Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=показатель поглощения<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Сидоров, А. И.
Модуляция излучения при нарушении полного внутреннего отражения с возбуждением волноводной моды [Текст] / А. И. Сидоров // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 6. - С. 59-63. - Библиогр.: c. 63 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
модуляция излучения -- полное внутреннее отражение -- коэффициент пропускания -- многослойные структуры -- планарные волноводы -- волноводы -- показатель преломления -- показатель поглощения
Аннотация: Представлены результаты численного моделирования поперечного коэффициента пропускания многослойной структуры с планарным волноводом при модуляции его показателя преломления и поглощения. Показано, что оптические свойства такой структуры обладают высокой чувствительностью к изменению показателя преломления и поглощения (усиления) волноводного слоя. Проведен анализ влияния оптических и геометрических характеристик структуры на ее оптические свойства. Рассмотрена модуляция коэффициента пропускания и отражения для структуры, содержащей волновод с усиливающей средой.

Найти похожие

Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких ферромагнитных слоев InMnAs [Текст] / Е. А. Ганьшина [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 7. - С. 12-15

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
показатель преломления -- показатель поглощения -- показатель экваториального эффекта Керра -- Керра показатель экваториального эффекта -- метод лазерного распыления -- магнитооптическая спектроскопия
Аннотация: Исследованы спектральные зависимости показателей преломления, поглощения (h ню = 1. 2-4. 4 эВ) и экваториального эффекта Керра дельта (h ню) (h ню = 0. 5-4. 4 эВ) слоев InMnAs, полученных методом лазерного распыления. Определены спектры диагональных эпсилон (h ню) и недиагональных эпсилон’ (h ню) компонент тензора диэлектрической проницаемости слоев. Проведено сравнение спектральных зависимостей дельта (h ню), эпсилон’ (h ню) и эпсилон’[2] ? (h ню) \{2\} слоев InMnAs и MnAs. Особенности в спектрах слоев InMnAs объяснены конкуренцией вкладов матрицы In1 - [x]Mn[x]As и включений фазы MnAs.

Доп.точки доступа:
Ганьшина, Е. А.; Голик, Л. Л.; Ковалев, В. И.; Кунькова, З. Э.; Звонков, Б. Н.; Виноградов, А. Н.

Найти похожие

539.21:535
Э 474

Эллипсометрическая методика определения показателя поглощения полупроводниковых нанослоев in situ / Н. Н. Косырев [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 5. - С. 109-112. - Библиогр.: c. 112 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
показатель поглощения -- полупроводниковые нанослои -- нанослои -- эллипсометрия -- тонкие пленки -- рост пленок -- эллипсометрические измерения -- обратная задача эллипсометрии
Аннотация: Разработан и реализован алгоритм, позволяющий на основании однозонных эллипсометрических измерений в процессе роста тонких полупроводниковых пленок решать обратную задачу эллипсометрии с целью определения показателя поглощения. Методика основана на анализе изменения эллипсометрических параметров Psi и Delta непосредственно в процессе роста. Апробация алгоритма проведена в процессе синтеза структур Si/SiO[2]/Si (100) и Hg[1-x]Cd[x]Te.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/05/p109-112.pdf

Доп.точки доступа:
Косырев, Н. Н.; Швец, В. А.; Михайлов, Н. Н.; Варнаков, С. Н.; Овчинников, С. Г.; Рыхлицкий, С. В.; Яковлев, И. А.; Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН; Новосибирский государственный университет; Институт физики полупроводников СО РАН; Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М. Ф. Решетнева; Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН; Институт физики полупроводников СО РАН; Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)