Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=захват носителей заряда<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
539.107
И 206

    Иванов, А. М.
    Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 4. - С. 131-135. - Библиогр.: c. 134-135 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
539.107
539.2
ББК 22.381 + 22.37
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
детекторы ядерного излучения -- радиационная стойкость -- широкозонные материалы -- карбид кремния -- радиационные дефекты -- радиационные центры -- поляризация -- ЭДС -- электродвижущая сила -- захват носителей заряда -- напряженность поля поляризации -- глубокие центры
Аннотация: При значительных концентрациях радиационных дефектов для детекторов на основе широкозонных материалов характерен эффект поляризации. Появление в объеме детектора ЭДС связано с долговременным захватом носителей заряда на глубокие уровни радиационных центров. Экспериментально установлены характер кинетики и величина напряженности поля поляризации. Повышением температуры возможно регулировать захват и достичь при "оптимальной" температуре компромисса между величиной генерационного тока и положением наиболее глубокого из уровней, чей вклад в потери заряда путем захвата носителей пренебрежимо мал. Оказалось, что глубина такого рода уровня (отнесенная к ширине запрещенной зоны) близка к значению 1/3 независимо от материала. Значения температур для материалов строго индивидуальны.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/04/p131-135.pdf

Доп.точки доступа:
Строкан, Н. Б.; Лебедев, А. А.

Найти похожие
2.
537
П 858

   
    Прямое наблюдение процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / В. И. Зубков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 1. - С. 111-113. - Библиогр.: с. 113 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
УДК
537
ББК 22.33
Рубрики: Физика
   Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые точки -- КТ -- эмиссии носителей заряда -- скорость захвата носителей заряда -- захват носителей заряда -- емкостная микроскопия
Аннотация: Впервые проведены исследования по прямому наблюдению процесса захвата носителей заряда в массив самоорганизующихся квантовых точек InAs/GaAs методом перезарядки емкости.


Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.; Шульгунова, И. С.; Соломонов, А. В.; Geller, M.; Marent, A.; Bimberg, D.; Жуков, А. Е.; Семенова, Е. С.; Устинов, В. М.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)