Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=обрыв тока<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
621.38
К 995

    Кюрегян, А. С.
    Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 64 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
621.38
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
дрейфовые диоды -- дрейфовые диоды с резким восстановлением -- обрыв тока -- прерыватели тока
Аннотация: Построена аналитическая теория работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) в качестве прерывателя тока в генераторах с индуктивным накопителем энергии. Теория учитывает нелинейность зависимостей сопротивления базовых областей и барьерных емкостей диодов от прошедшего через них заряда. Получены простые соотношения для параметров ДДРВ (толщины и легирования базы, заряда неравновесных дырок, извлекаемого из базы за время TB фазы высокой обратной проводимости, площади и количества m последовательно соединенных диодов) , контура (индуктивности и емкости накопителя, начального напряжения UC0 на емкости) , которые обеспечат формирование импульса напряжения с требуемыми длительностью переднего фронта t[B] и амплитудой U[m] на нагрузке. Показано, что предельные значения коэффициентов перенапряжения U[m]/U[C0] и обострения T[B]/t[B], которые могут быть достигнуты при заданном коэффициенте полезного действия k, ограничены фактором, пропорциональным k{omega}* (1-k) E[B]/E[s], где omega=0. 27 (для U[m]/U[C0]) , или omega=-0. 3 (для T[B]/t[B]) , E[B] - пробивная напряженность поля, E[s]=v[s]/mu, v[s] и mu- насыщенная дрейфовая скорость и подвижность дырок в слабых полях соответственно. Максимальное значение скорости нарастания напряжения, которое может быть получено с помощью одноэлементного (m=1) ДДРВ, равно 0. 3vsEB. Проведен сравнительный анализ характеристик ДДРВ на основе Si и 4H-SiC. Результаты аналитической теории подтверждены путем численного моделирования процесса восстановления.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-57.html.ru

Найти похожие
2.


    Рукин, С. Н.
    Влияние объемного заряда на процесс субнаносекундного обрыва тока в мощных полупроводниковых диодах [Текст] / С. Н. Рукин, С. Н. Цыранов, С. О. Ширяева // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 30-35. - Библиогр.: c. 35 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
^a621.382
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
мощные диоды -- обрыв тока -- объемный заряд -- SOS-диоды -- прерыватели тока
Аннотация: На основе физико-математической модели, учитывающей влияние объемного заряда, исследован процесс обрыва тока высокой плотности в структуре SOS-диода. Установлено, что при глубине залегания p-n-перехода более 180 mum, времени прямой накачки менее 60 ns и времени обратной накачки менее 20 ns реализуется субнаносекундный обрыв тока плотностью в единицы kA/cm{2}. Механизм обусловлен возникновением на стадии обрыва тока трех областей сильного поля: двух расширяющихся со скоростью, близкой к насыщенной, расположенных в p-области и одной, медленно расширяющейся, в n-области структуры. Показано, что учет объемного заряда снижает роль процессов лавинного размножения и, как следствие, обеспечивает более высокие коммутационные характеристики диода. Установлено, что для реализации субнаносекундного обрыва тока необходимо одновременное выполнение совокупности условий по параметрам электрической схемы, определяющим продолжительность и плотность тока накачки, и профилю легирования полупроводниковой структуры. Полученные результаты сравниваются с экспериментом и моделью, использующей квазинейтральное приближение.


Доп.точки доступа:
Цыранов, С. Н.; Ширяева, С. О.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)