Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Кудрин, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-16

539.2
В 549

Вихрова, О. В.
Ферромагнетизм при комнатной температуре в слоях InMnAs [Текст] / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 1. - С. 50-53. - Библиогр.: с. 53 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнетизм -- метод лазерного нанесения слоев -- аномальный эффект Холла -- Холла аномальный эффект -- магнитооптический эффект Керра -- Керра магнитооптический эффект -- магнитосиловая микроскопия
Аннотация: Сообщается о возможности получения методом лазерного нанесения слоев InMnAs, обладающих ферромагнитными свойствами при комнатной температуре, что подтверждено результатами исследований аномального эффекта Холла, магнитооптического эффекта Керра и магнитосиловой микроскопии. Методом рентгеновской дифракции было установлено, что слои InMnAs имели достаточно высокое кристаллическое качество, но содержали включения гексагональной фазы MnAs. Рассмотрения особенностей электрических свойств слоев InMnAs позволяет предположить, что ферромагнетизм, обнаруженный в них при комнатной температуре, не может быть объяснен присутствием фазы MnAs, а связан с переносом носителей в матрице InMnAs.

Доп.точки доступа:
Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В.; Moura, C.; Vasilevskiy, M. I.; Темирязева, М. П.

Найти похожие

Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 14. - С. 8-17 : ил. - Библиогр.: с. 16-17 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнетизм -- полупроводниковые структуры -- GaAs -- легированные слои -- дельта-легированные слои -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- метод лазерного распыления -- мишени (физика) -- твердотельные мишени -- марганец -- Mn -- металлоорганические соединения -- одиночные дельта-легированные слои -- ростовые циклы -- эффект Холла -- Холла эффект -- магнитополевые зависимости -- нелинейные магнитополевые зависимости -- петля гистерезиса -- холловское сопротивление -- температурные зависимости -- магнитосопротивление -- отрицательное магнитосопротивление -- точка Кюри -- Кюри точка -- коэрцитивная сила
Аннотация: Показано наличие ферромагнетизма в полупроводниковых GaAs структурах, полученных сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и лазерного распыления твердотельных мишеней в едином ростовом цикле и содержащих одиночный дельта-легированный слой марганца. Структуры демонстрируют нелинейные магнитополевые зависимости сопротивления Холла с петлей гистерезиса (коэрцитивная сила около 80 Oe) и отрицательное магнитосопротивление (до 4% в поле 3000 Oe) при температурах ниже точки Кюри (~ 30 K).

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В.

Найти похожие

Кудрин, А. В.
Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем [Текст] / А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 11. - С. 46-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.6

ББК 22.334
Рубрики: Физика
Магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
магнетосопротивление -- анизотропное магнетосопротивление -- планарный эффект Холла -- эффект Холла -- Холла эффект -- GaAs -- структуры -- дельта-легированные слои -- марганец -- Mn -- температуры -- комбинированные методы -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- лазерное нанесение -- магнитополевая зависимость -- холловское сопротивление -- магнитная анизотропия -- плоскостная магнитная анизотропия -- кубическая плоскостная магнитная анизотропия
Аннотация: Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла обнаружены и исследованы в структуре GaAs с одиночным дельта-легированным слоем марганца (содержание марганца 0. 18 ML) при температурах ниже ~ 20 K. Структуры были изготовлены комбинированным методом МОС-гидридной эпитаксии и лазерного нанесения. Характер магнитополевой зависимости холловского сопротивления указывает на наличие кубической плоскостной магнитной анизотропии.

Доп.точки доступа:
Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.

Найти похожие

Биения осцилляций Шубникова - де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaAs [Текст] / С. И. Дорожкин [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 6. - С. 312-317

УДК

^a530.145

ББК 22.314
Рубрики: Физика
Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
тяжелые дырки -- осцилляции Шубникова - де Гааза -- Шубникова - де Гааза осцилляции -- гетероструктуры -- двумерный дырочный канал -- квантование дырок
Аннотация: На образце гетероструктуры InGaAs/GaAs с двумерным дырочным каналом выполнены измерения магнетосопротивления в квантующих магнитных полях. Обнаружены биения осцилляций Шубникова - де Гааза, свидетельствующие о снятии спинового вырождения в исследованной системе за счет спин-орбитального взаимодействия. Наблюдена независимость картины осцилляций от компоненты магнитного поля, параллельной двумерной системе, что характерно для подзон размерного квантования тяжелых дырок.

Доп.точки доступа:
Дорожкин, С. И.; Скворцова, М. О.; Кудрин, А. В.; Звонков, Б. Н.; Данилов, Ю. А.; Вихрова, О. В.

Найти похожие

Еськин, В. А.
Возбуждение волн свистового диапазона в столкновительной магнитоактивной плазме при наличии дактов с повышенной плотностью [Текст] / В. А. Еськин, А. В. Кудрин // Физика плазмы. - 2009. - Т. 35, N 9. - С. 834-845 : 8 рис. - Библиогр.: с. 845 (27 назв. ) . - ISSN 0367-2921

ГРНТИ	29.27.45	29.27.17
УДК	^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
плазма -- магнитоактивная плазма -- столкновительная магнитоактивная плазма -- бесстолкновительная плазма -- электронные соударения
Аннотация: Исследуется возбуждение волн свистового диапазона заданным кольцевым электрическим током в столкновительной магнитоактивной плазме при наличии цилиндрического дакта с повышенной плотностью. По сравнению со случаем бесстолкновительной плазмы, при определенных условиях наличие диссипативных потерь, обусловленных электронными соударениями в плазменной среде, может приводить к существенному перераспределению мощности излучения источника по пространственному спектру направляемых дактом мод.

Доп.точки доступа:
Кудрин, А. В.

Найти похожие

Кудрин, А. В.
О цилиндрических электромагнитных волнах в нелинейной среде без дисперсии. Точные решения уравнений Максвелла [Текст] / А. В. Кудрин, Е. Ю. Петров // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып: вып. 3. - С. 608-620. - Библиогр.: с. 620 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Теоретическая физика
Физика
Кл.слова (ненормированные):
цилиндрические электромагнитные волны -- электромагнитные волны -- нелинейная среда без дисперсии -- дисперсия -- волны -- уравнения Максвелла -- Максвелла уравнений
Аннотация: Предложен метод построения класса точных решений уравнений Максвелла, описывающих распространение цилиндрических электромагнитных волн в нелинейной среде без дисперсии.

Доп.точки доступа:
Петров, Е. Ю.

Найти похожие

Еськин, В. А.
Стационарная структура высокочастотного разряда, поддерживаемого распределенным электромагнитным источником при наличии внешнего магнитного поля [Текст] / В. А. Еськин, А. В. Кудрин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 137, вып: вып. 4. - С. 797-806. - Библиогр.: с. 806 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
стационарная структура высокочастотного разряда -- высокочастотные разряды -- распределенный электромагнитный источник -- электромагнитный источник -- внешнее магнитное поле -- магнитные поля
Аннотация: Исследуется стационарная структура высокочастотного разряда, поддерживаемого распределенным электромагнитным источником при наличии внешнего магнитного поля.

Доп.точки доступа:
Кудрин, А. В.

Найти похожие

Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A{III}, Mn) B{V} и Ni [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1447-1450 : ил. - Библиогр.: с. 1450 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- электролюминесценция -- ферромагнитные инжекторы -- ферромагниты -- ФМ -- ферромагнитные металлы -- металлы -- никель -- Ni -- квантовые ямы -- спиновые светоизлучающие диоды -- ССИД -- диоды -- электролюминесцентные характеристики -- магнитные полупроводники -- InMnAs -- температурная зависимость
Аннотация: Проведено сравнительное исследование электролюминесцентных характеристик светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с InGaAs/GaAs-квантовой ямой и инжекторным слоем, выполненным в виде ферромагнитного металла (Ni), полуметаллического соединения (MnSb) или магнитного полупроводника (InMnAs). Общей особенностью является гашение электролюминесценции при уменьшении толщины спейсерного слоя между квантовой ямой и магнитным инжектором. Обнаружено, что температурная зависимость электролюминесценции в диодах с Ni и MnSb обусловлена термическим выбросом носителей из квантовой ямы, а в диодах с InMnAs-температурной зависимостью концентрации носителей в магнитном полупроводнике, а также термическим выбросом носителей из квантовой ямы в области высоких температур.

Доп.точки доступа:
Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В.

Найти похожие

Влияние напряжений сжатия и растяжения в слоях GaMnAs на их магнитные свойства [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 11. - С. 2124-2127. - Библиогр.: с. 2127 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
магнитные свойства -- упругие напряжения -- метод лазерного распыления
Аннотация: Исследовано влияние упругих напряжений (сжатия, растяжения) на магнитные свойства эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом лазерного распыления твердотельных мишеней в газовой атмосфере на различных буферных подслоях (In[x]Ga[1-x]As и In[x]Ga[1-x]P) и подложках (GaAs, InP). По данным исследований магнитополевых зависимостей сопротивления Холла было установлено, что все слои обладали ферромагнитными свойствами с температурой Кюри ~ 50 K. Показано, что в случае напряжений растяжения в слоях GaMnAs (буферы In[x]Ga[1-x]As и In[x]Ga[1-x]P, подложка InP) вид аномального эффекта Холла свидетельствует о преимущественной ориентации оси легкого намагничивания в направлении роста в отличие от слоев GaMnAs, полученных на подложке GaAs (с напряжениями сжатия), демонстрирующих преобладание составляющей вектора намагниченности в плоскости слоя.

Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Сапожников, М. В.

Найти похожие

10.

621.375
С 243

Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией [Текст] / А. В. Кудрин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 24. - С. 57-65 : ил. - Библиогр.: с. 65 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- pin-диодные структуры -- светодиоды -- электролюминесценция -- магнитоуправляемая электролюминесценция -- квантовые ямы -- полупроводники -- магнитные поля -- внешние поля -- внешние магнитные поля -- источники напряжения -- диоды -- светоизлучающие диоды -- ферромагнетизм -- ферромагнитные слои -- температура Кюри -- Кюри температура -- температуры
Аннотация: Сформирована и исследована pin-диодная структура с квантовой ямой InGaAs/GaAs, содержащая ферромагнитный слой GaMnAs в качестве полупроводника p-типа проводимости. Показано, что внешнее магнитное поле приводит к уменьшению (на ~ 5% в магнитном поле 3600 Oe при 10 К) сопротивления слоя GaMnAs. В режиме источника напряжения изменение сопротивления приводит к увеличению интенсивности электролюминесценции светоизлучающего диода. Указанный эффект обусловлен ферромагнетизмом в GaMnAs и спадает до нуля при температуре, превышающей температуру Кюри ферромагнитного слоя.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/24/p57-65.pdf

Доп.точки доступа:
Кудрин, А. В.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И.

Найти похожие

1-10 11-16

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)