Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=элементарные процессы<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
539.19
A 52


    Amusia, M. Ya..
    Giant resonances of endohedral atoms [Текст] / M. Ya. Amusia, A. S. Baltenkov, L. V. Chernysheva // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып. 4. - С. 230-233
УДК
ББК 22.36
Рубрики: Физика
   Молекулярная физика в целом

Кл.слова (ненормированные):
многоэлектронные системы -- гигантские резонансы -- элементарные процессы


Доп.точки доступа:
Baltenkov, A. S.; Chernysheva, L. V.

Найти похожие

2.
544.4
К 822


    Кригер, В. Г.
    Зависимость критической плотности энергии инициирования взрывного разложения азида серебра от размеров монокристаллов [Текст] / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, М. В. Ананьева, А. П. Боровикова // Физика горения и взрыва. - 2008. - Т. 44, N 2. - С. 76-78. - Библиогр.: с. 77-78 (8 назв. ) . - ISSN 0430-6228
УДК
ББК 24.542
Рубрики: Химия
   Химическая кинетика

Кл.слова (ненормированные):
элементарные процессы -- размерные эффекты -- кинетика -- механизм химических реакций -- реакционная способность
Аннотация: Впервые экспериментально исследована зависимость критической плотности энергии инициирования взрывного разложения азида серебра от размера образца.


Доп.точки доступа:
Каленский, А. В.; Ананьева, М. В.; Боровикова, А. П.

Найти похожие

3.


   
    Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки
Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям.


Доп.точки доступа:
Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)