Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=пороговая мощность<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Емельянов, А. М.
    Модуляция мощности краевой фотолюминесценции монокристаллического кремния изменением напряжения на p-n-переходе [Текст] / А. М. Емельянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 18. - С. 80-86 : ил. - Библиогр.: с. 86 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.374 + 22.345
Рубрики: Физика
   Оптические свойства твердых тел

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые структуры -- фотолюминесценция -- краевая фотолюминесценция -- квазистационарная фотолюминесценция -- краевая квазистационарная фотолюминесценция -- модуляция мощности -- кремний -- Si -- монокристаллический кремний -- изменение напряжения -- p-n-переходы -- электронно-дырочные переходы -- солнечные элементы -- комнатная температура -- мощность -- квантовая эффективность -- лазеры -- импульсные излучения -- длины волн -- постоянный прямой ток -- пороговая мощность -- возбуждение фотолюминесценции -- обратное напряжение
Аннотация: Для кремниевой структуры, полученной из высокоэффективного солнечного элемента, при комнатной температуре исследованы зависимости мощности и квантовой эффективности краевой квазистационарной фотолюминесценции (ФЛ) от мощности импульсного излучения лазера на длине волны 658 nm. Варьировались величины постоянного прямого тока или обратного напряжения на p-n-переходе. При пропускании постоянного прямого тока обнаружено значительное увеличение мощности и квантовой эффективности квазистационарной ФЛ, а также уменьшение пороговой мощности возбуждения ФЛ. Приложение обратного напряжения вызывало противоположные эффекты. Рассмотрены возможные физические причины наблюдаемых явлений.


Найти похожие

2.


    Журавлев, М. В.
    Пороговая мощность вынужденного температурного рассеяния в кварцевых микрорезонаторах [Текст] / М. В. Журавлев // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 6. - С. 135-137. - Библиогр.: c. 137 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
микрорезонаторы -- кварцевые микрорезонаторы -- температурное рассеяние -- вынужденное температурное рассеяние -- пороговая мощность -- датчики температуры
Аннотация: Представлена пороговая мощность вынужденного температурного рассеяния в зависимости от параметра дифракции и длины волны лазерной накачки, рассчитанная для двухмодового режима взаимодействия в высокодобротных сферических микрорезонаторах из плавленного кварца. Показано, что пороговая мощность по порядку величины сравнима с пороговой мощностью возбуждения рамановской генерации и тепловой неустойчивости в сферических кварцевых микрорезонаторах. Низкая пороговая мощность вынужденного температурного рассеяния порядка 100 muW для резонатора с радиусом 35 mum на длине волны лезерной накачки 0. 840 mum определяет прикладное значение микрорезонаторов в качестве высокочувствительного датчика температуры, измерителя коэффициента теплопроводности, теплоемкости и стабилизатора для микролазеров.


Найти похожие

3.
535.2/.3
Л 175


   
    Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs / А. М. Надточий [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 18. - С. 70-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (14 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
микродисковые резонаторы -- кремневые подложки -- лазерная генерация -- спектроскопия -- метод спектроскопии фотолюминесценции -- квантовые точки -- селективное травление -- температурные режимы -- пороговая мощность
Аннотация: Методом спектроскопии фотолюминесценции исследованы микродисковые резонаторы на основе квантовых точек InAs/GaAs, отделенные от подложки GaAs селективным травлением и смонтированные на подложку кремния с помощью эпоксидного клея. Дисковый резонатор диаметром 6 mum продемонстрировал квазиодночастотную лазерную генерацию при температуре 78 K с пороговой мощностью 320 muW и lambda/Deltalambda приблизительно 27 000.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/18/p70-77.pdf

Доп.точки доступа:
Надточий, А. М.; Крыжановская, Н. В.; Максимов, М. В.; Жуков, А. Е.; Моисеев, Э. И.; Кулагина, М. М.; Вашанова, К. А.; Задиранов, Ю. М.; Мухин, И. С.; Аракчеева, Е. М.; Livshits, D.; Липовский, А. А.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)