Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Красильникова, Л. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

81
К 500

Клобуков, Е. В.
К итогам Международного конгресса русистов [Текст] / Е. В. Клобуков, И. В. Галактионова [и др.] // Вестник Московского университета. Сер.9, Филология. - 2001. - N4

ББК 81
Рубрики: Языкознание--Славянские языки
Кл.слова (ненормированные):
конгрессы -- обзоры -- язык иславянские -- язык русский
Аннотация: Обзор материалов Международного конгресса исследователей русского языка и русской литературы "Русский язык: исторические судьбы и современность", прошедшего 13-16 марта 2001г. на филологическом факультете МГУ.

Доп.точки доступа:
Галактионова, И.В.; Златоустова, Л.В.; Беликов, В.И.; Красильникова, Л.В.; Леденев, А.В.; Лозинская, Е.В.

Найти похожие

74.202+81
К 780

Красильникова, Л. В.
Обучение русскому языку иностранных филологов: вчера, сегодня и завтра [Текст] / Л. В. Красильникова // Вестник Московского университета. Сер.9, Филология. - 2001. - N6. - Библиогр.: с.242-244 (20 назв.)

ББК 74.202+81
Рубрики: Образование. Педагогика--Общее языкознание--Теория и методика обучения
Кл.слова (ненормированные):
лингводидактика -- методика преподавания -- язык русский для иностранцев -- языки иностранные

Найти похожие

808.2
А 861

Артемова, О. А.
Некоторые научные направления специальности "Русский язык как иностранный" [Текст] / О. А. Артемова, Л. В. Красильникова [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 9, Филология. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 59 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

808.2

ББК 81.2Рус
Рубрики: Языкознание--Русский язык
Кл.слова (ненормированные):
университеты -- научные направления -- лингвистика -- русский язык как иностранный -- лингводидактика -- функционально-коммуникативная грамматика -- фонетика -- методика преподавания -- психология обучения
Аннотация: Статья посвящена анализу основных лингводидактических направлений, являющихся фундаментом научно-методической работы кафедры русского языка для иностранных учащихся филологического факультета.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Лиеева, А. Г.; Одинцова, И. В.; Панков, Ф. И.; Московский государственный университет

Найти похожие

808.2
В 645

Вознесенская, И. М.
[Рецензия] [Текст] / И. М. Вознесенская // Мир русского слова. - 2004. - N 2. - Рец. на кн.: Красильникова Л. В. Уроки по русскому словообразованию для иностранных учащихся: Учеб. пособие / Л. В. Красильникова.- М.: Изд-во Моск. ун-та, 2001.- 55 с. . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

808.2

ББК 81.2Рус
Рубрики: Языкознание--Русский язык
Кл.слова (ненормированные):
русский язык как иностранный -- РКИ -- словообразование -- иностранные студенты -- рецензии

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.

Найти похожие

УДК

808.2

539.2
Ш 47

Шенгуров, В. Г.
Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире [] / В. Г. Шенгуров, Д. А. Павлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: с. 89 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксия; кремниевые слои; кремний; легирование; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; оптоэлектронные приложения; подложка; приложения; сапфир; сапфировая подложка; слои; сублимационная эпитаксия; фотолюминесценция; эпитаксия; эрбий
Аннотация: Обсуждаются возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии легированных эрбием кремниевых слоев на сапфировой подложке для оптоэлектронных приложений.

Доп.точки доступа:
Павлов, Д. А.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Шиляев, П. А.; Степихова, М. В.; Красильникова, Л. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

539.2
К 78

Красильникова, Л. В.
Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе [] / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 90-94. - Библиогр.: с. 94 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
газовые фазы; германий; гетероструктуры; кремний; легирование; люминесцентные свойства; люминесценция; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; свойства; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; фазы; эпитаксия; эрбий
Аннотация: Показано, что, используя методику сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа, можно создавать достаточно эффективные светоизлучающие эпитаксиальные структуры Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si.

Доп.точки доступа:
Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Светлов, С. П.; Гусев, О. Б.

Найти похожие

Ершова, Л. В.
Конференция "Текст: проблемы и перспективы. Аспекты изучения в целях преподавания русского языка как иностранного" [Текст] / Л. В. Ершова, Л. В. Красильникова // Вестник Московского университета. Сер. 9, Филология. - 2008. - N 3. - С. 185-193 . - ISSN 0201-7385

УДК

^a811.161.1

^a378

ББК 81.2Рус + 74.58
Рубрики: Языкознание--Россия--Москва, город, 21 в. нач.; 2007 г.
   Русский язык
   Образование. Педагогика
   Высшее профессиональное образование
Кл.слова (ненормированные):
конференции -- научно-практические конференции -- международные научно-практические конференции -- чтения -- университеты -- факультеты -- текст -- русский язык как иностранный -- преподавание русского языка как иностранного -- профессора -- речь -- разговорная речь -- художественные тексты -- разговорные тексты -- учебные тексты -- научные тексты -- инновации (педагогика) -- обучение -- электронные средства обучения -- фонетика -- практическая фонетика -- лингвистика -- учебные пособия
Аннотация: 22-24 ноября 2007 г. на филологическом факультете МГУ прошла IV Международная научно-практическая конференция "Текст: проблемы и перспективы. Аспекты изучения в целях преподавания русского языка как иностранного". Конференция была посвящена памяти профессора Галины Ивановны Рожковой (1921-1997), основоположника направления "русский язык как иностранный". В работе конференции приняло участие более 100 специалистов в области преподавания русского языка как иностранного из разных городов России, а также из 16 других стран мира.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Рожкова \г. И.\; МГУ им. М. В. Ломоносова \филологический факультет\; Московский государственный университет им. М. В. ЛомоносоваТекст: проблемы и перспективы. Аспекты изучения в целях преподавания русского языка как иностранного, международная научно-практическая конференция

Найти похожие

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода
Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

10.

Особенности механизмов возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si [Текст] / А. Н. Яблонский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1519-1522 : ил. - Библиогр.: с. 1522 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- эрбиевая фотолюминесценция -- межзонная фотолюминесценция -- эпитаксиальные структуры -- оптическое возбуждение -- спектры возбуждения -- длина волны -- экситоны -- свободные экситоны -- электронно-дырочная плазма -- ЭДП -- неравновесные носители заряда -- кремний -- Si -- Er/Si
Аннотация: Проведено исследование спектров возбуждения и кинетики эрбиевой фотолюминесценции, а также межзонной фотолюминесценции кремния в эпитаксиальных структурах Si : Er/Si в условиях интенсивного импульсного оптического возбуждения. Показано, что в спектрах межзонной фотолюминесценции в структурах Si : Er/Si в зависимости от мощности и длины волны возбуждающего излучения может наблюдаться как люминесценция свободных экситонов, так и сигнал, связанный с образованием электронно-дырочной плазмы. Обнаружено, что возникновение пика в спектрах возбуждения эрбиевой фотолюминесценции при большой мощности излучения накачки коррелирует с наблюдением перехода Мотта "экситонный газ-электронно-дырочная плазма". Продемонстрировано существенное влияние концентрации неравновесных носителей заряда в структурах Si : Er/Si на характерные времена нарастания эрбиевой фотолюминесценции.

Доп.точки доступа:
Яблонский, А. Н.; Андреев, Б. А.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Кузнецов, В. П.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

11.

Особенности спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1527-1532 : ил. - Библиогр.: с. 1531 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

^a536.42

ББК 22.37 + 22.375
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- эпитаксиальные слои -- гетерослои -- длина волны -- спектры возбуждения -- кинетические характеристики -- эрбиевая люминесценция -- дефектно-примесные комплексы -- запрещенные зоны -- твердые растворы -- релаксация (физика)
Аннотация: Проведено исследование люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si с релаксированным гетерослоем. По результатам совместных исследований спектров возбуждения и кинетики фотолюминесценции (ФЛ) выделены компоненты, вносящие преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в диапазоне длин волн 1. 54 мкм. Показано, что релаксация упругих напряжений в гетерослое Si[1-x]Ge[x]: Er слабо влияет на кинетические характеристики эрбиевой люминесценции и проявляется лишь в незначительном вкладе в люминесцентный отклик структур Si[1-x]Ge[x]: Er/Si дефектов и дефектно-примесных комплексов. В спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ выделены особенности, связанные с возможностью возбуждения редкоземельной примеси при энергиях, меньших ширины запрещенной зоны твердого раствора Si[1-x]Ge[x]. Показано, что в спектрах возбуждения эрбиевой ФЛ в структурах Si[1-x]Ge[x]: Er/Si в области длин волн 1040-1050 нм наблюдается пик, ширина которого зависит от ширины запрещенной зоны твердого раствора и степени его релаксации. Наблюдаемые особенности объясняются вовлеченностью в процесс возбуждения иона Er{3+} промежуточных уровней в запрещенной зоне твердого раствора Si[1-x]Ge[x]: Er.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Яблонский, А. Н.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

12.

539.21:535
М 744

Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. Н. Нагорных [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 12. - С. 63-66. - Библиогр.: c. 66 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

537.311.33

ББК 22.374 + 22.379
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы -- массивы нанокристаллов -- кремний -- диоксид кремния -- фотолюминесценция -- термоактивированные переходы -- экситоны
Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов Si в SiO[2], учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов Si в матрице SiO[2] найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/12/p63-66.pdf

Доп.точки доступа:
Нагорных, С. Н.; Павленков, В. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

13.

621.3
Г 441

Гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si (100), выращенные методом сублимации кремния в среде германа [Текст] / С. П. Светлов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 118-120. - Библиогр.: с. 120 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- методы выращивания гетероструктур -- методы сублимации структур -- электронные свойства структур
Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои Si/Si[1-x]Ge[x]: Er были выращены на подложках Si (100) при относительно низкой температуре 500 градусов Цельсия методом сублимации кремния в среде GeH[4].

Доп.точки доступа:
Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.; Шабанов, В. Н.; Денисов, С. А.; Красильник, З. Ф.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.

Найти похожие

14.

535.376
Л 947

Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

535.376

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты
Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа.

Доп.точки доступа:
Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

15.

530.145
О-627

Оптически активные центры иона Er{3+} в структурах Si/Si[1-x]Ge[x] в условиях сильного оптического возбуждения [Текст] / Л. В. Красильникова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 103-108. - Библиогр.: c. 108 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
лазеры на кремнии -- условия сильного оптического возбуждения -- оптически активные центры -- сигналы фотолюминесценции -- параметры гетерослоев -- послеростовый отжиг -- редкоземельные примеси
Аннотация: Представлены результаты исследований по созданию эффективного источника излучения на кремнии.

Доп.точки доступа:
Красильникова, Л. В.; Байдакова, Н. А.; Степихова, М. В.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)