Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592<.>)

Общее количество найденных документов : 1592
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

621.315.592
З 179

Зайцев, В. Б.
Особенности фотолюминесценции органических молекул в пористом кремнии [Текст] / В. Б. Зайцев, Г. С. Плотников, Ю. В. Рябчиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 31 (8 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

621.315.592

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- пористый кремний -- молекулы родамина В -- антрацен -- сенсибилизация люминесценции -- кремниевые наноструктуры
Аннотация: Методом люминесцентной спектроскопии изучался характер взаимодействия с кремниевыми наноструктурами молекул родамина В и антрацена, которые диаметрально различаются своими электрофизическими и оптическими свойствами. Показано принципиальное отличие во взаимодействии таких органических молекул с кремниевыми наноструктурами и различным размером пор и обнаружено явление спектральной сенсибилизации люминесценции нанопористого кремния молекулами антрацена.

Доп.точки доступа:
Плотников, Г. С.; Рябчиков, Ю. В.

Найти похожие

621.315.592
Б 740

Богобоящий, В. В.
Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком p-Cd(x)Hg(1-x)Te при ионно-лучевом травлении [Текст] / В. В. Богобоящий, А. П. Власов, И. И. Ижнин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.58 (19 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- конверсия типа проводимости -- ионно-лучевое травление -- донорный комплекс -- проводимость
Аннотация: На основе анализа процессов химической диффузии ртути в узкощелевых твердых растворах p-Cd(x)Hg(1-x)te:As предложен механизм конверсии типа проводимости при ионно-лучевом травлении. Показано, что n-p-конверсия типа проводимости в этом случае обусловлена образованием донорного комплекса мышьяк в подрешетке Te-межузельный атом Hg, а концентрация электронов в конвертируемом слое соответствует концентрации введенной примеси мышьяка. Результаты теоретического анализа подтвержены даннымии экспериментального исследования профиля распределения концентрации электронов в конвертированном в процессе ионно-лучевого травления n-слое эпитаксиальной структуры p-Cd(x)Hg(1-x)Te:As

Доп.точки доступа:
Власов, А.П.; Ижнин, И.И.

Найти похожие

621.315.592
М 473

Мелехов, А. П.
Поверхность Ферми квазидвумерного электронного газа [Текст] / А. П. Мелехов, А. Б. Дюбуа // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.73 (2 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
поверхность Ферми -- квазидвумерный электронный газ -- потенциальная яма
Аннотация: Построена модель энергетического состояния квазидвумерного электронного газа на основе прямоугольной потенциальной ямы конечной глубины. Установлен вид поверхности Ферми и характер ее трансформации в диапазоне от истинно двкмерного газа до трехмерного

Доп.точки доступа:
Дюбуа, А.Б.

Найти похожие

621.315.592
К 231

Каримов, М.
Влияние скорости последиффузионной закалки и термообработки на термостабильность времени жизни носителей заряда в перекомпенсированном n-SiB,S [Текст] / М. Каримов, А. К. Караходжаев // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.56 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- закалка -- термообработка -- время жизни -- перекомпенсированные полупроводники
Аннотация: Исследовалось влияние скорости закалки в интервале 0,6-250 град/мин и при повторной термообработке до 1020 К на время жизни носителей заряда тау в перекомпенсированном n-Si. Показано, что величину тау в n-Si можно регулировать путем подбора скорости охлаждения при постоянной температуре диффузии. Обсуждаются наблюдаемые эффекты на базе представлений о различной степени микронеоднородности по проводимости в n-Si в зависимости от скорости последиффузионного охлаждения

Доп.точки доступа:
Караходжаев, А.К.

Найти похожие

621.315.592
В 268

Вейс, А. Н.
Особенности коэффициента отражения в (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te(x=0.05-0.20 [Текст] / А. Н. Вейс // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.9-10 (18 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- коэффициент отражения -- индий
Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента отражения R в твердых растворах (Pb[0.78]Sn[0.22])[1-x]In[x]Te с содержанием индия в шихте x=0.05-0.20 при Т=300 К. В спектрах R(лямбда) каждого из исследованных образцов выявлены два минимума коэффициента отражения: коротковолновый, расположенный при лямбда=1-2 мкм, и длинноволновый, расположенный при лямбда=25-30 мкм, обусловленный плазменными колебаниями свободных электронов. Проанализированы особенности в проявлении коротковолновых минимумов в зависимостях R(лямбда). Показано, что эти минимумы могут быть связаны с неоднородностями в пространственном распределении индия в образцах

Найти похожие

621.315.592
Д 400

Джакели, В. Г.
Комбинационные механизмы ионизации и рекомбинации и генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках [Текст] / В. Г. Джакели, З. С. Качлишвили, М. Г. Хизанишвили, Э. Г. Хизанишвили // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.68 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий -- ионизация -- примеси -- рекомбинация
Аннотация: В работе предложен новый комбинационный механизм рекомбинации - ударно-тепловой (УТ). Вычислен соответствующий коэффициент рекомбинации как для чистых, так и для легированных образцов Ge. Установлены условия, при которых УТ-механизм рекомбинации, по сравнению с лэксовским каскадным механизмом, является доминирующим. Проводится вычислительный эксперимент, при котором учитываются комбинационные механизмы ионизации и рекомбинации, а также процесс перезарядки примесных центров

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Качлишвили, З.С.; Хизанишвили, М.Г.; Хизанишвили, Э.Г.

Найти похожие

621.315.592
К 790

Кревчик, В. Д.
Примесное поглощение света в структурах с квантовыми точками во внешнем магнитном поле [Текст] / В. Д. Кревчик, А. Б. Грунин, М. Б. Семенов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.73 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- магнитное поле -- поглощение света -- примеси
Аннотация: В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы рассмотрено поглощение света комплексом квантовая точка - примесный центр во внешнем квантующем магнитном поле. Получено выражение для коэффициента примесного поглощения света продольной поляризации в условиях, когда влиянием магнитного поля на основное состояние примеси в квантовой точке можно пренебречь. Показано, что с ростом величины магнитного поля край полосы примесного поглощения света сдвигается в коротковолновую область спектра. При этом величина коэффициента поглощения возрастает в несколько раз, что трактуется как эффект "магнитного вмораживания" основного состояния квантовой точки

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Грунин, А.Б.; Семенов, М.Б.

Найти похожие

621.315.592
П 318

Пешев, В. В.
Образование центров E4 (E[c]-0,76 эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- радиационные дефекты -- центры -- электронное облучение
Аннотация: В работе исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (E[c]-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шоттки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)*10{15} см{3}. Концентрация центров определялась из спектров DLTS. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров Е4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в НО. В НО скорость введения нелинейно возрастает с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр Е4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Суржиков, А.П.

Найти похожие

621.315.592
В 659

Войцеховский, А. В.
Расчет профилей радиационных дефектов в КРТ при импульсном ионном воздействии [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.89 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефектообразование -- диффузия -- ионное облучение -- радиационные дефекты
Аннотация: В работе рассматривается возникновение и эволюция профилей радиационных дефектов в КРТ при воздействии на него высокоточными ионными импульсами. Приводится математическая модель радиационного дефектообразования с учетом влияния на него возникающего неоднородного нестационарного температурного поля, а также полей механических квазистатических и динамических напряжений. Приводятся примеры расчета и сравнение расчетных и экспериментальных данных

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Шульга, С.А.

Найти похожие

10.

621.315.592
П 318

Пешев, В. В.
Введение радиационных дефектов в GaAs при высоких температурах [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N11. - Библиогр.: с.90 (5 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- облучение -- радиационные дефекты
Аннотация: Изучены дозовые зависимости концентрации радиационных дефектов при облучении GaAs в температурном интервале 380-550`C

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)