Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
^a536.42
ББК 22.375
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- объемные кристаллы -- получение объемных кристаллов -- сублимационная эпитаксия -- 3C-SiC -- структурное совершенство -- эпитаксиальные слои -- политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои -- подложки (физика) -- метод Лэли -- Лэли метод
Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.


Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Зубрилов, А. С.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Середова, Н. В.; Трегубова, А. С.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)