Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дифракционные пики<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

Грушина, Н. В.
Особенности дифракции света на оптических решетках Фибоначчи [Текст] / Н. В. Грушина, П. В. Короленко, С. Н. Маркова // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2008. - N 2. - С. 40-43 : Рис. - Библиогр.: c. 43 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
дифракционные пики -- дифракционные решетки -- дифракция света -- одномерные квазикристаллы -- оптические решетки -- решетки Фибоначчи -- свет -- Фибоначчи решетки -- фракталы
Аннотация: Рассмотрены характеристики дифракционных решеток, в основу построения которых положены геометрические свойства одномерных квазикристаллов. Установлено, что положение дифракционных пиков обладает высокой степенью устойчивости к разнообразным возмущениям структуры решетки при условии сохранения закономерности чередования ее отдельных элементов. При этом остается неизменным фрактальный характер дифракционной картины, геометрия которой отражает принцип золотого сечения.

Доп.точки доступа:
Короленко, П. В.; Маркова, С. Н.

Найти похожие

Кютт, Р. Н.
Межслоевая релаксация в гетероструктурах A{III}-нитридов по данным рентгеновской дифракции [Текст] / Р. Н. Кютт, Ю. А. Динаев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 21. - С. 8-15 : ил. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
межслоевая релаксация -- гетероструктуры -- нитриды -- рентгеновская дифракция -- рентгенодифракционное исследование -- гетеросистемы -- двухслойные гетеросистемы -- InN-GaN -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод газофазной эпитаксии -- сапфиры -- дифракционные пики -- дифракция -- компоненты тензора -- микродисторсия -- дислокации -- дислокационные структуры -- слои (физика) -- механизмы релаксации -- упругие напряжения
Аннотация: Проведено рентгенодифракционное исследование структурного совершенства 2 образцов двухслойной гетеросистемы InN-GaN, выращенной методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии на (0001) -плоскости сапфира. Из анализа уширений дифракционных пиков, измеренных в разной геометрии дифракции, получены компоненты тензора микродисторсии и из них оценена плотность отдельных семейств дислокаций в каждом из слоев. Прослежено изменение дислокационной структуры от нижележащего слоя GaN к вышележащему слою InN. Разница в поведении дислокаций в 2 образцах, выращенных разными методами, позволяет предположить разные механизмы релаксации упругих напряжений между слоями InN и GaN в этих двух случаях.

Доп.точки доступа:
Динаев, Ю. А.

Найти похожие

Микроструктура и деформации молекулярно-пучковых эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 265-269 : ил. - Библиогр.: с. 268 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- ЭС -- двойные буферные слои -- ДБС -- деформации -- сапфир -- ZnO -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- рентгеновская дифрактометрия -- дифракции -- дифракционные пики -- геометрия Брегга -- Брегга геометрия -- геометрия Лауэ -- Лауэ геометрия -- мод-сканирование -- коэффициент температурного расширения -- КТР -- дислокации
Аннотация: Деформация и кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев ZnO на сапфире, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, изучались с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Деформационное состояние определялось по измерениям макроизгиба образцов. Структурное совершенство слоев анализировалось на основе измерения дифракции в геометриях Брегга и Лауэ с использованием theta- и (theta-2theta) -мод сканирования. Найдено, что полученные слои (Zn/O > 1) испытывают биаксиальные растягивающие напряжения, в то время как для Zn/O <1 напряжения отсутствуют. Из уширения дифракционных пиков рассчитывается плотность дислокаций различного типа и геометрии залегания.

Доп.точки доступа:
Ратников, В. В.; Кютт, Р. Н.; Иванов, С. В.; Щеглов, М. П.; Baar, A.

Найти похожие

Анизотропия упругих напряжений и особенности дефектной структуры a-ориентированных эпитаксиальных пленок GaN, выращенных на r-грани сапфира [Текст] / Р. Н. Кютт [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1687-1692. - Библиогр.: с. 1692 (21 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия напряжений в плоскостях -- упругие напряжения -- сапфир -- пленки -- эпитаксиальные пленки -- межплоскостные расстояния -- дифракционные пики -- дислокации краевого типа
Аннотация: Проведено рентгенодифракционное исследование структурного состояния эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом MOVPE на r-грани сапфира. На двух- и трехкристальном дифрактометре измерялись межплоскостные расстояния в двух направлениях в плоскости интерфейса (11-20) и перпендикулярно ей, дифракционные пики theta- и theta-2theta-мод сканирования в геометрии Брэгга и Лауэ, а также строились карты распределения интенсивности для асимметричных брэгговских рефлексов в двух азимутальных положениях образца. Полученные данные демонстрируют анизотропию упругой деформации и уширения дифракционной картины параллельно плоскости интерфейса. Слои сжаты в направлении [1-100] и не деформированы в направлении [0001]. Уширение брэгговских рефлексов значительно больше в направлении [1-100] по сравнению с [0001]. На основе построения Вильямсона--Холла для брэгговских и лауэвских отражений показано, что эти уширения не связаны с различной степенью мозаичности, а обусловлены локальными дилатациями и разориентациями вокруг дефектов. На основе анализа полученных данных делаются выводы о дислокационной структуре образцов.

Доп.точки доступа:
Кютт, Р. Н.; Щеглов, М. П.; Ратников, В. В.; Николаев, А. Е.

Найти похожие

Кютт, Р. Н.
Изучение дефектной структуры эпитаксиальных слоев GaN на основе анализа пиков трехволновой дифракции рентгеновских лучей [Текст] / Р. Н. Кютт // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 14-21 : ил. - Библиогр.: с. 21 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

^a535-34/-36

ББК 22.37 + 22.346
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Рентгеновские лучи. Гамма-лучи
Кл.слова (ненормированные):
дефектные структуры -- эпитаксиальные слои -- GaN -- рентгеновские лучи -- дифракция лучей -- эпитаксиальные пленки -- дислокации -- плотность дислокаций -- схема Реннингера -- Реннингера схема -- дифракционные пики -- трехволновые дифракционные пики -- varphi-сканирование -- theta-мода -- брэгговские углы -- трехволновые пики -- расщепление пиков -- крупноблочные структуры -- трехволновые комбинации
Аннотация: Проведены измерения многоволновой дифракции рентгеновских лучей в эпитаксиальных пленках GaN с разной плотностью дислокаций. Использовалась схема Реннингера с первичным запрещенным отражением 0001. Проанализирована угловая ширина трехволновых дифракционных пиков как в направлении varphi-сканирования (вращение вокруг нормали к поверхности), так и theta-моды сканирования (вращение около брэгговского угла). Обнаружено расщепление трехволновых пиков Реннингера, обусловленное крупноблочной структурой слоев. Показана высокая чувствительность полуширины пиков theta-моды для некоторых трехволновых комбинаций к плотности дислокаций.

Найти похожие

539.21:535
К 996

Кютт, Р. Н.
Трехволновая дифракция в нарушенных эпитаксиальных слоях с вюрцитной структурой [Текст] / Р. Н. Кютт // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 5. - С. 81-88. - Библиогр.: c. 87-88 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.21:535

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
трехволновая дифракция -- эпитаксиальные слои -- рентгеновские лучи -- дифракция рентгеновских лучей -- схема Реннингера -- Реннингера схема -- нитрид галлия -- дифракционные кривые -- дифракционные пики -- пики Реннингера -- Реннингера пики -- дислокационные структуры -- плотность дислокаций -- дислокации -- вюрцитная структура -- phi-сканирование -- theta-сканирование
Аннотация: Проведены экспериментальные измерения трехволновой дифракции рентгеновских лучей по схеме Реннингера для серии эпитаксиальных слоев GaN различной толщины и разного структурного совершенства. В каждом угловом интервале азимутального вращения в 30{o} наблюдаются все 10 трехволновых пиков, обусловленных геометрией дифракции с первичным запрещенным отражением 0001 и CuK[alpha]-излучением. Для каждой трехволновой комбинации измерены дифракционные кривые phi- и theta-сканирования. Проанализированы угловая полуширина полученных дифракционных пиков и ее связь с параметрами двухволновой дифракционной картины и дислокационной структурой слоев. Показано, что пики phi-сканирования менее чувствительны к степени структурного совершенства, чем пики theta-моды. Обнаружено расщепление трехволновых пиков Реннингера, обусловленное крупноблочной структурой некоторых из исследованных слоев с разворотами блоков вокруг нормали к поверхности. Определена полная интегральная интенсивность всех трехволновых комбинаций, их соотношения качественно соотносятся с теорией.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/05/p81-88.pdf

Найти похожие

539.26
С 404

Сиротинкин, В. П.
Определение микроструктурных характеристик магнетита в магнитных тонерах методом Вильямсона - Холла [Текст] / В. П. Сиротинкин, В. Ф. Шамрай, Н. Н. Лобанов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 10. - С. 25-27. - Библиогр.: с. 27 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

539.26

ББК 22.361
Рубрики: Физика
Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
микроструктурные характеристики -- магнетиты -- магнитные тонеры -- метод Вильямсона - Холла -- Вильямсона - Холла метод -- рентгенодифракционные спектры -- когерентное рассеяние -- микродеформации магнетитов -- рентгенографические методы -- дифракционные пики
Аннотация: По рентгенодифракционным данным определены величины областей когерентного рассеяния и средних микродеформаций магнетита для магнитных тонеров.

Доп.точки доступа:
Шамрай, В. Ф.; Лобанов, Н. Н.

Найти похожие

544.22
С 173

Самойлов, А. И.
Нестесненный мисфит в жаропрочных монокристаллических никелевых сплавах [Текст] / А. И. Самойлов, Р. М. Назаркин, Н. С. Моисеева // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, № 11. - С. 36-38. - Библиогр.: с. 38 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

544.22

669.7/.8

ББК 24.52 + 34.23/25
Рубрики: Химия
   Химия твердого тела
   Технология металлов
   Металловедение цветных металлов и сплавов
Кл.слова (ненормированные):
нестесненный мисфит -- мисфит -- жаропрочные никелевые сплавы -- никелевые сплавы -- сплавы -- монокристаллические никелевые сплавы -- дифракционные пики -- рентгеноструктурный анализ -- синглеты -- межфазные напряжения
Аннотация: Описаны методики определения величин нестесненного мисфита, позволяющие получить его значение без вклада, вносимого межфазными напряжениями.

Доп.точки доступа:
Назаркин, Р. М.; Моисеева, Н. С.

Найти похожие

539.21:535
К 996

Кютт, Р. Н.
Влияние микроструктуры эпитаксиальных слоев на форму рентгеновских дифракционных пиков [Текст] / Р. Н. Кютт, авт. А. А. Дышеков // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 7. - С. 31-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:535^V3

ББК 22.374
Рубрики: Физика
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные слои -- дифракционные пики -- рентгеновские дифракционные пики -- форма пиков -- дифракционные отражения -- брэгговская геометрия -- лауэвская геометрия -- функция Войта -- Войта функция -- аппроксимация -- сканирование -- системы дислокаций -- гауссовская составляющая -- лоренцовская составляющая -- войт-функция -- дислокации
Аннотация: Измерены дифракционные отражения от эпитаксиальных слоев с разным типом микроструктуры в брэгговской и лауэвской геометрии. На основе аппроксимации функцией Войта проанализирована форма дифракционных пиков theta- и theta-2theta-мод сканирования. Показано, что для более регулярных систем дислокаций преобладает гауссовская составляющая, чем хаотичнее распределены дислокации, тем больше доля лоренцовской составляющей в форме пиков. На дальних крыльях распределения интенсивность спадает быстрее войт-функции.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/07/p31-37.pdf

Доп.точки доступа:
Дышеков, А. А.

Найти похожие

10.

539.2
К 996

Кютт, Р. Н.
Структурная характеризация сверхрешеток AlGaN/GaN на основе трехволновой дифракции рентгеновских лучей [Текст] / Р. Н. Кютт // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 77-85 : ил. - Библиогр.: с. 84-85 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2^V3

621.375^V3

ББК 22.37 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновские лучи -- эпитаксиальные сверхрешетки -- трехволновая дифракция -- схема Реннингера -- Реннингера схема -- метод MOCVD -- сапфиры -- c-сапфиры -- theta-сканирование -- пики theta-сканирования -- диаграмма Реннингера -- Реннингера диаграмма -- varphi-сканирование -- кривые varphi-сканирования -- дифракционные картины -- сателлиты -- азимутальное положение -- дифракционные пики -- дефектные структуры -- структурные параметры -- методы определения
Аннотация: По схеме Реннингера измерена трехволновая дифракция рентгеновских лучей от эпитаксиальных сверхрешеток AlGaN/GaN, выращенных методом MOCVD на c-сапфире. В качестве первичного взято запрещенное отражение 0001. В положении каждого трехволнового рефлекса измерялись пики theta-сканирования. Из угловых положений пиков на диаграмме Реннингера (кривых varphi-сканирования) определены средние параметры a и c сверхрешеток. Показана возможность получения дифракционной картины с сателлитами на theta-2theta-кривой 0001-отражения в азимутальном положении трехволновой дифракции. Проанализированы угловые полуширины дифракционных пиков как varphi-, так и theta-сканирования в их связи с дефектной структурой слоев. На этой основе предлагается новый метод определения структурных параметров сверхрешеток.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p77-85.pdf

Найти похожие

11.

543.4/.5
О-624

Определение структурных характеристик нанопорошков вольфрама по профилю одного рентгеновского дифракционного пика по программе WinFit / В. П. Сиротинкин [и др.]. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2014. - Т. 80, № 4. - С. 33-37. - Библиогр.: с. 37 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861

УДК

543.4/.5

004.9

ББК 24.46/48 + 32.973-018.2
Рубрики: Химия
   Физико-химические методы анализа
   Вычислительная техника
   Прикладные информационные (компьютерные) технологии в целом
Кл.слова (ненормированные):
микроструктурные характеристики -- нанопорошки вольфрама -- профили дифракционных пиков -- рентгеновские дифракционные пики -- когерентное рассеяние -- микродеформации -- плазмохимический синтез -- водородное восстановление -- вольфрамовая кислота -- дифракционные пики -- рентгеновская дифракция -- программные пакеты
Аннотация: По программе WinFit по профилю одного дифракционного пика определены значения областей когерентного рассеяния и микродеформаций для порошков вольфрама, полученных плазмохимическим синтезом и методом водородного восстановления из вольфрамовой кислоты.

Доп.точки доступа:
Сиротинкин, В. П.; Михайлова, А. Б.; Шамрай, В. Ф.; Самохин, А. В.; Синайский, М. А.; Тихомиров, С. А.; Тарасов, О. Д.; Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва); Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН (Москва)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)