Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (6)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Коноров, П. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

530.1
К 648

Коноров, П. П.
Использование электрохимической мембранной методики для исследования процессов переноса водорода в германии [Текст] / П. П. Коноров, Н. В. Родионов, М. В. Яфясов, В. Б. Божевольнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. 39-46

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
перенос водорода -- германиевая мембрана -- мембрана германиевая -- электрохимические ячейки -- водный электролит
Аннотация: Показана новая возможность исследования переноса водорода через германиевую мембрану, разделяющую две камеры электрохимической ячейки, заполненные водным электролитом. Одна поверхность мембраны поляризовалась катодно до выделения на ней водорода, а перенос водорода наблюдался на ее противоположной поверхности путем определения изменения зарядового состояния ее поверхности, которое осуществлялось при помощи измерения электродного потенциала и дифференциальной емкости границы германий-электролит. Такой подход перспективен для изучения поведения водорода в полупроводниках, в частности, для определения механизмов переноса водорода и его зарядового состояния в полупроводнике, отличается простотой его реализации, не требует разрушения образца и может быть использован при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Родионов, Н. В.; Яфясов, М. В.; Божевольнов, В. Б.

Найти похожие

Использование электрохимической мембранной методики для исследования процессов переноса водорода в германии [Текст] / П. П. Коноров [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 3. - С. 39-46

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
перенос водорода -- германиевая мембрана -- мембрана германиевая -- электрохимические ячейки -- водный электролит
Аннотация: Показана новая возможность исследования переноса водорода через германиевую мембрану, разделяющую две камеры электрохимической ячейки, заполненные водным электролитом. Одна поверхность мембраны поляризовалась катодно до выделения на ней водорода, а перенос водорода наблюдался на ее противоположной поверхности путем определения изменения зарядового состояния ее поверхности, которое осуществлялось при помощи измерения электродного потенциала и дифференциальной емкости границы германий-электролит. Такой подход перспективен для изучения поведения водорода в полупроводниках, в частности, для определения механизмов переноса водорода и его зарядового состояния в полупроводнике, отличается простотой его реализации, не требует разрушения образца и может быть использован при комнатной температуре.

Доп.точки доступа:
Коноров, П. П.; Родионов, Н. В.; Яфясов, М. В.; Божевольнов, В. Б.

Найти похожие

621.315.592
Э 455

Электрофизические свойства структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с диэлектрическим слоем полинуклеотидов и их мономерных компонент на поверхности [Текст] / А. М. Яфясов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1617-1620 : ил. - Библиогр.: с. 1620 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- диэлектрик-полупроводник -- ДП -- поверхность германия -- водные растворы -- диэлектрические слои -- полинуклеотиды -- мономерные компоненты -- нуклеотиды -- поверхностные состояния -- электронные свойства -- межфазная граница -- МФГ -- германий -- пространственный заряд германия
Аннотация: Показано, что адсорбция молекул нуклеиновых кислот и их мономерных компонент - азотистых оснований из водных растворов приводит к формированию диэлектрического слоя на поверхности германия. Сравнительно невысокие значения встроенного в диэлектрик заряда и плотности поверхностных состояний свидетельствуют о перспективности использования нуклеотидов как для формирования структур диэлектрик-полупроводник на основе германия с нанометровыми толщинами диэлектрического слоя и низкой плотностью поверхностных состояний на межфазной границе, так и для пассивации поверхности германия. Изменение электронных свойств области пространственного заряда германия при адсорбции на его поверхности нуклеотидов может быть использовано в качестве метода контроля концентрации молекул нуклеотидов в водных растворах.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1617-1620.pdf

Доп.точки доступа:
Яфясов, А. М.; Бакулев, В. М.; Коноров, П. П.; Божевольнов, В. Б.

Найти похожие

535.37
О-754

Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si-SiO[2] / А. П. Барабан [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 490-492 : ил. - Библиогр.: с. 492 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
неосновные носители заряда -- ННЗ -- полевая генерация -- структуры -- кремний -- Si -- электрические поля -- окисные слои -- электролюминесценция -- ЭЛ
Аннотация: Рассмотрены особенности генерационных процессов в структурах Si-SiO[2] при наличии сильного электрического поля в окисном слое (E[ox]~ 10 МВ/см). Показано, что при достижении определенного порогового значения напряженности электрического поля происходит подключение дополнительного механизма генерации неосновных носителей заряда в кремнии, связанного с развитием процессов электролюминесценции в окисном слое.
The peculiarities of the generation process in Si? SiO[2] structures in the presence of a strong electric field in the oxide layer (~ 10 E[ox] MV/cm) are considered. It is shown that additional mechanism of minority carriers generation in silicon when a certain threshold value of the electric field strength has been reached. This mechanism is conditioned by the development of the electroluminescence process in the oxide layer.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p490-492.pdf

Доп.точки доступа:
Барабан, А. П.; Коноров, П. П.; Дмитриев, В. А.; Прокофьев, В. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)