Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=эпитаксильные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

621.31
И 257

Ивонин, И. В. (???? 1).
Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитаксии полупроводниковых соединений [Текст] / И. В. Ивонин, И. А. Бобровникова // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 44 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

621.31

ББК 31.29
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
газофазовая эпитаксия -- диффузия адсорбированных атомов -- решетки кристаллов -- эпитаксильные слои
Аннотация: В стаье дан обзор работ, выполненных в Сибирском физико-техническом институте им. В.Д.Кузнецова при Томском госуниверситете и напрвленных на получение деятельной информации лб элементарных прцессах роста, протекающих на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии пленок полупроводниковых соединений III-V. Описаны общий подход к проблеме и используемые способы ее решения. Представлены результаты исследований состава адсорбционных слоев, процессов диффузии и встраивания ростовых единиц в кристалл

Доп.точки доступа:
Бобровникова, И.А. (???? 1)

Найти похожие

Влияние несущего газа и профиля легирования на морфологию поверхности сильно легированных слоев GaN : Mg, выращенных методом МО ГФЭ [Текст] / В. В. Лундин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 996-1001 : ил. - Библиогр.: с. 1001 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
магний -- легирование -- метод газофазной эпитаксии -- МО ГФЭ -- морфология поверхности -- несущий газ -- слои GaN -- GaN слои -- эпитаксильные слои
Аннотация: Магний является единственной легирующей примесью для получения слоев GaN p-типа проводимости методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Большая энергия активации магния в GaN требует высоких концентраций вводимой примеси, что приводит к ухудшению морфологии растущих слоев. В работе описано влияние режимов роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, легированных магнием. Показано, что морфология поверхности сильно легированных слоев зависит от среднего содержания магния в слое и значительно улучшается при использовании азота в качестве несущего газа.

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Синицын, М. А.; Николаев, А. Е.; Михайловский, Г. А.; Брунков, П. Н.; Гончаров, В. В.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

539.21:535
И 889

Исследование свойств слоев узкозонных (0.3-0.48 eV) твердых растворов A{3}B{5}, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений [Текст] / В. И. Васильев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 9. - С. 23-30 : ил. - Библиогр.: с. 29-30 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:535^V3

536.42^V3

ББК 22.374 + 22.375
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- узкозонные твердые растворы -- эпитаксильный рост -- эпитаксильные слои -- свойства слоев -- процессы эпитаксиального роста -- исследования -- подложки (физика) -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- пониженное давление -- кристаллическое совершенство -- комнатная температура -- фотолюминесценция
Аннотация: Исследованы процессы эпитаксиального роста узкозонных (с шириной запрещенной зоны E[g]~ 0. 3-0. 48 eV) твердых растворов GaInAsSb и InAsPSb на подложках InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при пониженном давлении (76 Torr). Показано, что при выбранных условиях выращивания слои InAsPSb обладают высоким кристаллическим совершенством, твердые растворы Ga[1-x]In[x]As[y]Sb[1-y] и InAs[y]P[z]Sb[1-y-z] имеют составы, близкие к InAs (0. 86<0. 93<>, 0. 62
Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/09/p23-30.pdf

Доп.точки доступа:
Васильев, В. И.; Гагис, Г. С.; Левин, Р. В.; Дерягин, А. Г.; Кучинский, В. И.; Пушный, Б. В.

Найти похожие

538.958:538.975
Ф 796

Формирование и некоторые свойства гетеропереходов ZnO/A{III}N [Текст] / Б. М. Атаев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 681-683. - Библиогр.: c. 683 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.958:538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетеропереходы n-ZnO/p-A{III}N -- электролюминесценция -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- экспериментальные данные -- эпитаксильные слои
Аннотация: Получены гетеропереходы n-ZnO/p-A{III}N (A{III} = Ga, Al), в которых наблюдали относительно интенсивную электролюминесценцию в сине-фиолетовой спектральной области при подаче прямого смещения.

Доп.точки доступа:
Атаев, Б. М.; Мамедов, В. В.; Махмудов, С. Ш.; Омаев, А. К.; Багамадова, А. М.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)