Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=триглицинсульфат<.>)
Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-21 
1.
539.2
Д 75


    Дрождин, С. Н.
    Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации [Текст] / С. Н. Дрождин, О. М. Галицына [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 3. - С. 497-500. - Библиогр.: с. 500 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дейтерированный триглицинсульфат; доменная структура; ДТГС; метод переполяризации; переполяризация; переполяризация; статическая переполяризация; ТГС; триглицинсульфат
Аннотация: Исследованы процессы релаксации доменной структуры в кристаллах ТГС и ДТГС путем выведения ее из состояния равновесия постоянным электрическим полем (метод переполяризации) в широком интервале температур.


Доп.точки доступа:
Галицына, О. М.; Никишина, А. И.; Тума, Ф. А.; Тарасов, Д. П.

Найти похожие

2.
539.2
Л 804


    Лотонов, А. М.
    О временной зависимости диэлектрической дисперсии триглицинсульфата вблизи точки Кюри [Текст] / А. М. Лотонов, В. К. Новик, Н. Д. Гаврилова // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1268-1271. - Библиогр.: с. 1271 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая дисперсия; диэлектрические спектры; Кюри точка; сегнетоэлектрики; точка Кюри; триглицинсульфат; эвалюция диэлектрического спектра
Аннотация: Изучена временная эволюция диэлектрического спектра триглицинсульфата в диапазоне 20 MHz -1 Hz при 48. 8 градусах Цельсия в течении 420 min. Отмечено принципиальное свойство эволюции - нестационарность диэлектрического спектра, обусловленная увеличивающимся во времени спектром времен релаксации. Процесс наглядно проявляется как деформация во времени кривой Коула-Коула. Переход к квазистационарному состоянию завершается приблизительно в течение 1 h. Явление объяснено затухающим смещением доменной стенки. Сделан вывод, что временной дрейф должен являться общим свойством всех параметров сегнетоэлектрика, связанных с состоянием доменной стенки.


Доп.точки доступа:
Новик, В. К.; Гаврилова, Н. Д.

Найти похожие

3.
539.2
Ф 331


    Федорихин, В. А.
    Сравнительное исследование влияния малых доз гамма-облучения на фазовые переходы в монокристаллах триглицинсульфата и его дейтерированного аналога [Текст] / В. А. Федорихин, Б. А. Струков [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1026-1029. - Библиогр.: с. 1029 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гамма-облучение; гамма-облученные кристаллы; дейтерированный триглицинсульфат; ДТГС; метод прецизионной вакуумной адиабатической калориметрии; монокристаллы; теплоемкость; триглицинсульфат; фазовые переходы
Аннотация: Приводятся результаты сравнительного исследования влияния малых (менее 0. 5 MR) доз гамма-облучения на теплоемкость (C[p]) кристаллов триглицинсульфата и его дейтерированного аналога, полученные методом прецизионной вакуумной адиабатической калориметрии в температурном интервале от 80 до 350 K. Заметные изменения поведения C[p] номинально чистых и гамма-облученных кристаллов обнаружены вблизи температуры фазового перехода (T[c]) , понижающейся с увеличением дозы.


Доп.точки доступа:
Струков, Б. А.; Тараскин, С. А.; Шнайдштейн, И. В.; Давитадзе, С. Т.

Найти похожие

4.
539.2
Н 628


    Никишина, А. И.
    Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего поля [Текст] / А. И. Никишина, С. Н. Дрождин, О. М. Голицына // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1073-1074. - Библиогр.: с. 1074 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
доменная структура; примесные кристаллы; релаксация доменной структуры; сегнетоэлектрические кристаллы; ТГС; триглицинсульфат
Аннотация: Исследована релаксация структуры сегнетоэлектрических кристаллов триглицинсульфата (ТГС) , неравновесное состояние которой создавалось быстрым охлаждением через точку фазового перехода, полевым и термическим воздействием. Выявлена роль внутреннего поля в процессах релаксации доменной структуры к равновесному состоянию в дефектных кристаллах ТГС.


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.; Голицына, О. М.

Найти похожие

5.
539.2
Д 753


    Дрождин, С. Н.
    Пороговое поведение диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрических кристаллов семейства триглицинсульфата [Текст] / С. Н. Дрождин, С. В. Хоник, В. Е. Денисова // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1075-1076. - Библиогр.: с. 1076 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
амплитуды гармоники спектра тока переполяризации; диэлектрическая нелинейность; диэлектрическая проницаемость; сегнетоэлектрики; сегнетоэлектрические кристаллы; ТГС; триглицинсульфат
Аннотация: Исследован пороговый характер поведения эффективной диэлектрической проницаемости и амплитуд гармоник спектра тока переполяризации кристаллов триглицинсульфата с дефектами различной природы в зависимости от амплитуды переменного электрического поля. Рассчитаны энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами. Изучено релаксационное поведение эффективной диэлектрической проницаемости при постоянной амплитуде переполяризующегося поля.


Доп.точки доступа:
Хоник, С. В.; Денисова, В. Е.

Найти похожие

6.
539.2
И 206


    Иванов, В. В.
    Процессы переполяризации монокристаллов триглицинсульфата и дейтерированного триглицинсульфата, облученных сильноточным импульсным пучком электронов [Текст] / В. В. Иванов, Т. И. Иванова [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1084-1085. - Библиогр.: с. 1085 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Баркгаузена метод эффекта; метод эффекта Баркгаузена; монокристаллы; монокристаллы триглицинсульфата; переполяризации монокристаллов; сегнетоэлектрические явления; триглицинсульфат
Аннотация: Методом эффекта Баркгаузена проведено исследование влияния сильноточных электронных потоков на процессы переключения монокристаллов триглицинсульфата и дейтерированного триглицинсульфата.


Доп.точки доступа:
Иванова, Т. И.; Макаров, В. В.; Макарова, Т. А.; Самсонова, О. В.

Найти похожие

7.
539.2
Ш 976


    Шут, В. Н.
    Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома [Текст] / В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич, С. Р. Сырцов // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 115-118. - Библиогр.: с. 117-118 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
триглицинсульфат -- коэффициент униполярности -- пироэлектрический сигнал -- градиентные сегнетоэлектрические структуры -- феноменологический подход Ландау-Гинзбурга -- Ландау-Гинзбурга феноменологический подход
Аннотация: Рассмотрены особенности сегнетоэлектрического поведения кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примесей хрома. Петли диэлектрического гистерезиса образцов характеризуются большим сдвигом как вдоль оси поляризации, так и вдоль оси напряженности электрического поля. Полученные результаты хорошо объясняются в рамках феноменологического подхода при учете градиентного члена в разложении свободной энергии. Установлено, что коэффициент униполярности и пироэлектрический сигнал неоднородных кристаллов практически не изменяются при многократных циклах нагрева-охлаждения.


Доп.точки доступа:
Кашевич, И. Ф.; Сырцов, С. Р.

Найти похожие

8.
539.2
Я 752


    Ярмаркин, В. К.
    Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами [Текст] / В. К. Ярмаркин, С. Г. Шульман [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 897-900. - Библиогр.: с. 900 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая релаксация -- ортофосфорная кислота -- фосфористая кислота -- триглицинсульфат -- петля диэлектрического гистерезиса -- энергия активации
Аннотация: Исследованы процессы переключения поляризации и температурные зависимости комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов триглицинсульфата, легированных ортофосфорной и фосфористой кислотами, в диапазоне частот 100 Hz - 1 MHz и температур 140-340 K. Установлено, что при относительно небольшой растворимости примесей (не более 1 mol. %) легирование кристаллов сопровождается существенным изменением параметров петли диэлектрического гистерезиса, а также величины и характера температурной зависимости диэлектрических потерь, свидетельствующих об увеличении в сегнетоэлектрической фазе легированных кристаллов энергий активации и времен релаксации доменных стенок в результате их взаимодействия с примесями.


Доп.точки доступа:
Шульман, С. Г.; Панкова, Г. А.; Зайцева, Н. В.; Леманов, В. В.

Найти похожие

9.


    Белугина, Н. В.
    Атомно-силовая микроскопия поверхности зеркального скола дефектных кристаллов ТГС [Текст] / Н. В. Белугина, Р. В. Гайнутдинов, А. Л. Толстихина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 9-13
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- зеркальный скол -- нанорельефы -- кристаллы -- триглицинсульфат -- точечные дефекты
Аннотация: В прерывисто-контактном режиме атомно-силовой микроскопии изучен нанорельеф зеркальной поверхности скола кристаллов триглицинсульфата с различной степенью дефектности. Характерными деталями нанорельефа дефектных кристаллов, так же, как и чистых (без специально введенной примеси), являются двумерные образования в виде округлых выступов (ямок) субмикронных латеральных размеров с одинаковой высотой (глубиной), составляющей около 1/2b (b – параметр решетки). Плотность двумерных образований, латеральные размеры и их разброс в несколько раз больше, чем в чистых кристаллах. Выявлена корреляция между степенью дефектности кристаллов и плотностью и латеральными размерами двумерных образований на поверхности скола. Сделан вывод о дефектной природе образования характерного нанорельефа на зеркальном сколе.


Доп.точки доступа:
Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.

Найти похожие

10.


    Малышкина, О. В.
    Влияние градиента температуры на поляризацию в приповерхностном слое кристаллов ТГС [Текст] / О. В. Малышкина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 6. - С. 106-112
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
триглицинсульфат -- кристаллы триглицинсульфата -- приповерхностный слой -- поляризация приповерхностных слоев -- векторы поляризации
Аннотация: В работе проведен анализ влияния переменных градиентов температуры на поляризацию приповерхностных слоев кристаллов триглицинсульфата. Впервые показано, что имеется принципиальное различие в действии этих градиентов на стороны образца, соответствующие выходу положительного и отрицательного вектора поляризации. В частности установлено, что переключение поверхностного слоя под действием теплового излучения имеет место только на отрицательной стороне.


Найти похожие

11.


   
    АСМ-исследование микроволнового воздействия на водородсодержащий сегнетоэлектрик триглицинсульфат [Текст] / Г. И. Овчинникова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 24-28. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- сегнетоэлектрик триглицинсульфат -- микроволновое излучение -- кристаллы -- надмолекулярные образования
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование наноразмерных надмолекулярных образований и их трансформации под воздействием микроволнового излучения в водородсодержащем сегнетоэлектрике – триглицинсульфате (ТГС). Показано, что длительное (2–5 ч) облучение кристалла ТГС на частоте 40 ГГц приводит к таким изменениям поверхности скола, которые могут быть интерпретированы как индуцированный излучением “отжиг” кристалла с одновременным созданием новых дефектных образований. Предложен механизм воздействия, основанный на эффектах соизмеримости времени пролета квазисвободных дипольных частиц – протонов с периодом высокочастотного поля.


Доп.точки доступа:
Овчинникова, Г. И.; Солошенко, А. Н.; Белугина, Н. В.; Гайнутдинов, Р. В.; Толстихина, А. Л.

Найти похожие

12.


   
    Электричество под микроскопом [Текст] / А. Л. Толстихина [и др. ] // Природа. - 2009. - N 4. - С. 18-27 : 8 рис. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. )
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- сегнетоэлектрики -- триглицинсульфат -- электростатические изображения -- кристаллы
Аннотация: Об использовании атомно-силового микроскопа для исследований физических процессов на поверхности кристаллов и тонких пленок.


Доп.точки доступа:
Толстихина, Алла Леонидовна (канд. физ. -мат. наук); Сорокина, Кира Львовна (канд. физ. -мат. наук); Белугина, Наталья Васильевна (канд. физ. -мат. наук); Гайнутдинов, Радмир Вильевич (канд. физ. -мат. наук)

Найти похожие

13.


    Балашова, Е. В.
    Диэлектрическая проницаемость и проводимость пленок триглицинсульфата на подложках Al/SiO[2] и альфа-Al[2]O[3] [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Криченцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 119-123. - Библиогр.: с. 123 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрическая проницаемость -- проводимость пленок -- триглицинсульфат -- пленки триглицинсульфата -- сегнетоэлектрические пленки
Аннотация: Пленки триглицинсульфата (TGS) получены методом испарения из водного раствора на подложках из плавленого кварца, покрытых слоем термически напыленного алюминия (Al/SiO[2]), и подложках лейкосапфира (альфа-Al[2]O[3]), на поверхность которых методом фотолитографии были нанесены электроды в виде встречно-штыревой структуры. Пленки TGS имеют поликристаллическую структуру, состоящую из блоков с размерами 0. 1-0. 3 mm (Al/SiO[2]) и 0. 1x1 mm (альфа-Al[2]O[3]). Полярная ось в блоках ориентирована в основном в плоскости подложки. Температурные зависимости емкости и диэлектрических потерь в направлении, перпендикулярном плоскости пленки, и в плоскости пленки имеют максимумы при температуре, совпадающей с температурой Tc сегнетоэлектрического фазового перехода в объемном кристалле. Низкочастотная проводимость G в структурах TGS/Al/SiO[2] обладает частотной дисперсией, которая описывается зависимостью G около омега{s} (s около 0. 82). Возможным механизмом проводимости является прыжковая проводимость, обусловленная локализованными носителями с энергией основного состояния 0. 8-0. 9 eV. В пленках TGS/альфа-Al[2]O[3] при температурах выше и ниже Tc низкочастотная проводимость обусловлена термоактивационным механизмом с энергией активации 0. 9-1 eV. В области фазового перехода в структурах TGS/альфа-Al[2]O[3] появляется дополнительный вклад в проводимость, характеризующийся частотной дисперсией G около омега {0. 5}, который можно связать с релаксацией доменных стенок.


Доп.точки доступа:
Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В.

Найти похожие

14.


    Голицына, О. М.
    Влияние рентгеновского излучения на эффективную нелинейность кристаллов группы триглицинсульфата [Текст] / О. М. Голицына, С. Н. Дрождин // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 129-133. - Библиогр.: с. 132-133 (25 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
рентгеновское излучение -- нелинейность кристаллов -- триглицинсульфат -- диэлектрическая проницаемость -- сегнетоэлектрические кристаллы -- облучение радикалов -- доменная структура
Аннотация: Исследовано влияние малых доз радиации на пороговый характер поведения эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов группы триглицинсульфата в переменном электрическом поле. Показано, что характер воздействия возникающих в результате облучения радикалов на доменную структуру исследованных кристаллов не является идентичным и определяется природой введенных ранее дефектов. Рассчитаны значения энергии взаимодействия доменных стенок с дефектами.


Доп.точки доступа:
Дрождин, С. Н.

Найти похожие

15.


    Масловская, А. Г.
    Анализ тепловых эффектов, возникающих при взаимодействии электронных пучков с сегнетоэлектрическими кристаллами [Текст] / А. Г. Масловская // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 1. - С. 34-40. - Библиогр.: c. 40 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.331
Рубрики: Физика
   Электростатика

Кл.слова (ненормированные):
конфигурация теплового источника -- кристаллы -- метод источников -- метод конечных разностей -- нестационарное температурное распределение -- нестационарные тепловые поля -- растровый электронный микроскоп -- сегнетоэлектрики -- схема покоординатного расщепления -- тепловое воздействие -- теплофизические характеристики -- триглицинсульфат -- электронная микроскопия
Аннотация: Проведено моделирование пространственного нестационарного температурного распределения в модельном сегнетоэлектрическом образце под воздействием электронных пучков растрового электронного микроскопа (РЭМ). Представлено решение задачи о влиянии сфокусированных источников тепла различных конфигураций на монокристалл сегнетоэлектрика и на кристалл с нанесенными на грани электродами. Реализация модели основана на методе конечных разностей. Предложено программное приложение, позволяющее рассчитать температурные поля и максимальную температуру перегрева при заданных теплофизических характеристиках образца и параметрах эксперимента для различных типов растровых электронных микроскопов.


Найти похожие

16.
539.21:534
К 659


    Копылова, Ирина Борисовна (кандидат физико-математических наук, доцент кафедры ТиЭФ).
    Исследование кристалла триглицинсульфата в низкочастотных полях [Текст] / И. Б. Копылова, авт. Д. С. Ниашев // Вестник Амурского государственного университета. - 2011. - Вып. 53: Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 32-35 : рис. - Библиогр.: с. 35 (2 назв. ) . - ISSN 2073-0268
УДК
ББК 22.372
Рубрики: Физика
   Механические и акустические свойства монокристаллов

Кл.слова (ненормированные):
низкочастотные поля -- триглицинсульфат -- кристаллы триглицинсульфата -- температура Кюри -- Кюри температура -- переполяризация кристаллов -- метод среднего распределения температуры
Аннотация: Рассмотрены общие закономерности процессов переполяризации кристаллов триглицинсульфата с помощью импульсной методики низкочастотных полей.


Доп.точки доступа:
Ниашев, Дмитрий Сергеевич (студент Амурского гос. ун-та)

Найти похожие

17.
537.2
К 964


    Кушнарев, П. И.
    Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС [Текст] / П. И. Кушнарев, А. Г. Масловская, С. В. Барышников // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 1. - С. 78-82. - Библиогр.: c. 82 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 22.331
Рубрики: Физика
   Электростатика

Кл.слова (ненормированные):
внутреннее электрическое поле -- интегральное уравнение Фредгольма -- кристаллы триглицинсульфата -- метод динамического пироэффекта -- метод регуляризации -- пироотклик -- пироэлектрические свойства -- сегнетоэлектрики -- ТГС -- триглицинсульфат -- уравнение Фредгольма -- Фредгольма уравнение
Аннотация: Методом динамического пироэффекта экспериментально исследованы полярные свойства поверхностных слоев кристаллов номинально чистого кристалла триглицинсульфата (ТГС), предварительно поляризованного в постоянном электрическом поле. Представлены результаты моделирования распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием полученных экспериментальных зависимостей. Модель основана на решении интегрального уравнения Фредгольма I рода методом регуляризации по Тихонову.


Доп.точки доступа:
Масловская, А. Г.; Барышников, С. В.

Найти похожие

18.
539.2
Д 753


    Дрождин, С. Н.
    Температурное и временное поведение параметров доменной структуры кристаллов триглицинсульфата вблизи фазового перехода [Текст] / С. Н. Дрождин, авт. О. М. Голицына // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 5. - С. 853-858. - Библиогр.: с. 858 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
доменные структуры -- кристаллы -- триглицинсульфат -- фазовые переходы -- метод атомной силовой микроскопии
Аннотация: Представлены результаты исследования временного и температурного поведения параметров доменной структуры чистых и дефектных (aльфа-аланин, хром, фосфор) кристаллов триглицинсульфата, выявленного при наблюдении доменной структуры методом атомной силовой микроскопии пьезоотклика. С помощью компьютерной обработки изображений доменной структуры исследованных кристаллов получены временные релаксационные зависимости общего периметра доменных границ, скорости бокового движения доменных стенок и коэффициента статической униполярности. Получены температурные зависимости указанных параметров вблизи точки Кюри. Проводится сравнение с литературными данными, а также с собственными результатами измерений диэлектрической проницаемости тех же образцов в аналогичном температурно-временном режиме.


Доп.точки доступа:
Голицына, О. М.

Найти похожие

19.
537
Э 455


   
    Электролюминесценция сегнетокерамики ЦТС в быстро нарастающем электрическом поле [Текст] / С. А. Садыков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 8. - С. 1227-1230. - Библиогр.: с. 1230 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- ЭЛ -- кинетические характеристики -- характеристики люминесценции -- люминесценция -- сегнетоэлектрики -- керамические сегнетоэлектрики -- СК -- переполяризация -- триглицинсульфат -- ТГС
Аннотация: Исследованы кинетические характеристики люминесценции сегнетокерамики на основе ЦТС при сверхбыстром переключении.


Доп.точки доступа:
Садыков, С. А.; Агаларов, А. Ш.; Каллаев, С. Н.; Алигаджиев, О. У.

Найти похожие

20.
537
Р 368


   
    Релаксация диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС, выращенных при температурах ниже нуля градусов по Цельсия [Текст] / О. В. Рогазинская [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 8. - С. 1224-1226. - Библиогр.: с. 1226 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм

Кл.слова (ненормированные):
релаксация -- кристаллы -- свойства кристаллов -- диэлектрические свойства кристаллов -- триглицинсульфат -- ТГС -- пироэлектрические исследования -- сегнетоэлектрики
Аннотация: Исследованы диэлектрические свойства кристаллов сегнетоэлектрического номинально чистого триглицинсульфата.


Доп.точки доступа:
Рогазинская, О. В.; Миловидова, С. Д.; Сидоркин, А. С.; Сидоркин, В. А.; Юрьев, А. Н.

Найти похожие

 1-20    21-21 
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)