Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=постоянное электрическое поле<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

530.1
К 181

Каменский, А. А.
Вероятности радиационных переходов между штарковскими состояниями ортогелия [Текст] / А. А. Каменский, В. Д. Овсянников // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 3. - Библиогр.: с. 569 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
радиационные переходы -- штарковские состояния ортогелия -- штарковские линии -- постоянное электрическое поле -- атом гелия -- гелий -- антикроссинг -- ортогелий
Аннотация: Рассчитана зависимость волновых функций, матричных элементов и вероятностей радиационных переходов между штарковскими подуровнями атомных мультиплетов от напряженности постоянного электрического поля.

Доп.точки доступа:
Овсянников, В. Д.

Найти похожие

537
К 615

Колпакова, Н. Н.
Неэргодичное состояние релаксаторного сегнетоэлектрика Cd[2]Nb[2]O[7] в постоянном электрическом поле [Текст] / Н. Н. Колпакова, П. Чарнецки // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2005. - Т. 127, N 5. - Библиогр.: с. 1098 . - ISSN 0044-4510

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
релаксаторный сегнетоэлектрик -- постоянное электрическое поле -- электрическое поле -- неэргодичное состояние -- пироэлектрический ток
Аннотация: На примере релаксаторной системы Cd[2]Nb[2]O[7] исследована температурная зависимость остаточной поляризации неэргодичного релаксаторного состояния (NERS) , полученной из измерений пироэлектрического тока при нагревании в нулевом поле (ZFH) в интервале от 10 до 295 K.

Доп.точки доступа:
Чарнецки, П.

Найти похожие

539.2
С 288

Сеидов, Мир-Гасан Ю..
Влияние внешних воздействий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe[2] [Текст] / Мир-Гасан Ю. Сеидов, Р. А. Сулейманов [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 105-114. - Библиогр.: с. 113-114 (56 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
эффект термической памяти -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- несоизмеримые фазы -- постоянное электрическое поле -- световое воздействие -- диэлектрическая постоянная
Аннотация: Приводятся и обсуждаются особенности влияния внешних воздействий (постоянное электрическое поле, световое воздействие) на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe[2], регистрируемый по данным измерения диэлектрической постоянной. Впервые продемонстрировано, что влияние внешних воздействий на аномалию, связываемую с проявлением эффекта термической памяти в TlGaSe[2], сводится к некоему универсальному эмпирическому правилу: при длительной временной выдержке образца при постоянной температуре T[0] в области несоизмеримой фазы в присутствии постоянного электрического поля сильно увеличивается амплитуда прогиба в низкотемпературной части аномалии температурной зависимости относительного измерения диэлектрической постоянной дельта эпсилон / эпсилон (при этом стирается прогиб в высокотемпературной части аномалии дельта эпсилон / эпсилон (T) ) по сравнению с аналогичным участком зависимости, полученной при изотермическом отжиге образца при той же температуре, но без электрического поля. При этом кристалл "вспоминает" свою предысторию при температуре, смещенной относительно T[0] на несколько градусов в сторону более высоких температур. Световое же воздействие увеличивает амплитуду прогиба в высокотемпературной части аномалии дельта эпсилон / эпсилон (T), смещая температуру при которой кристалл "вспоминает" свою предысторию, в сторону более низких температур относительно T[0].

Доп.точки доступа:
Сулейманов, Р. А.; Бабаев, С. С.; Мамедов, Т. Г.; Шарифов, Г. М.

Найти похожие

Делев, В. А.
Эффект пространственно-временной синхронизации доменных осцилляций в системе электроконвекции нематических жидких кристаллов [Текст] / В. А. Делев, О. А. Скалдин, Ю. И. Тимиров // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 13. - С. 49-57 : ил. - Библиогр.: с. 56-57 (11 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
методы оптической дифракции -- анализ Фурье -- Фурье анализ -- временной анализ интенсивности -- пространственно-временная синхронизация -- доменные осцилляции -- система электроконвекции -- НЖК -- кристаллы -- жидкие кристаллы -- нематические жидкие кристаллы -- ячейки -- динамика доменной структуры -- доменные структуры -- псевдогексагональные доменные структуры -- электроконвекция -- электрические поля -- постоянное электрическое поле -- процессы эволюции системы -- электрогидродинамическая неустойчивость -- планарные слои -- ЖК-образцы -- сверхрешетки -- фазовые волны -- источники фазовых волн
Аннотация: Методами оптической дифракции и временного Фурье-анализа интенсивности прошедшего через ячейку с НЖК света изучена динамика нестационарной псевдогексагональной доменной структуры, которая возникает при электроконвекции в нематических жидких кристаллах в постоянном электрическом поле. Исследован процесс эволюции системы от невозмущенного состояния до режима развитых доменных осцилляций. Обнаружено, что выше порога, электрогидродинамической неустойчивости в планарных слоях НЖК имеет место пространственно-временная синхронизация доменных осцилляций во всем ЖК-образце с образованием сверхрешетки, узлами которой являются источники фазовых волн.

Доп.точки доступа:
Скалдин, О. А.; Тимиров, Ю. И.

Найти похожие

Самовоздействие светового пучка в нематических жидких кристаллах в присутствии постоянного электрического поля [Текст] / И. А. Будаговский [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 1. - С. 150-161. - Библиогр.: с. 160-161 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
самовоздействие светового пучка -- световые пучки -- нематические жидкие кристаллы -- жидкие кристалл -- кристаллы -- постоянное электрическое поле -- электрическое поле
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования самовоздействия светового пучка в нематических жидких кристаллах, находящихся под воздействием постоянного электрического поля, и построена теория этого эффекта.

Доп.точки доступа:
Будаговский, И. А.; Золотько, А. С.; Смаев, М. П.; Барник, М. И.

Найти похожие

530.1
Р 243

Распад отрицательного молекулярного иона в постоянном электрическом поле [Текст] / С. В. Борзунов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 5. - С. 835-855. - Библиогр.: с. 854-855 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
распад молекулярного иона -- молекулярные ионы -- отрицательные молекулярные ионы -- постоянное электрическое поле -- электрическое поле -- ионы
Аннотация: Рассматривается задача о сдвиге и уширении энергетических уровней электрона в поле двух трехмерных короткодействующих потенциалов (например, модель отрицательного молекулярного иона) постоянным электрическим полем напряженностью F.

Доп.точки доступа:
Борзунов, С. В.; Манаков, Н. Л.; Старас, А. Ф.; Фролов, М. В.

Найти похожие

530.1
О-110

О рождении бустовых пар постоянным электрическим полем [Текст] / Е. Г. Гельфер [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 6. - С. 1073-1087. - Библиогр.: с. 1087 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
рождение бустовых пар -- постоянное электрическое поле -- бустовые пары -- квантование -- комплексное скалярное поле -- скалярное поле -- электрическое поле
Аннотация: Рассмотрена задача о квантовании комплексного скалярного поля во внешнем постоянном однородном электрическом поле в базисе бустовых мод.

Доп.точки доступа:
Гельфер, Е. Г.; Мур, В. Д.; Нарожный, Н. Б.; Федотов, А. М.

Найти похожие

539.2
С 176

Самосборка коллоидных частиц в присутствии электрического поля [Текст] / Н. А. Саполетова [и др.] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 6. - С. 1064-1068. - Библиогр.: с. 1068 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
метод формирования фотонных кристаллов -- коллоидные частицы -- конвекционное осаждение -- вертикально расположенные подложки -- постоянное электрическое поле
Аннотация: Предложен метод формирования фотонных кристаллов, основанный на конвекционном осаждении коллоидных частиц на вертикально расположенные подложки в присутствии постоянного электрического поля, направленного перпендикулярно образующейся пленке, и переменного электрического поля в плоскости подложки. Структура и оптические свойства полученных коллоидных кристаллов изучены с помощью растровой электронной микроскопии, малоугловой дифракции рентгеновского излучения и оптической спектроскопии.

Доп.точки доступа:
Саполетова, Н. А.; Мартынова, Н. А.; Напольский, К. С.; Елисеев, А. А.; Лукашин, А. В.; Колесник, И. В.; Петухов, Д. И.; Кушнир, С. Е.; Васильева, А. В.; Григорьев, С. В.; Григорьева, Н. А.; Мистонов, А. А.; Белов, Д. В.; Третьяков, Ю. Д.

Найти похожие

53:51
Я 646

Яновский, В. В.
Заряженная композитная частица в постоянном электрическом поле / В. В. Яновский, А. В. Тур, Ю. Н. Масловский // Теоретическая и математическая физика. - 2013. - Т. 175, № 2. - С. 247-278 : 14 рис. - Библиогр.: с. 277-278 (22 назв.) . - ISSN 0564-6162

ГРНТИ	29.05.03
УДК	53:51	530.1

ББК 22.311 + 22.31
Рубрики: Физика
Математическая физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
заряженные композитные частицы -- биллиардный формализм -- обобщенный прием Шварца -- Шварца обобщенный прием -- постоянное электрическое поле
Аннотация: Рассмотрено движение заряженной композитной частицы в постоянном электрическом поле. С использованием биллиардного формализма установлены точные законы движения такой частицы с небольшим числом внутренних степеней свободы.

Доп.точки доступа:
Тур, А. В.; Масловский, Ю. Н.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)