Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кукушкин, С. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 29
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-29

Амброк, А. Г.
Влияние избирательного нагрева на кинетику поздней стадии фазового перехода первого рода [Текст] / А. Г. Амброк, Е. В. Калашников, С. А. Кукушкин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 45 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
фазовые переходы -- оствальдовское созревание -- зародышеобразование -- зародыши -- избирательный нагрев
Аннотация: Исследовано воздействие излучения на кинетику поздней стадии фазовых переходов первого рода - оствальдовское созревание. В частности, выявлены особенности кинетики роста зародышей в зависимости от их размеров и времени воздействия излучения. Показаны возможные пути управления кинетикой роста зародышей

Доп.точки доступа:
Калашников, Е.В.; Кукушкин, С.А.

Найти похожие

539.2
З-38

Захаров, М. А.
Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (основные стадии [] / М. А. Захаров, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 4. - С. 673-678. - Библиогр.: с. 678 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
магнетизм; многоосные сегнетоэлектрики; переполяризация; переполяризованные области; сегнетоэлектрики; сегнетоэлектричество; теория переключения; титанат бария; ток переключения; трехмерный рост
Аннотация: Теоретически исследованы основные стадии процесса переключения многоосного сегнетоэлектрика в предположении трехмерного роста переполяризованных областей цилиндрической формы. Выведены уравнения, позволяющие рассчитывать ток переключения и его изменение во времени.

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.

Найти похожие

535
К 89

Кукушкин, С. А.
Образование микропор в оптическом волокне под воздействием импульсного УФ-света высокой интенсивности [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, М. Г. Шлягин // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 8. - С. 73-84. - Библиогр.: c. 84 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
Брэгга решетки; лазерное облучение; микропоры; оптическое волокно; решетки Брэгга; решетки индекса преломления; ультрафиолетовое облучение
Аннотация: Предложен новый механизм формирования решеток индекса преломления (решеток Брэгга типа II A) в волокне при его облучении УФ-светом от мощного импульсного лазера. Механизм заключается в зарождении и росте микропор в областях волокна, где локализованы механические напряжения. Показано, что этими областями являются центральная часть сердцевины и граница раздела между сердцевиной и оболочкой волокна. Теоретически и экспериментально определена температура нагрева сердцевины волокна, легированной германием под воздействием мощных импульсов света. Рассчитаны термические механические напряжения, возникающие в волокне при нагреве от облучения. Построена теория зарождения пор и трещин в волокне при воздействии лазерных импульсов большой мощности. Вычислена функция распределения пор по размерам, скорость их зарождения, скорость роста и зависимость плотности пор от времени воздействия лазерных импульсов.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/08/p73-84.pdf

Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.; Шлягин, М. Г.

Найти похожие

621.315.592
М 440

Мездрогина, М. М.
Спектры фотолюминесценции гетероструктур n-ZnO/p-GaN (Er+Zn [в угловых скобках]) и p-AlGaN (Er+Zn[в угловых скобках] [Текст] / М. М. Мездрогина, В. В. Криволапчук [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 782-787 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- фотолюминесценция -- светоизлучающие приборы -- оптоэлектронные приборы
Аннотация: Интенсивность излучения гетероструктур на основе n-ZnO/p-GaN (Er+Zn[в угловых скобках]), n-ZnO/AlGaN (Er+Zn[в угловых скобках]) по сравнению с интенсивностью отдельных слоев n-ZnO, p-GaN (Er+Zn[в угловых скобках]), AlGaN (Er+Zn[в угловых скобках]) увеличивается более чем на порядок. По всей вероятности, причиной того является эффективная туннельная рекомбинация носителей, обусловленная уменьшением концентрации центров безызлучательной рекомбинации межфазных поверхностных состояний между слоями n-ZnO/p-GaN (Er+Zn[в угловых скобках]) и n-ZnO/AlGaN (Er+Zn[в угловых скобках]).

Доп.точки доступа:
Криволапчук, В. В.; Феоктистов, Н. А.; Даниловский, Э. Ю.; Кузьмин, Р. В.; Разумов, С. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.

Найти похожие

О проблеме регулирования содержания мета-нитротолуола в продуктах гетерофазного мононитрования толуола [Текст] / А. В. Артемов [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2007. - Т. 80, вып: вып. 12. - С. 1984-1993. - Библиогр.: с. 1993 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4618

УДК

^a547

ББК 24.2
Рубрики: Химия
Органическая химия
Кл.слова (ненормированные):
газовая хроматография -- динитротолуолы -- изомерные составы продуктов -- каталитические добавки -- мета-замещения -- мета-нитротолуол -- мононитрование -- пара-селективность -- пограничные монослои -- серно-азотные смеси -- сольватация молекул -- толуилендиизоцианат -- толуол
Аннотация: Определены пути снижения мета-замещения на стадии мононитрования толуола в зависимости от состава нитрующей смеси, параметров проведения процесса и каталитических добавок.

Доп.точки доступа:
Артемов, А. В.; Целинский, И. В.; Кукушкин, С. А.; Филатова, Е. В.; Ашихин, В. В.

Найти похожие

Кукушкин, С. А.
Фазовые переходы и зарождение каталитических наноструктур под действием химических, физических и механических факторов [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Кинетика и катализ. - 2008. - Т. 49, N 1. - С. 85-98. - Библиогр.: с. 98 (45 назв. )

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
каталитические наноструктуры -- химические факторы -- физические факторы -- механические факторы -- наночастицы
Аннотация: Изложены основные представления о фазовых переходах первого рода и рассмотрено современное состояние исследований в этой области на примере зарождения и роста наночастиц.

Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.

Найти похожие

Хлоридная газофазная эпитаксия нитрида галлия на кремнии: влияние промежуточного SiC слоя [Текст] / И. Г. Аксянов [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 11. - С. 54-61

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
хлоридная газофазная эпитаксия -- нитрид галлия -- образование трещин -- упругая деформация -- кремний
Аннотация: Продемонстрирован новый подход для подавления процесса образования трещин и одновременного снижения упругой деформации в GaN слое при хлоридной газофазной эпитаксии на Si (111) подложке за счет применения тонкого SiC слоя в качестве промежуточного. Слои GaN толщиной 20 mum были выращены с использованием AlN (300 nm) и дополнительного подслоя SiC (100 nm).

Доп.точки доступа:
Аксянов, И. Г.; Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Компан, М. Е.; Коненкова, Е. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Родин, С. Н.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.

Найти похожие

Зельцер, И. А.
Новые возможности нанодиагностики структуры поверхности с помощью стоячих рентгеновских волн в условиях непрерывного резонансного комбинационного рассеяния рентгеновского излучения [Текст] / И. А. Зельцер, С. А. Кукушкин, Е. Н. Моос // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 13. - С. 56-61

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновские волны -- спектроскопия поверхности -- конденсированные среды
Аннотация: Рассмотрены основные принципы, новые возможности и приборная реализация структурно-чувствительной спектроскопии поверхности конденсированных сред с помощью стоячих рентгеновских волн в случае регистрации эмиссии электронов под действием непрерывного резонансного комбинационного (рамановского) рассеяния рентгеновского излучения. Показано, что перспективы развития и применения новых возможностей метода стоячих рентгеновских волн для исследования поверхности связаны с созданием комплекса экспериментального оборудования и специализированных источников синхротронного излучения.

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Моос, Е. Н.

Найти похожие

Тонкопленочная структура PZT/SiC на кремниевой подложке: формирование, структурные особенности и диэлектрические свойства [Текст] / И. П. Пронин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 19. - С. 46-52 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкопленочные структуры -- кремниевые подложки -- диэлектрические свойства
Аннотация: Получена новая тонкопленочная сегнетоэлектрическая структура. Основу данной структуры составляет пленка, сформированная на тонких (толщиной 90-100 nm) монокристаллических слоях карбида кремния политипов 3C-SiC и 4H-SiC, полученных на кремниевых подложках новым методом твердофазной эпитаксии. Сообщается о методах формирования данной гетеросистемы, ее структурных и диэлектрических характеристиках.

Доп.точки доступа:
Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Климов, В. А.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А.

Найти похожие

10.

Электронно-микроскопическое исследование структуры SiC/Si (111), полученной методом твердофазной эпитаксии [Текст] / Л. М. Сорокин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 22. - С. 88-94 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
электронно-микроскопические исследования -- карбид кремния -- тонкие слои -- твердофазная эпитаксия
Аннотация: Представлены первые результаты электронно-микроскопического исследования тонких слоев карбида кремния, выращенных на кремнии новым методом твердофазной эпитаксии. Показано, что на начальном этапе роста эпитаксиальных слоев формируется переходная область, состоящая из участков различных политипов SiC. Эта область находится на границе раздела: подложка-монокристаллический слой карбида кремния преимущественно со структурой 3C-политипа. Установлено, что в приповерхностном слое подложки кремния формируются поры с интервалом размеров от долей микрона до десятков нанометров, которые способствуют росту эпитаксиальных монокристаллических слабо напряженных слоев карбида кремния.

Доп.точки доступа:
Сорокин, Л. М.; Веселов, Н. В.; Щеглов, М. П.; Калмыков, А. Е.; Ситникова, А. А.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А.

Найти похожие

11.

Кукушкин, С. А.
Эволюция морфологии микропоры в хрупком твердом теле под действием внешней механической нагрузки [Текст] / С. А. Кукушкин, С. В. Кузьмичев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 8. - С. 1390-1394. - Библиогр.: с. 1394 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
микропоры -- морфология микропоры -- хрупкие твердые тела -- внешняя механическая нагрузка -- микротрещины
Аннотация: Исследована эволюция морфологии микропоры в хрупких телах под действием внешней механической нагрузки. Показано. что при приложении к хрупкому твердому телу внешней механической нагрузки вакансии диффундируют к поверхности микропоры и присоединяются к ней. Этот процесс приводит к флуктуациям поверхности микропоры. Поверхностное натяжение на границе микропора-среда в этом случае играет роль "стабилизатора" формы микропоры. Установлено, что при превышении нагрузкой критического значения форма микропоры становится неустойчивой и микропора начинает расти, превращаясь в зародыш микротрещины.

Доп.точки доступа:
Кузьмичева, С. В.

Найти похожие

12.

Кукушкин, С. А.
Новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния на кремнии: модель и эксперимент [Текст] / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 7. - С. 1188-1195. - Библиогр.: с. 1195 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод твердофазной эпитакси -- карбид кремния -- кремний -- термодинамическая теория зародышеобразования
Аннотация: Предложен теоретически и реализован экспериментально новый метод твердофазной эпитаксии карбида кремния SiC на кремнии Si. Рост пленки SiC различных политипов на Si (111) осуществляется за счет химической реакции (при T = 1100-1400 градусов Цельсия) монокристаллического кремния с газообразным оксидом углерода CO (p = 10 - 300 Pa). Часть атомов кремния превращается в газообразный оксид кремния SiC и покидает систему, что приводит к образованию вакансий и пор в кремнии на границе между кремнием и карбидом кремния. Эти поры обеспечивают существенную релаксацию упругих напряжений, вызванную несоответствием решеток Si и SiC. Рентгеноструктурные, электронографические и электронно-микроскопические исследования, а также люминесцентный анализ показали, что слои карбида кремния являются эпитаксиальными, однородными по толщине и могут содержать в зависимости от условий роста различные политипы, а также их смесь. Характерный размер пор - 1-5 мюm при толщине пленки около 20 - 100 nm. Термодинамическая теория зародышеобразования обобщена на случай с химической реакцией. Построены кинетическая и термодинамическая теории данного механизма роста, вычислены зависимости от времени числа зародышей новой фазы, плотностей химических компонентов, толщины пленки. Предложена модель релаксации упругих напряжений в пленке за счет вакансий и пор в подложке.

Доп.точки доступа:
Осипов, А. В.

Найти похожие

13.

Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 17-23 : ил. - Библиогр.: с. 23 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
экспериментальные исследования -- кремний -- алюминий -- нитрид алюминия -- тонкие слои -- газофазная эпитаксия -- хлоридная газофазная эпитаксия -- метод хлоридной газофазной эпитаксии -- кремниевые подложки -- формирование слоев -- волнообразные выпуклые полосы -- блочные структуры -- волнообразные структуры -- образование структур -- морфологическая неустойчивость -- послойные механизмы -- рентгеновская дифракция
Аннотация: Предложен и экспериментально реализован новый подход к созданию методом хлоридной газофазной эпитаксии слоев AlN толщиной ~0. 1-10 mum на кремниевой подложке за счет формирования промежуточных тонких 3C-SiC слоев (100 nm). Обнаружено, что на поверхности слоя AlN присутствуют волнообразные выпуклые полосы высотой порядка 40 nm, которые расположены в местах формирования блочной структуры слоя. Предполагается, что образование этих волнообразных структур вызвано морфологической неустойчивостью слоев AlN, возникающей в связи с ускоренным ростом в области границ блоков. Экспериментально доказано, что при низких скоростях слои AlN растут посредством послойного (quasi-2D) механизма, который позволяет получить слои AlN с полуширинами кривой качания рентгеновской дифракции (0002) omega[theta]=2100 arcsec.

Доп.точки доступа:
Бессолов, В. Н.; Жиляев, Ю. В.; Коненкова, Е. В.; Сорокин, Л. М.; Феоктистов, Н. А.; Шарофидинов, Ш.; Щеглов, М. П.; Кукушкин, С. А.; Метс, Л. И.; Осипов, А. В.

Найти похожие

14.

Спектры люминесценции гегсагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом твердотельной эпитаксии [Текст] / М. Е. Компан [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2326-2330. - Библиогр.: с. 2330 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
спектры люминесценции -- люминесценция -- карбид кремния -- мозаичные пленки -- метод твердотельной эпитаксии -- пленки карбида кремния -- кремниевые подложки
Аннотация: Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках.

Доп.точки доступа:
Компан, М. Е.; Аксянов, И. Г.; Кулькова, И. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Феоктистов, Н. А.

Найти похожие

15.

Особенности кристаллизации поликристаллических тонких пленок PZT, сформированных на подложке Si/SiO[2]/Pt [Текст] / И. П. Пронин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 124-128. - Библиогр.: с. 128 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поликристаллические тонкие пленки -- тонкие пленки PZT -- тонкие пленки цирконата-титаната свинца -- отжиг -- фазовые переходы -- диэлектрическая проницаемость
Аннотация: Изучены особенности кристаллизации тонких пленок цирконата-титаната свинца, осажденных на подложку Si/SiO[2]/Pt методом ВЧ-магнетронного распыления при низкой температуре и отожженных при температуре 540-580 градусов C. В этом интервале температур последовательно наблюдаются два фазовых перехода первого рода: низкотемпературная фаза пирохлора-фаза перовскита I и фаза перовскита I-фаза перовскита II, сопровождающихся усадкой (уменьшением объема пленки). Фазовые превращения были исследованы при помощи атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии, рентгенодифракционного анализа и метода визуального (оптического) наблюдения роста островков новой фазы. Обнаружено, что диэлектрические параметры при переходе от фазы I к фазе II претерпевают существенные изменения. Обсуждаются причины наблюдаемых эффектов.

Доп.точки доступа:
Пронин, И. П.; Каптелов, Е. Ю.; Сенкевич, С. В.; Климов, В. А.; Зайцева, Н. В.; Шаплыгина, Т. А.; Пронин, В. П.; Кукушкин, С. А.

Найти похожие

16.

Влияние внешней механической нагрузки на образование нанопор в оптическом волокне под воздействием импульсного УФ-света [Текст] / С. В. Кузьмичев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 8. - С. 1531-1538. - Библиогр.: с. 1538 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
оптические волокна -- нанопористе пленки -- разрушения материалов -- дефекты материалов -- зарождение дефектов
Аннотация: Исследовано совместное воздействие внешнего растягивающего механического напряжения, приложенного к волокну, и мощных импульсов УФ-света на фоточувствительное оптическое волокно. Вскрыт механизм образования волоконных решеток Брэгга типа IIA в фоточувствительных оптических волокнах и построена теоретическая модель их формирования. Данный механизм был подтвержден серией проведенных экспериментов по формированию волоконных решеток. Установлено принципиальное различие воздействия импульсов УФ-света на напряженное и ненапряженное волокно. Найдено критическое значение растягивающего напряжения волокна, при котором происходит интенсивное зарождение дефектов структуры в волокне при совместном воздействии облучения и внешней нагрузки. Значение этого напряжения совпадает со значением разрушающего напряжения в проведенных нами экспериментах.

Доп.точки доступа:
Кузьмичев, С. В.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Шлягин, М. Г.

Найти похожие

17.

536.42
О-754

Особенности процесса кристаллизации тонких сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца [Текст] / И. Ю. Тентилова [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 4. - С. 37-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

536.42^V3

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
процессы кристаллизации -- сегнетоэлектрические пленки -- тонкие пленки -- тонкие сегнетоэлектрические пленки -- кристаллизация пленок -- свинец -- цирконаты -- титанаты -- цирконат-титанат свинца -- ЦТС -- термический анализ -- синхронный термический анализ -- метод синхронного термического анализа -- СТА -- термодинамика процессов -- отжиг пленок -- магнетронное распыление -- ВЧ-магнетронное распыление -- метод ВЧ-магнетронного распыления -- воздух -- инертная атмосфера -- аргон -- температура -- атмосферное давление -- кислород -- оксид свинца -- ортоплюмбат свинца
Аннотация: Методом синхронного термического анализа (СТА) исследована термодинамика процессов, протекающих при росте и отжиге сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС). Пленки были получены методом ВЧ-магнетронного распыления, отжигались на воздухе и в инертной атмосфере аргона при температуре 20-600{o}C и атмосферном давлении. Было показано, что в процессе отжига пленки в среде, содержащей кислород (на воздухе), происходит изменение энтальпии и массы системы, что связано с присутствием кислорода, в то время как при отжиге в инертной атмофере аргона никаких изменений в пленке не наблюдалось. Доказано, что данное изменение связано с переходом оксида свинца в ортоплюмбат свинца в объеме пленки ЦТС. Экспериментально показано, что данный переход приводит к существенному изменению структуры сегнетоэлектрических пленок. На основе этих данных был предложен механизм изменения структуры, происходящего при отжиге пленок ЦТС.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/04/p37-43.pdf

Доп.точки доступа:
Тентилова, И. Ю.; Кукушкин, С. А.; Каптелов, Е. Ю.; Пронин, И. П.; Уголков, В. Л.

Найти похожие

18.

621.375
С 873

Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев [Текст] / Л. М. Сорокин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 7. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 78-79 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

537.311.33^V3

ББК 32.86 + 22.379
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
   Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- структурная характеризация слоев -- кремний -- Si -- карбид кремния -- SiC -- галлий -- Ga -- нитрид галлия -- GaN -- алюминий -- Al -- нитрид алюминия -- AlN -- буферные слои -- электронно-микроскопические исследования -- результаты исследований -- поперечные сечения -- нанометровые толщины -- твердофазная эпитаксия -- метод твердофазной эпитаксии -- газовая эпитаксия -- хлоридная газовая эпитаксия -- дислокации -- дефекты (физика) -- скопления дислокаций -- плотность дислокаций -- литературные данные -- нанопоры -- прорастающие дислокации -- напряжения
Аннотация: Представлены результаты электронно-микроскопического исследования поперечных сечений системы GaN/AlN/3C-SiC/Si (111). Буферный слой карбида кремния нанометровой толщины был получен оригинальным методом твердофазной эпитаксии. Последующие слои - нитрида галлия и алюминия - выращивались хлоридной газовой эпитаксией. В слоях нитрида галлия не выявлено прорастающих дислокаций, в них также отсутствуют трещины любого масштаба. Основная часть дефектов в GaN в виде скоплений дислокаций локализована вблизи границы раздела GaN-AlN, которые параллельны этой границе. Плотность дислокаций в слоях GaN составила (1-2) · 10{9} cm{-2}, что, согласно литературным данным, находится на уровне минимальных значений. В буферном слое AlN выявлены нанопоры, которые снижают уровень напряжений на границе раздела, что почти полностью подавляет появление прорастающих дислокаций.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/07/p72-79.pdf

Доп.точки доступа:
Сорокин, Л. М.; Калмыков, А. Е.; Бессолов, В. Н.; Феоктистов, Н. А.; Осипов, А. В.; Кукушкин, С. А.; Веселов, Н. В.

Найти похожие

19.

621.382
С 243

Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 6. - С. 90-95 : ил. - Библиогр.: с. 95 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.382^V3

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- светодиодные структуры -- нитриды -- кремниевые подложки -- кремний -- карбид кремния -- SiC -- эпитаксиальные нанослои -- твердофазная эпитаксия -- метод твердофазной эпитаксии -- дислокации -- плотность дислокаций -- электролюминесценция -- фотолюминесценция
Аннотация: Впервые выращена светодиодная структура на основе III-нитридов на подложке кремния (111) с использованием нанослоя SiC (50-200 nm), полученного методом твердофазной эпитаксии. При этом достигается рекордно низкая плотность дислокаций несоответствия решеток <10{8} cm{-2} при общей плотности дислокаций ~ 8·10{8} cm{-2}. Измерены спектры фото- и электролюминесценции полученных структур.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/06/p90-95.pdf

Доп.точки доступа:
Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Жуков, С. Г.; Заварин, Е. Е.; Лундин, В. В.; Синицын, М. А.; Рожавская, М. М.; Цацульников, А. Ф.; Трошков, С. И.; Феоктистов, Н. А.

Найти похожие

20.

539.2
К 899

Кукушкин, С. А.
Механизм фазового превращения пирохлорной фазы в перовскитовую в пленках цирконата-титаната свинца [Текст] / С. А. Кукушкин, И. Ю. Тентилова, И. П. Пронин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 3. - С. 571-575. - Библиогр.: с. 575 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фазовые превращения -- пирохлорные фазы -- перовскитовые фазы -- пленки цирконата-титаната свинца
Аннотация: Экспериментально и теоретически изучен процесс фазового превращения из пирохлорной фазы в перовскитовую в сегнетоэлектрических пленках цирконата-титаната свинца на кремниевых подложках при отжиге. Доказано, что данное превращение является типичным фзовым переходом первого рода, при котором происходит изменение плотностей фаз и выделение скрытой теплоты фазового прехода.

Доп.точки доступа:
Тентилова, И. Ю.; Пронин, И. П.

Найти похожие

1-20 21-29

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)