Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электрон-фононное взаимодействие<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-33

Мамадалимов, А. Т.
Электронное усиление квантовой природы атомной подсистемы в конденсированных средах [Текст] / А. Т. Мамадалимов, Б. Л. Оксенгендлер, Н. Н. Тураева // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N12. - Библиогр.: с.47 (12 назв.) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомная подсистема -- квантовость -- краудион -- параметр де бура -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Рассмотрены три механизма усиления квантовости атомной подсистемы (увеличение параметра де Бура), обусловленные электрон-фононным взаимодействием

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Оксенгендлер, Б.Л.; Тураева, Н.Н.

Найти похожие

53
А 851

Арсеев, П. И.
Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы [Текст] / П. И. Арсеев, авт. Н. С. Маслова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 5. - С. 304-309 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- электронный уровень молекулы -- фононы -- электроны -- молекулы -- туннельный ток -- колебательные моды -- адиабатическая схема
Аннотация: В рамках адиабатической схемы показано, что эффективный гамильтониан электрон-фононного взаимодействия при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы содержит два разных вклада. Интерференция двух каналов взаимодействия может приводить либо к усилению, либо к подавлению генерации фононов. Найдены условия, определяющие интенсивность возбуждения колебательных мод молекулы.

Доп.точки доступа:
Маслова, Н. С.

Найти похожие

538.9
М 171

Максимов, Е. Г.
Влияние высокого давления на электрон-фононное взаимодействие и сверхпроводимость в ZrN и HfN [Текст] / Е. Г. Максимов, Ш. Ван, М. В. Магницкая, С. В. Эберт // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып. 8. - С. 507-510 . - ISSN 0370-274Х

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
конденсированные среды -- сверхпроводимость -- электрон-фононное взаимодействие -- давление (физика) -- нитрид циркония -- нитрид гафния
Аннотация: Выполнены первопринципные расчеты сверхпроводящих свойств нитридов циркония и гафния при нормальном и высоком давлениях. Результаты для ZrN хорошо согласуются с имеющимися данными туннельных экспериментов и измерениями барической производной критической температуры T[c]. Показано, что в этих соединениях понижение T[c] при сжатии происходит в основном за счет возрастания фононных частот.

Доп.точки доступа:
Ван, Ш.; Магницкая, М. В.; Эберт, С. В.

Найти похожие

539.2
А 620

Амирханов, И. В.
Применение модели термического пика для объяснения изменений структуры поверхности высокоориентированного пиролитического графита при его облучении быстрыми ионами \{86\}Kr и \{209\}Bi с высокими ионизационными потерями энергии [Текст] / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык [и др.]. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 5. - С. 3-12. - Доклад на международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
высокоориентированный пиролитический графит -- графит -- тяжелые ионы -- облучение ионами -- температурные эффекты -- модель термического пика -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Изучены температурные эффекты в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами \{86\}Кr (253 МэВ) и \{209\}Bi (710 МэВ) в рамках трехмерной модели термического пика. Показано, что в случае облучения ВОПГ ионами висмута температура на поверхности мишени может превышать температуру сублимации при определенных значениях константы электрон-фононного взаимодействия. В то же время при облучении ВОПГ ионами криптона температура на поверхности мишени не превышает температуру сублимации в широком диапазоне изменений коэффициента электрон-фононного взаимодействия. Выполненные расчеты позволяют объяснить наблюдаемые изменения структуры поверхности монокристалла ВОПГ при облучении ионами \{209\}Bi и \{86\}Кr.

Доп.точки доступа:
Дидык, А. Ю.; Музафаров, Д. З.; Пузынин, И. В.; Пузынина, Т. П.; Саркар, Н. Р.; Сархадов, И.; Шарипов, З. А.; Взаимодействие ионов с поверхностью, международная конференция (Вторичная ответственность)

Найти похожие

621.3
Г 694

Горкавенко, Т. В.
Температурная зависимость зонной структуры полупроводниковых соединений типа вюртцита: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe [Текст] / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, В. А. Макара, Л. Н. Русина // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 908-916 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые соединения типа вюртцита -- зонная структура -- электрон-фононное взаимодействие -- энергия актуальных экстремумов -- температурные зависимости -- зона Бриллюэна -- Бриллюэна зона -- факторы Дебая-Валлера -- Дебая-Валлера факторы
Аннотация: Методом эмпирического псевдопотенциала впервые рассчитаны температурные зависимости энергии актуальных экстремумов в высокосимметричных точках Gamma, L, K, M, A, H зоны Бриллюэна гексагональных модификаций ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, а также энергий основных межзонных переходов между ними. Влияние температурной зависимости электрон-фононного взаимодействия на зонную структуру кристалла учитывалось через факторы Дебая-Валлера, а вклад линейного расширения решетки - через температурную зависимость коэффициента линейного расширения. Подробно анализируются особенности температурных зависимостей энергий уровней, межзонных переходов и температурных коэффициентов. Рассматриваются вопросы применимости полученных данных.

Доп.точки доступа:
Зубкова, С. М.; Макара, В. А.; Русина, Л. Н.

Найти похожие

621.315.592
А 239

Агеева, Н. Н.
Участие электрон-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции поглощения света в GaAs. Связь модуляции поглощения со спектром стимулированного излучения в GaAs [Текст] / Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1418-1424 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
поглощение света -- GaAs -- фотогенерация -- автомодуляция -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая (меняющаяся за ~1 пс) автомодуляция спектра поглощения света. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов), объясняемых локальными обеднениями заселенностей электронов в зоне проводимости. Экспериментально обнаружено, что расположение выступов на спектре повторяется через интервал, определяемый энергией продольного оптического (LO) фонона и массами электрона и тяжелой дырки. Это подтверждает сделанное ранее предположение о существенной роли электрон--LO-фононного взаимодействия в сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения. Полученное ранее представление о связи формы модуляции спектра поглощения с формой интегрального по времени спектра собственного пикосекундного излучения расширено и на тот случай, когда проявляется сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения.

Доп.точки доступа:
Броневой, И. Л.; Кривоносов, А. Н.; Налет, Т. А.; Стеганцов, С. В.

Найти похожие

539.2
Е 700

Еремеева, С. В.
Электрон-фононное взаимодействие в состоянии квантовой ямы [Текст] / С. В. Еремеева, Г. Г. Русина, С. Д. Борисова, Е. В. Чулков // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 2. - С. 311-316. - Библиогр.: с. 316 (35 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- состояние квантовой ямы -- полный фононный спектр
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электрон-фононного взаимодействия в состоянии квантовой ямы, образованном монослойным покрытием Na на Cu (111). Расчеты показали, что константа электрон-фононной связи лямда в этом состоянии уменьшается незначительно (около 1 %) в сравнении со значением лямда для чистой поверхности меди. Соответствующий электрон-фононный вклад во время жизни состояния квантовой ямы тау увеличивается в 1. 5 раза по отношению к тау на чистой поверхности Cu (111).

Доп.точки доступа:
Русина, Г. Г.; Борисова, С. Д.; Чулков, Е. В.

Найти похожие

539.2
В 680

Володин, В. А.
Исследование электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах кремния n-типа с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света [Текст] / В. А. Володин, М. Д. Ефремов, А. Г. Черков // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 5. - С. 921-923. - Библиогр.: с. 923 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрон-фононное взаимодействие -- нанокристаллы кремния -- пленки аморфного кремния -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- комбинационное рассеяние света
Аннотация: Нанокрситаллы кремния были сформированы в легированных фосфором с концентрацией 3. 3 x 10{20} cm {-3} пленках аморфного кремния в результате импульсных воздействий эксимерного лазера и исследовались с применением методик спектроскопии комбинационного рассеяния света и электронной микроскопии. Экспериментальные данные можно интерпретировать как проявление эффектов электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах кремния n-типа, описываемых в рамках интерференции Фано. Предположено, что сильное (в сравнении с объемным кремнием n-типа) электронн-фононное взаимодействие обусловлено смягчением правил отбора по импульсу в нанокристаллах.

Доп.точки доступа:
Ефремов, М. Д.; Черков, А. Г.

Найти похожие

539.2
Т 708

Троицкая, Е. П.
Фотоны и электрон-фотонное взаимодействие в кристаллах инертных газов при высоких давлениях [Текст] / Е. П. Троицкая, В. В. Чабаненко, Е. Е. Горбенко // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 11. - С. 2055-2062. - Библиогр.: с. 2062 (36 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
Бриллюэна зона -- зона Бриллюэна -- инертные газы -- модель Толпыго -- неадиабатичность -- поперечные моды -- продольные моды -- Толпыго модель -- фононные частоты -- фононы -- электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Представлены теоретические ab initio исследования динамики решеток сжатых кристаллов инертных газов в модели Толпыго, явно учитывающей деформацию электронных оболочек. Деформация электронных оболочек, обусловленная запаздыванием электронного отклика, рассматривается как неадибатичность (электрон-фононное взаимодействие). С учетом этого на основе неэмпирического короткодействующего потенциала отталкивания построена динамическая матрица, позволяющая рассчитывать фотонные частоты и электрон-фононное взаимодействие кристаллов ряда Ne-Xe в любой точке зоны Бриллюэна. Вклады в динамическую матрицу дальнодействующих кулоновских и ван-дер-ваальсовских сил представляют собой структурные суммы, зависящие только от типа решетки. Вычисление структурных сумм для ГЦК-решетки проведено методом Эвальда, Эмерслебена, а также прямым суммированием по векторам ГЦК-решетки. Использование в последнем случае 20 сфер обеспечивает точность не менее четырех значащих цифр. Исследование роли электрон-фононного взаимодейсвия в пяти токах высокой симметрии зоны Бриллюэна (X, L, U, K, W) при высоких давлениях показало, что происходит "размягчение" не только продольных мод фононов (в точках X, L), но и поперечных мод ( в точках U, K, W). Учет электрон-фононного взаимодействия в точке X улучшает согласие теоретических и экспериментальных фононных частот для Ar.

Доп.точки доступа:
Чабаненко, В. В.; Горбенко, Е. Е.

Найти похожие

10.

Каракозов, А. Е.
Оптическое правило сумм в металлах с сильным электрон-фононным взаимодействием [Текст] / А. Е. Каракозов, Е. Г. Максимов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып: вып. 4. - С. 852-869. - Библиогр.: с. 868-869 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
оптическое правило сумм -- металлы -- электрон-фононное взаимодействие -- сильное электрон-фононное взаимодействие
Аннотация: Рассматривается оптическое правило сумм в металлах с сильным электрон-фононным взаимодействием.

Доп.точки доступа:
Максимов, Е. Г.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-33

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)