Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>S=Полупроводниковые материалы и изделия<.>)

Общее количество найденных документов : 1348
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

621.315.592
М 307

Марьянчук, П. Д.
Гигантское магнитосопротивление в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Te [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Э. В. Майструк // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 28-33. - Библиогр.: c. 33 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные кластеры -- гигантское магнитосопротивление -- кристаллы Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те -- магнитосопротивление -- полупроводники -- ферромагнитные кластеры
Аннотация: Гигантское магнитосопротивление обусловлено наличием в кристаллах Hg[1-x-y]Mn[x]Fe[y]Те кластеров с ''антиферромагнитным'' и ''ферромагнитным'' упорядочением. Эффект гигантского магнитосопротивления связан с тем, что носители заряда, которые принимают участие в электрическом токе, взаимодействуют с намагниченной до насыщения ''ферромагнитной'' кластерной подсистемой и становятся спин-поляризованными. Именно такие носители заряда сильно рассеиваются на ''антиферромагнитных'' кластерах, поскольку магнитные моменты внутри кластеров и результирующие магнитные моменты этих кластеров имеют хаотическую ориентацию. Исследования кинетических коэффициентов кристаллов до и после термообработки показали отсутствие существенной связи между гигантским магнитосопротивлением и концентрацией носителей заряда, их подвижностью и зонными параметрами, полученными до и после термообработки кристаллов.

Доп.точки доступа:
Майструк, Э. В.

Найти похожие

621.315.592
Б 890

Брудный, В. Н.
Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень
Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов.

Доп.точки доступа:
Ведерникова, Т. В.

Найти похожие

621.315.592
М 748

Моисеев, А. Г.
Исследование кинетических явлений в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 2. - С. 76-88. - Библиогр.: c. 87-88 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическия явления -- поликристаллы кремния -- поперечное магнетосопротивление -- термоЭДС -- холловский фактор -- эластопроводимость
Аннотация: Получена формула для расчета времени релаксации носителей заряда при их рассеянии как на неупорядоченной сетке атомов поликристалла кремния, так и на системе неупорядоченных потенциальных барьеров, возникающих на поверхностях кристаллитов изотропного поликристалла кремния. Дается анализ времени релаксации дырок, проводится расчет температурной зависимости подвижности дырок в поликристаллическом кремнии р-типа. Приведен расчет холловского фактора, дифференциальной термоЭДС, поперечного магнетосопротивления и коэффициентов эластопроводимости.

Найти похожие

621.315.592
М 540

Мета, Н.
Компенсационный эффект при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах Se[80-x]Ge[20]In[x] и Se[78-x]Ge[22]Bi[x] [Текст] / Н. Мета, С. К. Аграхари, А. Кумар // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 50-51 (36 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

539.26

ББК 31.233 + 22.361
Рубрики: Физика
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
Кл.слова (ненормированные):
закон компенсации -- изотермическая кристаллизация -- компенсационный эффект при изотермической кристаллизации -- Мейера-Нелдела правило -- правило Мейера-Нелдела -- стеклообразные сплавы
Аннотация: Многие активационные процессы подчиняются закону компенсации или правилу Мейера-Нелдела. В настоящей работе приводятся результаты исследования компенсационного эффекта при изотермической кристаллизации в стеклообразных сплавах. Обнаружено, что для этих соединений соотношение между предэкспоненциальным множителем К[0] и энергией активации кристаллизации Е[c] подчиняется правилу Мейера-Нелдела.

Доп.точки доступа:
Аграхари, С. К.; Кумар, А.

Найти похожие

621.315.592
К 696

Кортов, В. С.
Электрический пробой и эмиссия высокоэнергетических электронов при заряжении диэлектриков [Текст] / В. С. Кортов, авт. С. В. Звонарев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 52-58. - Библиогр.: c. 58 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
высокоэнергетические электроны -- кристаллические диэлектрики -- метод Монте-Карло -- моделирование транспорта электронов -- Монте-Карло метод -- электрический пробой электронов -- эмиссия электронов
Аннотация: Модель расчета методом Монте-Карло транспорта электронов в заряженных при облучении кристаллических диэлектриках усовершенствована с учетом процессов ударной ионизации и каскадирования. Проведено компьютерное моделирование транспорта электронов в SiO[2] в электрических полях высокой интенсивности. Установлено, что пробой указанного диэлектрика может произойти в диапазоне напряженности поля 11, 5-12, 5 МВ/см.

Доп.точки доступа:
Звонарев, С. В.

Найти похожие

621.315.592
М 307

Марьянчук, П. Д.
Магнитные свойства кристаллов H[g1-x]Mn[x]S [Текст] / П. Д. Марьянчук, авт. Г. О. Андрущак // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Энергетика
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- интервал температур -- атомы -- полупроводники
Аннотация: Магнитные восприимчивость ( ) кристаллов H[g1-x]Mn[x]S исследована в интервале температур = 77-300 К при Н = 4кЭ методом Фарадея до и после термообработки образцов в парах компонент. Установлено, что особенности обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn-S-Mn-S разных размеров, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется непрямое обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. Термообработка образцов в парах компонент приводит к изменению размеров существующих в кристалле кластеров и даже к "рассасыванию" включений второй фазы.

Доп.точки доступа:
Андрущак, Г. О.

Найти похожие

621.315.592
В 276

Величко, А. А.
Влияние электронного пучка дифрактометра быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF/Si (100 [Текст] / А. А. Величко, В. А. Илюшин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 50-58 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
дифракция быстрых электронов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- пленки CaF[2] -- морфология поверхностей гетероструктур
Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследовано влияние пучка быстрых электронов дифрактометра на морфологию поверхности пленок CaF[2] в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100). Показано, что в области воздействия электронного пучка не только существенно меняется вид морфологических дефектов, но и более чем вдвое возрастает их средняя высота.

Доп.точки доступа:
Илюшин, В. А.; Остертак, Д. И.; Пейсахович, Ю. Г.; Филимонова, Н. И.

Найти похожие

621.315.592
А 233

Агапов, Б. Л.
Электронно-микроскопическое исследование наноразмерных структур GaAs (100) - (Ga[2]Se[3]) -GaAs [Текст] / Б. Л. Агапов, Н. Н. Безрядин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электроннная микроскопия -- арсенид галлия -- селенид галлия -- наноразмерные структуры
Аннотация: Методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры GaAs (l00) -Ga[2]Se[3]. Установлена последовательность структурных превращений на поверхности GaAs (100) в процессе ее обработки в парах селена. Обнаружено усиление ориентирующего действия подложки GaAs (100) на рост пленки GaAs в результате предварительной обработки поверхности GaAs (100) в парах селена.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Сыноров, Ю. В.; Котов, Г. И.; Татохин, Е. А.; Стародубцев, А. А.; Кузубов, С. В.

Найти похожие

621.315.592
Ш 193

Шамирзаев, Т. С.
Спектры фотопроводимости квантовых точек InAs/AIAs [Текст] / Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 66-68 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость квантовых точек -- InAs/AlAs -- спектры фотопроводимости
Аннотация: В работе исследовалась фотопроводимость квантовых точек InAs/AlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs при Т= 77 и 300 К. Изучаемые структуры содержали пять слоев квантовых точек InAs, разделенных слоями AlAs. Электрическое поле прикладывалось между металлическим контактом, нанесенным на обратную сторону структуры с квантовыми точками, и прозрачным контактом диоксида олова, нанесенным на стеклянную пластину, которая прижималась к поверхности образца. В спектрах фототока в спектральной области 600-850 нм, наблюдалась сложная структура, включающая линии и полосы различной интенсивности и полуширины и соответствующая переходам с участием основных и возбужденных состояний квантовых точек различных размеров, а также линии и полосы, связанные с переходами в спейсерных слоях AlAs, в материале подложки и буферном слое GaAs.

Доп.точки доступа:
Журавлев, К. С.; Гайсин, В. А.; Кулинкин, Б. С.; Новиков, Б. В.; Батырев, А. С.; Убыйвовк, Е. В.; Алжеев, В. М.

Найти похожие

10.

621.315.592
А 500

Алиев, М. А.
Особенности структурных перестроек многокомпонентного сплава с участием самоорганизации при пластическом деформировании [Текст] / М. А. Алиев, авт. А. Р. Велиханов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 95-98 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
деформационные характеристики -- деформирование -- многокомпонентный сплав -- пластическое деформирование -- принцип самоорганизации
Аннотация: Исследованы особенности поведения деформационных характеристик в многокомпонентном сплаве при новом технологическом способе их деформирования. Новый подход позволил осуществить низкотемпературную деформацию сплава. Проведен сравнительный анализ полученных результатов с данными для традиционного термопластического способа деформирования. Изучено влияние интенсивности нагружения на исследуемые параметры и прослежено изменение морфологии поверхности исследуемых образцов. Примененный новый методико-технологический прием позволил структурировать сплавы по принципу самоорганизации.

Доп.точки доступа:
Велиханов, А. Р.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)