Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=фазовые переходы металл-диэлектрик<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Балагуров, Б. Я.
    Проводимость структурно анизотропных двумерных композитов [Текст] / Б. Я. Балагуров, Г. А. Виноградов // Химическая физика. - 2008. - Т. 27, N 11. - С. 36-48. - Библиогр.: c. 48 (29 назв. ) . - ISSN 0207-401Х
УДК
^a539.21:537
ББК 22.373
Рубрики: Физика
   Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
проводимость -- двумерные композиты -- диэлектрические включения -- проводящие включения -- диффузия -- неоднородные среды -- теория эффективной среды -- фазовые переходы металл-диэлектрик -- гипотезы подобия -- электропроводность -- тонкие композитные пленки -- углеродные нанотрубки -- анизотропия
Аннотация: Теоретически исследована электропроводность двумерного структурно анизотропного композита, содержащего включения эллиптической формы с большим отношением длин полуосей.


Доп.точки доступа:
Виноградов, Г. А.

Найти похожие
2.


    Даунов, М. И.
    Концепция порога подвижности: правило Иоффе и Регеля [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 10. - С. 1885-1890. - Библиогр.: с. 1890 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
порог подвижности -- правило Иоффе и Регеля -- Иоффе и Регеля правило -- кристаллические полупроводники -- фазовые переходы металл-диэлектрик
Аннотация: Обсуждается характер фазовых переходов металл-диэлектрик в твердом теле, не связанных с изменением симметрии кристаллической решетки, по данным эксперимента в трехмерных слабо и сильно легированных кристаллических полупроводниках. Приведены минимальные металлические проводимости и подвижности, критические концентрации основных примесей и носителей заряда, коэффициенты компенсации в n-GaAs, p-Ge, p-CdSnAs[2]. Показано, что эксперимент согласуется с концепцией порога подвижности.


Доп.точки доступа:
Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)