным методами исследовали керамические образцы (La[0. 7]Ca[0. 3]) [1-x]Mn[1+x]O[3]. Концентрационные изменения параметра a кубической перовскитовой структуры и среднего ионного радиуса согласуются, если с ростом x повышается концентрация анионных, катионных вакансий и наноструктурных кластеров с Mn{2+} в A-позициях. Температуры фазовых переходов T[ms] и T[c] слабо зависят от x, а удельное сопротивление и энергия активации существенно уменьшаются вследствие изменения дефектности перовскитовой структуры. Анализ широких асимметричных спектров ЯМР {55}Mn свидетельствуют о высокочастотном электронном сверхобмене ионов Mn{3+}<->Mn{4+} и неоднородности их магнитных и валентных состояний вследствие неравномерности распределения ионов и дефектов, понижающих амплитудную резонансную частоту с ростом x. Магниторезистивный (MR) эффект вблизи фазовых переходов T[ms] и T[c], который существенно увеличивается с x, обусловлен влиянием магнитного поля на процесс рассеяния носителей заряда на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях дефектной перовскитовой структуры. Другой MR-эффект - в низкотемпературной области, вызванный туннелированием на мезоструктурных межкристаллитных границах, слабо уменьшается с ростом x. Установлена корреляция между содержанием сверхстехиометрического марганца, дефектностью перовскитовой структуры и величиной MR-эффекта.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/11/p43-48.pdf

Доп.точки доступа:
Пащенко, В. П.; Пащенко, А. В.; Прокопенко, В. К.; Ревенко, Ю. Ф.; Шемяков, А. А.; Сильчева, А. Г.

Найти похожие

530.1
С 873

Структурная и магнитная неоднородности, фазовые переходы, магниторезистивные и магниторезонансные свойства композиционной керамики La[0.7]Pb[0.3-x]Sn[x]MnO[3] [Текст] / В. П. Пащенко [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 3. - С. 572-581 : рис., табл. - Библиогр.: с. 580-581 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
композиционная керамика -- структурная неоднородность -- магнитная неоднородность -- фазовые переходы -- магниторезистивные свойства -- магниторезонансные свойства -- свойства -- керамика
Аннотация: Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, электронно-микроскопическим, магниторезистивным и ЯМР ({55}Mn, {139}La) -методами исследована композиционная керамика La[0. 7]Pb[0. 3-x]Sn[x]MnO[3].

Доп.точки доступа:
Пащенко, В. П.; Пащенко, А. В.; Прокопенко, В. К.; Ревенко, Ю. Ф.; Бурховецкий, В. В.; Шемяков, А. А.; Сильчева, А. Г.; Левченко, Г. Г.

Найти похожие

10.

539.2
С 873

Структура, фазовые переходы, ЯМР {55}Mn и магниторезистивные свойства La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2-y]Cr[y]O[3+дельта] [Текст] / А. В. Пащенко [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 2. - С. 289-294. - Библиогр.: с. 294 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновские методы -- резистивные методы -- магнитные методы -- лантан-стронциевые манганитоперовскиты -- манганитоперовскиты
Аннотация: Рентгеновским, резистивным, магнитными методами исследовали структуру и свойства лантан-стронциевых манганитоперовскитов La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2-y]Cr[y]O[3+дельта] (y=0-0. 3), спеченных при 1430 градусах C. Параметр ромбоэдрически искаженной перовскитной структуры уменьшается с ростом y. Реальная перовскитная структура содержит точечные (анионные, катионные вакансии) и наноструктурные дефекты кластерного типа. Анализ асимметрично уширенных спектров ЯМР {55}Mn подтвердил высокочастотный электронно-дырочный обмен Mn{3+}=

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Сильчева, А. Г.; Прокопенко, В. К.; Шемяков, А. А.; Ревенко, Ю. Ф.; Комаров, В. П.; Горбань, С. В.

Найти похожие

11.

539.2
Д 390

Дефектность кластеризованной перовскитовой структуры, фазовые переходы и магниторезистивные свойства керамики La[0.6]Sr[0.2]Mn[1.2-x]Ni[x]O[3±дельтa] (x = 0-0.3) [Текст] / А. В. Пащенко [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 720-729. - Библиогр.: с. 728-729 (41 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кластеризованные перовскитовые структуры -- фазовые переходы -- магниторезистивные свойства -- керамика
Аннотация: Рентгеноструктурным, магнитным, ЯМР 55Mn, резистивным и магниторезистивным методами исследованы керамические образцы La[0. 6]Sr[0. 2]Mn[1. 2-x]Ni[x]O[3±дельтa] (x = 0-0. 3) (0=< x=<0. 3). Установлены закономерности влияния состава на структуру и свойства нестехиометрических манганитоперовскитов. Ромбоэдрически искаженная перовскитовая структура содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные кластеры с Mn{2+} в A-позициях. Замещение ионов Mn{3+} ионами Ni{3+} приводит к уменьшению параметра решетки a и температур фазовых переходов T[c] и T[ms] вследствие нарушения сверхобменных взаимодействий между разновалентными ионами марганца Mn{3+} и Mn{4+}. Обнаруженный аномальный гистерезис при 77 K объяснен антиферромагнитным действием однонаправленной обменной анизотропии со стороны ферромагнитной матричной структуры на магнитные моменты сверхстехиометрического марганца Mn{2+], находящегося в наноструктурных плоскостных кластерах. Широкие асимметричные спектры ЯМР{55}Mn свидетельствуют о высокочастотном электронном сверхобмене ионов, неоднородности их окружения другими ионами, вакансиями, кластерами и о частичной локализации Mn{4+}. Определены поля сверхтонкого взаимодействия на ядрах{55}Mn. Установлены два типа магниторезистивного эффекта: один - вблизи T[c] и T[mc] - обусловлен рассеянием на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях, другой - в низкотемпературной области - туннелированием на межкристаллитных мезоструктурных границах. Фазовая диаграмма характеризует сильную взаимосвязь магнитных и электрических свойств в редкоземельных манганитах.

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Прокопенко, В. К.; Сильчева, А. Г.; Ревенко, Ю. Ф.; Шемяков, А. А.; Кисель, Н. Г.; Комаров, В. П.; Сычева, В. Я.; Горбань, С. В.; Погребняк, В. Г.

Найти похожие

12.

539.2
С 873

Структурная и магнитная неоднородность, фазовые переходы, ЯМР {55}Mn и магниторезистивные свойства La[0.6]Sr[0.3-x]Bi[x]Mn[1.1]О[3] / А. В. Пащенко [и др.]. // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, вып. 2. - С. 284-287 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294

ГРНТИ	29.19
УДК	539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
ЯМР -- висмутовые ферриты -- кобальтиты -- кристаллография в целом -- магнитная неоднородность -- магниторезистивные свойства керамики -- марганец -- металлооксидные материалы -- редкоземельные манганиты -- структурная неоднородность -- фазовые переходы
Аннотация: Исследованы структурные, резистивные, магнитные и магниторезистивные свойства керамики La[0. 6]Sr[0. 3-x]Bi[x]Mn[1. 1]О[3].

Доп.точки доступа:
Пащенко, А. В.; Пащенко, В. П.; Ревенко, Ю. Ф.; Прокопенко, В. К.; Мазур, А. С.; Турченко, В. А.; Бурховецкий, В. В.; Сильчева, А. Г.; Константинов, П. П.; Гуфан, Ю. М.; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины; Луганский национальный университет им. Т. Шевченко; Луганский национальный университет им. Т. Шевченко; Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета (Ростов-на-Дону)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)