Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Михайлов, А. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-23

528
Ж 246

Жалковский, Е. А.
Концепция создания геоинформационной структуры Российской Федерации [Текст] / Е. А. Жалковский, В. И. Лазарев, А. Н. Михайлов // Использование и охрана природных ресурсов в России. - 2004. - N 5 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ

УДК

528

ББК 26.1
Рубрики: Геодезия--Общие вопросы геодезии
Кл.слова (ненормированные):
геоинформационное пространство -- ГИС-инфраструктура -- концепции создания
Аннотация: Необходимость создания единого геоинформационного пространства Российской Федерации (ГИС-инфраструктуры) . Государственная политика и правовая основа формирования ГИС-инфраструктуры. Формирование, развитие, координация и использование. Обеспечение информационной безопасности. Международное сотрудничество.

Доп.точки доступа:
Лазарев, В. И.; Михайлов, А. Н.

Найти похожие

66
Х 84

Хосейни, Х.
Деформационные процессы в технологиях термоформования осесимметричных изделий из вязкоэластичных полимеров [] / Х. Хосейни, А. Н. Михайлов, М. С. Кузьмин, Б. В. Бердышев // Пластические массы. - 2005. - N 4. - С. 46-49. - Библиогр.: с. 49 (11 назв. ) . - ISSN 0554-2901

УДК

ББК 35
Рубрики: Химическая технология--Общие вопросы химической технологии
Кл.слова (ненормированные):
полимеры; вязкоэластичные полимеры; полимерные материалы; осесимметричные изделия; термоформование изделий; деформация изделий
Аннотация: Изучение технологии термоформования изделий из полимерных материалов, определяющихся протеканием реализующихся механических деформационных процессов. Эти процессы в значительной степени влияют на эксплуатационные свойства получаемой продукции.

Доп.точки доступа:
Михайлов, А. Н.; Кузьмин, М. С.; Бердышев, Б. В.

Найти похожие

539.2
Т 37

Тетельбаум, Д. И.
О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO (2 [] / Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 17-21. - Библиогр.: с. 21 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атмосфера; влажная атмосфера; воздух; высокотемпературный отжиг; ионно-синтезированные нанокристаллы; коалесценция; кремний; нанафотоника; нанокристаллы; окисляющая атмосфера; оксид кремния; отжиг; фотолюминесценция
Аннотация: Обнаружено, что при использовании оксида кремния, выращенного во влажной атмосфере, в спектре фотолюминесценции присутствует дополнительная полоса, наличие которой связывается с оболочкой, окружающей нанокристаллы. Данная полоса резко ослабляется при высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере (на воздухе) .

Доп.точки доступа:
Горшков, О. Н.; Касаткин, А. П.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Гапонова, Д. М.; Морозов, С. В.

Найти похожие

539.2
Т 35

Терехов, В. А.
Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO[2] [Текст] / В. А. Терехов, С. Ю. Турищев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 61-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- нанокристаллы -- кремний -- оксид кремния -- ионы кремния -- имплантация -- XANES-спектры -- электронное строение -- синхротронные исследования
Аннотация: Ионы кремния имплантировали в тонкие пленки оксида кремния, полученные термическим окислением кремниевых пластин во влажном кислороде. Набор дозы имплантации проводился либо однократно, либо циклически, и всякий раз после проведения имплантации образцы подвергались отжигу в сухом азоте. Вторая серия образцов отличалась технологией получения оксида, которая включала дополнительный отжиг на воздухе при 1100шС в течение трех часов. Ближняя тонкая структура рентгеновских спектров вблизи краев поглощения (XANES) была получена с помощью синхротронного излучения. Во всех SiL[2, 3]-спектрах наблюдались два края поглощения, первый из которых связан с элементарным кремнием, а второй - с матрицей SiO[2]. Тонкая структура первого указывает на возможность формирования нанокристаллического кремния nc-Si в матрице SiO[2], атомное и электронное строение которой зависит от технологии ее формирования. Для обеих серий образцов циклическое накопление общей дозы (Ф = 10{17} см{-2}) и времени отжига (2 ч) приводит к появлению наиболее выраженной структуры в области края поглощения элементарного кремния. При этом в более плотном оксиде образцов второй серии вероятность образования нанокристаллов кремния уменьшается.

Доп.точки доступа:
Турищев, С. Ю.; Кашкаров, В. М.; Домашевская, Э. П.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

539.2
Т 350

Терехов, В. А.
Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO[2] [Текст] / В. А. Терехов, С. Ю. Турищев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 61-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

Михайлов, А. Н.
Фантастическое как феномен культуры: трансгрессия и предел [Текст] / А. Н. Михайлов // Вопросы культурологии. - 2007. - N 9 (сентябрь). - С. 13-16 . -

УДК

008.001

ББК 71.0
Рубрики: Культура--Теоретическая культурология
Кл.слова (ненормированные):
культурное пространство -- культурный ландшафт -- литературные жанры -- фантастика -- фантастическое -- фантастический жанр -- феномен фантастического -- реальность -- семантика -- постмодернизм -- структурализм
Аннотация: Философское и культурологическое исследование фантастического.

Найти похожие

53
Г 708

Горшков, О. Н.
Дефектные центры в тонких пленках диоксида германия, облученных ионами кремния [Текст] / О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 10-12 . - ISSN 0207-3528

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
диоксид германия -- тонкие пленки -- облучение ионами кремния -- нанокристаллы кремния -- точечные дефекты в пленках
Аннотация: Проведен анализ оптических спектров пропускания пленок GeO[2], облученных ионами кремния и прошедших постимплантационный отжиг в режиме образования в пленках нанокристаллов кремния. Показано, что при облучении с дозами D ~ 10\{20\} м\{-2\} в пленках формируются точечные дефекты: германиевые электронные центры, нейтральные кислородные вакансии и Gе\{2+\}-центры, которые отжигались при температуре 1000шС в течение часа. При D ? 1 х 10\{21\} м\{-2\} в пленках возникают более сложные дефекты, которые при тех же условиях отжигаются лишь частично.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Антонов, И. Н.; Михайлов, А. Н.; Камин, В. А.; Касаткин, А. П.

Найти похожие

159.983
Ж 911

Журавлева, Т. М.
Набор методик для экспресс-диагностики на наркологическую зависимость детей и подростков [Текст] / Т. М. Журавлева, авт. А. Н. Михайлов // Вестник психосоциальной и коррекционно-реабилитационной работы. - 2008. - N 4. - С. 33-46. - Библиогр.: с. 46 (3 назв. ) . -

УДК

159.983^V3

ББК 88.492
Рубрики: Психология--Россия, 21 в.
Практическая (консультативная) психология
Кл.слова (ненормированные):
наборы методик -- экспресс-диагностики -- наркологическая зависимость -- дети -- подростки -- тексты методик -- тесты -- опросники -- наркотики -- инструкции -- методики
Аннотация: Представлены методики, опросники, тесты, которые позволяют выявить признаки употребления наркотиков детьми и подростками. Предложены тесты и инструкции к ним.

Доп.точки доступа:
Михайлов, А. Н.; Признаки, употребления детьми и подростками летучих растворителей (веществ); Устойчивость, к стрессу при употреблении летучих растворителей; "Маски", тяги к героину; Косвенное, определение наркотической зависимости опосредованно через соматическое здоровье

Найти похожие

Михайлов, А. Н.
Фантастическое как феномен культуры: трансгрессия и предел [Текст] / А. Н. Михайлов // Вопросы культурологии. - 2007. - N 11 (ноябрь). - С. 18-20. - Библиогр.: с. 20. - Окончание. Начало в NN 9, 10

УДК

^a008.001

ББК 71.0
Рубрики: Культурология
Теоретическая культурология
Кл.слова (ненормированные):
фантастика -- рационализм -- фантастическое -- необъяснимое -- сказочное
Аннотация: Культурологическое исследование фантастического.

Найти похожие

10.

Спектрально-люминесцентные свойства малодефектных органических стекол, депонированных трис (бензоилтрифторацетонат) европием [Текст] : текст / В. В. Семенов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 420, N 6, июнь. - С. 781-787 : 4 рис., 2 табл., 1 схема. - Библиогр.: с. 787 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
органические стекла -- органические полимеры -- трис (бензоилтрифторацетонат) европия -- рездкоземельные металлы -- люминесцирующие редкоземельные металлы -- фотолюминесценция европия
Аннотация: Представлена первая попытка получения двух типов (жесткого и мягкого) прозрачных стекол с инкорпорированным в них комплексом редкоземельного металла - трис (бензоилтрифторацетонат) европия.

Доп.точки доступа:
Семенов, В. В.; Золотарева, Н. В.; Клапшина, Л. Г.; Горшков, О. Н.; Касаткин, А. П.; Антонов, И. Н.; Михайлов, А. Н.; Сидоренко, К. В.; Треушников, В. М.; Треушников, В. В.; Домрачев, Г. А.

Найти похожие

11.

Легирование фосфором как эффективный способ воздействия на излучательную межзонную рекомбинацию в кремниевых нанокристаллах [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 39-45

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые нанокристаллы -- нанокристаллы -- фотолюминесценция -- легирование фосфором -- излучательная межзонная рекомбинация
Аннотация: Систематизированы экспериментальные результаты по спектрам и кинетике фотолюминесценции, полученные при исследовании оксидных слоев SiO[2], наноструктурированных путем ионной имплантации кремния с последующими легированием и термообработкой. Показано, что ионное легирование фосфором приводит к многократному увеличению интенсивности и времени спада нестационарной фотолюминесценции при лямбда = 750 нм вследствие увеличения вероятности излучательной рекомбинации в легированных квантовых точках Si и пассивации оборванных связей на их границах раздела с матрицей.

Доп.точки доступа:
Белов, А. И.; Беляков, В. А.; Бурдов, В. А.; Михайлов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

12.

Люминесценция и структура наноразмерных включений, формирующихся в слоях SiO[2] при двойной имплантации ионов кремния и углерода [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 50-57

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- структурные параметры -- наноразмерные включения -- двойная имплантация ионами -- нанокристаллы -- дефекты
Аннотация: Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного резонанса, просвечивающей электронной микроскопии и электронной спектроскопии исследованы люминесцентные свойства и структурные параметры слоев SiO[2], подвергнутых двойной имплантации ионами Si\{+\} и С\{+\} с целью синтеза наноразмерных включений карбида кремния. Показано, что облучение ионами углерода слоев SiO[2] с предварительно сформированными нанокристаллами кремния сопровождается гашением фотолюминесценции от нанокристаллов при 700-750 нм и усилением излучения в области 350-700 нм от обедненных кислородом центров в оксиде. Последующий отжиг при 1000 или 1100 градусов С приводит к залечиванию дефектов и, соответственно, к ослаблению связанных с ними пиков фотолюминесценции, а также частично восстанавливает люминесценцию кремниевых нанокристаллов в случае, когда доза углерода меньше дозы кремния, и приводит к интенсивной “белой” люминесценции в случае, когда дозы углерода и кремния одинаковы.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Васильев, В. К.; Ковалев, А. И.; Вайнштейн, Д. Л.; Golan, Y.; Osherov, A.

Найти похожие

13.

Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия
Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют.

Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S.

Найти похожие

14.

Михайлов, А. Н.
Процессуальная форма принятия решения об освобождении от наказания в связи с изменением обстановки [Текст] / Михайлов А. Н. // "Черные дыры" в Российском Законодательстве. - 2008. - N 6. - С. 146-148. - Библиогр.: с. 148 (11 назв. ). - Прил. . - ISSN 0236-4964

УДК

^a343.13

ББК 67.410.2
Рубрики: Право
Уголовное процессуальное право--Россия
Кл.слова (ненормированные):
уголовный процесс -- освобождение от наказания -- изменение обстановки -- оправдательный приговор -- обвинительный приговор -- обвинительный приговор без назначения наказания
Аннотация: Анализ видов освобождения от уголовной ответственности и наказания в связи с изменением обстановки согласно уголовному и уголовно-процессуальному законодательству России. Отсутствие четкой процессуальной формы применения ст. 80-1 УК РФ. Рекомендация автора использовать на практике обвинительный приговор без назначения наказания.

Найти похожие

15.

Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур.

Доп.точки доступа:
Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

16.

539.21:535
М 744

Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния [Текст] / С. Н. Нагорных [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 12. - С. 63-66. - Библиогр.: c. 66 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

537.311.33

ББК 22.374 + 22.379
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы -- массивы нанокристаллов -- кремний -- диоксид кремния -- фотолюминесценция -- термоактивированные переходы -- экситоны
Аннотация: Представлена четырехуровневая модель фотолюминесценции массивов нанокристаллов Si в SiO[2], учитывающая термоактивированные переходы между синглетным и триплетным уровнями обменно-расщепленного энергетического состояния экситона в возбужденном нанокристалле кремния. Получено выражение для температурной зависимости интенсивности монохроматических составляющих фотолюминесценции. Путем сравнения с оригинальными экспериментальными данными для ионно-синтезированных нанокристаллов Si в матрице SiO[2] найдена связь между величиной расщепления и энергией излучаемых фотонов. Модель объясняет конечную интенсивность фотолюминесценции при температурах, близких к 0 K, и немонотонность температурной зависимости интенсивности от температуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/12/p63-66.pdf

Доп.точки доступа:
Нагорных, С. Н.; Павленков, В. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Красильникова, Л. В.; Крыжков, Д. И.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

17.

539.2
Э 158

Эволюция оптических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO[x]/ZrO[2], содержащей нанокластеры кремния [Текст] / А. В. Ершов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 747-753 : ил. - Библиогр.: с. 752 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оптические свойства -- температура отжига -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- инфракрасное поглощение -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- высокотемпературный отжиг -- ВТО -- многослойные нанопериодические структуры -- МНС -- нанокристаллы кремния -- НК -- аморфные кластеры
Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции, инфракрасного поглощения и комбинационного рассеяния света многослойных нанопериодических аморфных структур a-SiO[x]/ZrO[2], полученных испарением в вакууме и затем отожженных при различных температурах 500-1100 °C. Установлено, что эволюция оптических свойств по мере роста температуры отжига определяется трансформацией нанокластеров кремния, содержащихся в слоях SiO[x] в последовательности: нефазовые включения - аморфные кластеры - нанокристаллы, при наличии ограничения размеров последних толщиной исходных слоев SiO[x] и химических реакций с ZrO[2].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p747-753.pdf

Доп.точки доступа:
Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И.; Чугров, И. А.; Машин, А. И.; Михайлов, А. Н.; Нежданов, А. В.; Ершов, А. А.; Карабанова, И. А.

Найти похожие

18.

539.2
Ф 815

Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов [Текст] / Е. С. Демидов [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 12. - С. 2294-2298. - Библиогр.: с. 2298 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наночастицы -- пористый кремний -- фотолюминесценция -- эрбий -- иттербий -- вольфрам-теллуритное стекло
Аннотация: Показано, что присутствие наночастиц кремния в пропитанном вольфрам-теллуритным стеклом слое пористого кремния на кремнии позволяет при длинноволновом возбуждении на порядок увеличить квантовый выход фотолюминесценции эрбия (1530 nm), при коротковолновой накачке усилить почти в 50 раз фотолюминесценцию иттербия (980 nm) и в 25 раз эрбия. Это усиление люминесценции связывается с дополнительными каналами передачи внешнего возбуждения через нанокристаллиты кремния в пористом кремнии к примесным в вольфрам-теллуритном стекле ионам иттербия и эрбия.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. С.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Карзанова, М. В.; Демидова, Н. Е.; Чигиринский, Ю. И.; Шушунов, А. Н.; Тетельбаум, Д. И.; Горшков, О. Н.; Европейцев, Е. А.

Найти похожие

19.

539.2
О-754

Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO[2] и Al[2]O[3] [Текст] / А. Н. Михайлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 347-359. - Библиогр.: с. 358-359 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие структуры -- ионно-синтезированные нанокристаллы -- нанокристаллы кремния -- кремний -- оксиды
Аннотация: Выполнено комплексное сравнительное исследование слоев оксидов SiO[2] и Al[2]O[3] с нанокристаллами Si, сформированными путем имплантации ионов Si{+} и высокотемпературного отжига. Информация о морфологии, фазовом составе, структуре и люминесцентных свойствах массивов ионно-синтезированных нанокристаллов Si получена с использованием методов конфокальной рамановской микроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции. Установлено, что особенности образования нанокристаллов, их распределение по глубине, структура и характер химических связей подобны для обеих оксидных матриц, но обусловленная нанокристаллами фотолюминесценция в диапазоне длин волн 600-1000 nm в матрице Al[2]O[3] имеет место только в случае формирования вокруг нанокристаллов Si оболочек SiO[2]. Необходимое для формирования оболочек окисление поверхности нанокристаллов возможно как за счет избыточного кислорода в матрице Al[2]O[3] (случай имплантации Si в осажденную пленку Al[2]O[3]), так и за счет притока кислорода из атмосферы отжига (случай имплантации Si в сапфир). Для проверки квантово-размерного механизма излучения света анализируются данные по температурной зависимости фотолюминесценции. Проанализированы также механизмы токопереноса и возбуждения электролюминесценции в диодных структурах на основе тонких ионно-синтезированных слоев с нанокристаллами кремния.

Доп.точки доступа:
Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Костюк, А. Б.; Жаворонков, И. Ю.; Королев, Д. С.; Нежданов, А. В.; Ершов, А. В.; Гусейнов, Д. В.; Грачева, Т. А.; Малыгин, Н. Д.; Демидов, Е. С.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

20.

539.2
Х 463

Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода [Текст] / А. В. Боряков [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 2. - С. 370-377. - Библиогр.: с. 377 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии -- фазовый состав -- пленки оксида кремния -- нанокластеры -- ионная имплантация углерода
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии совместно с профилированием по глубине ионным распылением изучен химический и фазовый состав пленок оксида кремния с самоорганизованными нанокластерами, полученными методом ионной имплантации углерода в пленки субоксида SiO[x] (x < 2) с последующим отжигом в атмосфере азота. Установлено, что относительная концентрация кислорода в максимуме распределения имплантированных атомов углерода понижена, тогда как относительная концентрация кремния остается практически одинаковой по глубине в слое, где содержится имплантированный углерод. Найдены распределения по глубине углерода и кремния в различных химических состояниях. В областях, прилегающих к слою с максимальным содержанием углерода, в результате отжига формируются слои оксида кремния, близкие по составу к SiO[2], с нанокристаллами кремния, а в самом имплантированном слое, кроме фазы SiO[2], присутствуют оксидные формы кремния Si{2+} и Si{3+} со стехиометрическими формулами SiO и Si[2]O[3] соответственно. Углерод присутствует в пленке в виде фаз SiC и элементарного углерода. Оценен нижний предел среднего размера нанокластеров кремния (~2 nm). На основе полученных результатов дана интерпретация спектров фотолюминесценции пленок.

Доп.точки доступа:
Боряков, А. В.; Николичев, Д. Е.; Тетельбаум, Д. И.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Михайлов, А. Н.

Найти похожие

1-20 21-23

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)