Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=электронный транспорт<.>)

Общее количество найденных документов : 42
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-42

Демарина, Н. В.
Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии [Текст] / Н. В. Демарина, С. В. Оболенский // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N1. - Библиогр.: с.71 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
электронный транспорт -- нанокластеры -- арсенид галлия -- радиационное воздействие
Аннотация: Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии

Доп.точки доступа:
Оболенский, С.В.

Найти похожие

539.19
К 445

Кислов, В. В.
Электронный транспорт через молекулярный нанокластер [Текст] / В. В. Кислов, В. В. Колесов, И. В. Таранов // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N11. - Библиогр.:с.1390 (10 назв.) . - ISSN 0033-8494

УДК

539.19

Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская лестница -- кулоновское взаимодействие -- молекулярные нанокластеры -- нанокластеры -- туннельный ток -- электронное туннелирование -- электронный транспорт -- электроны
Аннотация: Рассмотрена модель туннельного транспорта через молекулярный нанокластер, содержащий конечное число изолированных локальных уровней. В рамках рассматриваемой модели исследовано одноэлектронное резонансное туннелирование при конечной температуре при учете электрон-электронного кулоновского взаимодействия. Показано, что вольт-амперная характеристика такого туннельного перехода имеет вид кулоновской лестницы, однако число ступеней лестницы равно числу дискретных уровней нанокластера и фронт каждой ступени является асимптотически линейным с конечным наклоном. Вычислены вольт-амперные характеристики, которые находятся в соответствии с полученными ранее экспериментальными данными для туннельного тока через молекулярные нанокластерные объекты при комнатной температуре.

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Колесов, В.В.; Таранов, И.В.

Найти похожие

53
Б 953

Быков, А. А.
Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием [Текст] / А. А. Быков, И. В. Марчишин [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 1. - С. 69-73 . - ISSN 0370-274Х

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры с модулированным легированием -- электронный транспорт -- постоянный электрический ток -- электрический пробой -- холловское поле
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока I[dc] на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре T = 4. 2 К в магнитных полях В до 2Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления R[xx] в магнитных полях выше некоторого критического значения В[c]. Показано, что при прочих равных условиях величина В[c] тем меньше, чем больше ток I[dc]. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля.

Доп.точки доступа:
Марчишин, И. В.; Бакаров, А. К.; Занг, Ж. К.; Виткалов, С. А.

Найти похожие

537
С 210

Сатарин, К. К.
Переход электрона вдоль атомной цепочки [Текст] / К. К. Сатарин, Д. К. Шестаков, И. К. Гайнуллин, И. Ф. Уразгильдин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 98-101 . - ISSN 0207-3528

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм в целом
Кл.слова (ненормированные):
переход электрона -- атомная цепочка -- электронный транспорт
Аннотация: Предложено решение задачи электронного транспорта вдоль линейной цепочки атомов водорода. Для расчетов применялся метод распространения волновых пакетов, не использующий теорию возмущений. Показано, что потенциальный барьер между атомами цепочки существенно влияет на эффективность электронного перехода; описан характер распространения электрона вдоль цепочки.

Доп.точки доступа:
Шестаков, Д. К.; Гайнуллин, И. К.; Уразгильдин, И. Ф.

Найти похожие

53.07
Ж 860

Жуков, А. А.
Сканирующий зондовый микроскоп для исследования электронного транспорта при низких температурах [Текст] / А. А. Жуков // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 1. - С. 142-146. - Библиогр.: с. 146 (15 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

53.07

ББК 22.3с
Рубрики: Физика
Физические приборы
Кл.слова (ненормированные):
микроскопы -- зондовые микроскопы -- сканирующие микроскопы -- электронный транспорт -- низкие температуры -- нанотрубки
Аннотация: Изготовлен сканирующий зондовый микроскоп, позволяющий исследовать свойства электронного транспорта, в частности, в углеродных нанотрубах при криогенных температурах.

Найти похожие

621.3
Г 124

Гавриленко, В. И.
Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN [Текст] / В. И. Гавриленко, Е. В. Демидов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 238-241 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- субмикрометровый полевой транзистор -- электронный транспорт -- терагерцовое излучение
Аннотация: Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0. 25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов n[s] ? 5ъ10\{12\} см\{-2\}) при 4. 2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля.

Доп.точки доступа:
Демидов, Е. В.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Knap, W.; Lusakowski, J.

Найти похожие

621.315.592
А 724

Антонова, И. В.
Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN [Текст] / И. В. Антонова, В. И. Поляков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53-59

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- спектроскопия глубоких уровней -- электронный транспорт -- гетероструктуры -- AlGaN/GaN -- центры с глубокими уровнями
Аннотация: На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~ 10\{13\} см\{-2\} и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице.

Доп.точки доступа:
Поляков, В. И.; Руковишников, А. И.; Мансуров, В. Г.; Журавлев, К. С.

Найти похожие

Электронный транспорт в пленках аморфных металл-углеродных нанокомпозитов [Текст] / А. Д. Божко [и др. ] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2007. - N 4. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 29-30 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a539.21

^a547.31

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные металл-углеродные нанокомпозиты -- металл-углеродные нанокомпозиты -- нанокомпозиты -- пленки (физика) -- электронный транспорт
Аннотация: Исследована электропроводность пленок аморфных W-, Nb- и Cr-углеродных нанокомпозитов, содержащих кремний и кислород.

Доп.точки доступа:
Божко, А. Д.; Катаева, Е. А.; Такаги, Т.; Михеев, М. Г.; Гусева, М. Б.

Найти похожие

Чаплыгин, Ю. А.
Баллистические молекулярные проводники в матрице эпоксидиановой смолы [Текст] / Ю. А. Чаплыгин, В. К. Неволин, С. В. Хартов // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 412, N 6. - С. 764-767. - Библиогр.: с. 767. - Рис . - ISSN 0869-5652

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
баллистические проводники -- молекулярные проводники -- эпоксидиановая смола -- полимерные матрицы -- электронный транспорт -- планарные проводники -- углеродные нанотрубки -- электрическое поле -- диэлектрики
Аннотация: Выявлены условия формирования молекулярных проводников в матрице эпоксидиановой смолы. Показано, что электронный транспорт в таких проводниках близок к баллистическому. Получены планарные молекулярные проводники с углеродными нанотрубками в качестве электродов.

Доп.точки доступа:
Неволин, В. К.; Хартов, С. В.

Найти похожие

10.

Камилов, И. К.
Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] : текст / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры
Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-42

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)