Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (71)

Труды ОмГУ (28)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=кремний<.>)

Общее количество найденных документов : 1084
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

546
Д 440

Дианов, Е. М.
Теоретические и практические перспективы изучения моноизотопного кремния [Текст] / Е. М. Дианов // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N11 . - ISSN 0869-5873

УДК

546

ББК 24.1
Рубрики: Химия--Общая и неорганическая химия
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- моноизотопы -- изотопы -- химия -- высокочистые вещества -- тетрафторид -- совещания научные -- семинары научные
Аннотация: 29-30 мая 2001 г. в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород) состоялось всероссийское совещание,посвященное получению,анализу и свойствам высокочистого кремния.

Найти похожие

621.315.592
З 179

Зайцев, В. Б.
Особенности фотолюминесценции органических молекул в пористом кремнии [Текст] / В. Б. Зайцев, Г. С. Плотников, Ю. В. Рябчиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 31 (8 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

621.315.592

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- пористый кремний -- молекулы родамина В -- антрацен -- сенсибилизация люминесценции -- кремниевые наноструктуры
Аннотация: Методом люминесцентной спектроскопии изучался характер взаимодействия с кремниевыми наноструктурами молекул родамина В и антрацена, которые диаметрально различаются своими электрофизическими и оптическими свойствами. Показано принципиальное отличие во взаимодействии таких органических молекул с кремниевыми наноструктурами и различным размером пор и обнаружено явление спектральной сенсибилизации люминесценции нанопористого кремния молекулами антрацена.

Доп.точки доступа:
Плотников, Г. С.; Рябчиков, Ю. В.

Найти похожие

Бабичев, Г. Г.
Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы
Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала

Доп.точки доступа:
Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н.

Найти похожие

Барабан, А. П.
Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния [Текст] / А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 60 (7 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- оксид кремния
Аннотация: Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si-SiO[2], полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950C (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 10{13}-3.2* 10{17} cm{-2}. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si-SiO[2]

Доп.точки доступа:
Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

Аскинази, А. Ю.
Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния
Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя

Доп.точки доступа:
Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

+
С 875

Струнин, В. И.
Моделирование процесса разложения силана в высокочастотной плазме [Текст] / В. И. Струнин, А. А. Ляхов, Г. Ж. Худайбергенов, В. В. Шкуркин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 114 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК +
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
аморфный кремний -- плазма -- пленки -- разложение силана -- силан
Аннотация: Построена модель, описывающая процесс разложения силана в разряде высокочастотной аргоновой плазмы. На основании численных расчетов получены концентрации продуктов разложения SiH[4] и концентрации продуктов синтеза (высших силанов), проанализирована роль метастабильных атомов аргона в образовании радикала SiH[3] и высших силанов

Доп.точки доступа:
Ляхов, А.А.; Худайбергенов, Г.Ж.; Шкуркин, В.В.

Найти похожие

Чеснис, A.
Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока
Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте

Доп.точки доступа:
Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А.

Найти похожие

Демаков, К. Д.
О диффузии ионов мышьяка и самодиффузии в кремнии при имплантации [Текст] / К. Д. Демаков, В. А. Старостин, С. Г. Шемардов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.133 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- имплантация -- кремний -- мышьяк -- самодиффузия
Аннотация: Приведены экспериментальные профили концентрации ионов мышьяка в кремнии при температурах подложки 20, 600, 1050 `C и токе ионов 40 muA / cm{2}, а также при 1050oC и токе ионов 10 muA / cm{2}. По этим профилям и по данным других экспериментов проведено моделирование процесса радиационно-ускоренной диффузии ионов и самодиффузии кремния. Получен ряд интересных закономерностей, приведенных в выводах работы

Доп.точки доступа:
Старостин, В.А.; Шемардов, С.Г.

Найти похожие

22.37
Р 449

Реутов, В. Ф.
Упорядоченные гелиевые поры в аморфном кремнии, индуцированном облучением низкоэнергетическими ионами гелия [Текст] / В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.78 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
аморфный кремний -- гелиевые поры -- ионное облучение -- нанопоры
Аннотация: Тонкие, прозрачные в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), самонесущие пластинки кремния (001) облучали в (110)-торец низкоэнергетическими (E=17 keV) ионами He{+} в интервале доз 5*10{16}-4,5*10{17} cm{-2} при комнатной температуре. Послерадиационными ПЭМ исследованиями структуры Si вдоль пробега ионов установлено, что в области наибольшего повреждения тонких кристаллов Si формируется слой аморфного кремния (a-Si), по всей ширине которого зарождаются и растут гелиевые поры диаметром 2-5 nm и плотностью до 3*10{17} cm{-3}. Формирование нанопор в слое a-Si сопровождается их линейным упорядочением в виде цепочек, ориентированных вдоль направления движения ионов. Отсутствие пор в неаморфизованной области образца с максимальной концентрацией внедренного гелия объясняется десорбцией атомов гелия из тонкого кристалла в процессе облучения. В результате отжига при 600`C в сохранившемся слое a-Si наблюдается рост объема пор за счет захвата неподвижными порами атомов гелия из аморфной матрицы. Показано, что преимущественным состоянием имплантированного в аморфный Si гелия после облучения является его состояние в виде твердого раствора. В аморфном кремнии, легированном гелием, обнаружены линейные структурные особенности диаметром около 1 nm и плотностью около 10{7} cm{-1}, которые интерпретированы как ионные треки от низкоэнергетических ионов He{+}

Доп.точки доступа:
Сохацкий, А.С.

Найти похожие

10.

22.37
Н 899

Нуприенок, И. С.
Влияние лазерного облучения с h*nu =1.96 eV на свойства контакта титан-кремний при термическом отжиге в азоте [Текст] / И. С. Нуприенок, А. Н. Шибко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.128 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
выпрямляющие контакты -- лазерное облучение -- термический отжиг -- титан-кремний
Аннотация: Исследовано влияние лазерного облучения с h*nu=1.96 eV (lambda=0.63 mum) на контакт титан-кремний при стационарном термическом отжиге в азоте. Установлено, что происходящее при такой обработке изменение фазового состава контакта обусловливает изменение его электрофизических параметров. Использование лазерного облучения позволяет формировать выпрямляющий контакт титан-кремний с необходимыми, заранее определенными электрофизическими параметрами

Доп.точки доступа:
Шибко, А.Н.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)