Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=многокомпонентные гетероструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
535.3:537.531:539.219.621
В 167

    Валюхов, Д. П.
    Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} [Текст] / Д. П. Валюхов, С. В. Лисицын [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0021-3411
УДК
535.3:537.531:539.219.621
ББК 22.34 + 22.33 + 22.37
Рубрики: Физика--Оптика--Электричество и магнетизм--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
висмутсодержащие гетероструктуры -- многокомпонентные гетероструктуры -- спектроскопия -- оптоэлектроника
Аннотация: Приведены результаты комплексного исследования многокомпонентных гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} на примере висмутсодержащих твердых растворов, проведенного методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Получены профили распределения компонентов в структурах. Описываются свойства и перспективы таких соединений.


Доп.точки доступа:
Лисицын, С. В.; Зорькин, А. Э.; Пигулев, Р. В.; Хабибулин, И. М.; Благин, А. В.

Найти похожие
2.


    Рабинович, О. И.
    Метод исследования полупроводниковых материалов и гетерогенных структур на основе компьютерного моделирования [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 8. - С. 37-41. - Библиогр.: с. 41 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
УДК
^a537.3
ББК 22.332
Рубрики: Физика
   Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
методы исследования полупроводниковых материалов -- исследование полупроводниковых материалов -- полупроводниковые материалы -- гетероструктуры -- компьютерное моделирование -- AlGaInN (гетероструктуры) -- многокомпонентные гетероструктуры -- программы -- неразрушающие методы -- квантово-размерные ямы -- гетероструктуры с квантово-размерными ямами
Аннотация: Описана методика исследования полупроводниковых материалов и гетероструктур на основе компьютерного моделирования, а также влияния изменения их строения на рабочие характеристики приборов на их основе.


Доп.точки доступа:
Сушков, В. П.; Центр оптоэлектронных систем при Колорадском университетеКолорадский университет \центр оптоэлектронных систем\

Найти похожие
3.


    Рабинович, О. И.
    Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN [Текст] / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 548-551
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- квантоворазмерные ямы -- компьютерное моделирование -- параметры слоев кристаллов -- спектры излучения
Аннотация: Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих " нанодиодах" на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов.


Доп.точки доступа:
Сушков, В. П.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)