Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (9)

Труды ОмГУ (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фононы<.>)

Общее количество найденных документов : 204
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

621.375
М 160

Маковецкий, Д. Н.
Резонансная дестабилизация микроволнового индуцированного излучения фононов в акустическом квантовом генераторе (фазере) при периодической модуляции накачки [Текст] / Д. Н. Маковецкий // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 90-91 (34 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
микроволновое излучение -- дестабилизация излучения -- фононы -- излучение фононов -- акустические квантовые генераторы -- фазеры -- модуляция накачки -- фононное индуцированное излучение -- индуцированное излучение
Аннотация: Экспериментально обнаружены два качественно различных типа резонансной дестабилизации фононного индуцированного излучения (ИИ) в условиях периодической модуляции многомодового рубинового фазера, генерирующего в области частот 9 GHz (частота электромагнитной накачки 23 GHz) . При глубокой модуляции накачки в низкочастотном диапазоне (частота модуляции omega[m]=70-200 Hz) наблюдается быстрое хаотическое чередование микроволновых фононных мод ИИ. Указанная область дестабилизации соответствует релаксационному резонансу в оптических лазерах. Вне области релаксационного резонанса (при omega[m]~ 10 Hz) обнаружен второй тип ризонансной дестабилизации стационарного фононного ИИ, который приводит к формированию очень медленных регулярных самоперестроек микроволновых спектров ИИ. Период этих самоорганизованных движений очень сильно зависит от omega[m] и изменяется на несколько порядков при вариации omega[m] всего лишь на несколько процентов. Предлагается интерпретация второго типа резонансной дестабилизации ИИ, основанная на антифазовом механизме межмодового энергообмена в модулированном фазере.

Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/

Найти похожие

539.12
П 855

Прыкина, Е. Н.
Динамика сверхрешеток (GaAs)[n](Ga[1-x]Al[x]As)[m] в модели Китинга [Текст] / Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Аннотация . - ISSN 0021-3411

УДК

539.12

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акустические фононы -- модель Китинга -- сверхрешетки

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Полыгалов, Ю.И.; Копытов, А.В.

Найти похожие

539.2
Б 825

Борисенко, С. И. (???? 1).
Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустичискими фотонами [Текст] / С. И. Борисенко // Известия вузов. Физика. - 2003. - N3. - Библиогр.: 12 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
акустические фононы -- уравнение Больцмана -- электроны сверхрешетки
Аннотация: В рамках уравнения Больцмана получены формулы для расчета эффективного времени релаксации и подвижности электронов сверхрешетки с учетом неупругого рассеяния на акустических фотонах и дисперсии энергитического спектра минизоны по продольному волновому вектору. Проведен численый анализ зависимости пролольной и поперечной подвижности невырожденного газа электронов сверхрешетки. Показано, что учет неупругости рассеяния и дисперсии минизоны может привести к существенному увеличению подвижности электронов и к усилению ее температурной зависимости в области низких температур

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/

Найти похожие

539.293.011
Б 825

Борисенко, С. И.
Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/Al[x]Ga[1-x]As на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума [Текст] / С. И. Борисенко // Известия вузов. Физика. - 2003. - N12. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

539.293.011

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ПО-фононы -- квазидвумерные электроны -- полярные оптические фононы -- диэлектрический континуум
Аннотация: Проведен расчет продольной и поперечной подвижности электронов нижней минизоны сверхрешетки (СР) GaAs/Al[0,36]Ga[0,64]As в случае рассеяния на дальнодействующем потенциале полярных оптических (ПО) фононов при Т=300К. Проанализированы парциальные вклады в подвижность и эффективное время релаксации от различных мод колебаний дальнодействующего потенциала ПО-фононов. Исследована зависимость подвижности и эффективного времени релаксации импульса от параметров СР. Расчет выполнен с помощью линеаризованного уравнения Больцмана. Скалярный потенциал ПО-фононов рассчитывался в модели диэлектрического континуума.

Перейти: www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml

Найти похожие

536.7
Р 411

Репецкий, С. П.
Термодинамический потенциал электронов и фононов неупорядоченного кристалла [Текст] / С. П. Репецкий, Т. Д. Шатний // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N1. - Библиогр.:с.26-27 (15 назв.) . - ISSN 0015-3230

УДК

536.7

ББК 22.317
Рубрики: Физика--Термодинамика
Кл.слова (ненормированные):
модель Хаббарда -- термодинамика -- электроны -- фононы -- кластеры -- кристаллы -- металлы -- сплавы -- электронная структура -- корреляция -- плотность -- температурная зависимость -- магнетизм
Аннотация: С учетом электрон-фононного и электрон-электронного взаимодействий получено кластерное разложение для термодинамического потенциала неупорядоченного кристалла. Результаты данной работы указывают на возможные пути обобщения известной в теории магнетизма однозонной модели Хаббарда для описания влияния сильных электронных корреляций на электронную структуру и свойства неупорядоченных сплавов переходных металлов с узкими энергетическими зонами.

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Шатний, Т.Д.

Найти похожие

669
М 742

Могиленских, В. Е.
Влияние гидростатического сжатия на оптические фононы в Os и Re: вклад теплового расширения в собственные энергии [Текст] / В. Е. Могиленских, В. И. Осотов, Ю. С. Поносов, В. В. Щенников // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N5. - Библиогр.:с.42 (19 назв.) . - ISSN 0015-3230

УДК

669

ББК 34.3
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы
Кл.слова (ненормированные):
гидростатика -- сжатие -- фононы -- тепловое расширение -- спектры -- рассеяние света -- переходные металлы -- температурные режимы -- осмий -- цинк -- рений -- эксперименты
Аннотация: Проведено сравнение частотных сдвигов в экспериментах с изменением давления и температуры для переходных и простых металлов. Показано, что в переходных металлах Os и Re температурные сдвиги частот лишь в небольшой степени определяются эффектами теплового расширения, в то время как в простом металле Zn за изменения фононных энергий полностью ответственны эффекты теплового расширения.

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Осотов, В.И.; Поносов, Ю.С.; Щенников, В.В.

Найти похожие

539.2
К 12

Каган, В. Д.
Кинетическая теория процессов ионизации и захвата электрона заряженной примесью в полупроводнике [] / В. Д. Каган // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 210-216. - Библиогр.: с. 216 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диэлектрики; заряженные примеси; ионизация; кинетическая теория; кулоновские поля; полупроводники; поля; примеси; проводимость; рассеяние; фононы; электрон-фононное рассеяние; электроны
Аннотация: Учтены неупругие процессы электрон-фононного рассеяния, при которых электрон захватывается или освобождается из кулоновского поля примеси.

Найти похожие

539.2
К 90

Кулеев, И. Г.
Механизмы релаксации продольных фононов в кубических кристаллах германия, кремния и алмаза [] / И. Г. Кулеев, И. И. Кулеев // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 2. - С. 300-310. - Библиогр.: с. 309-310 (27 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
алмаз; анизотропный континуум; высоко; германий; динамика; континуум; кремний; кристаллы; кубические кристаллы; переходы; продольные фононы; релаксация; решетки; фазовые переходы; фононы
Аннотация: В модели анизотропного континуума рассчитаны частоты релаксации продольных тепловых и высокочастотных фононов для трехфононных механизмов рассеяния.

Доп.точки доступа:
Кулеев, И. И.

Найти похожие

539.2
Р 33

Редько, Н. А.
Особенности теплопроводности висмута, легированного теллуром, при низких температурах [] / Н. А. Редько, В. Д. Каган, Н. А. Родионов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 3. - С. 404-411. - Библиогр.: с. 411 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
висмут; компенсированные полуметаллы; концентрации; легирование; металлы; полупроводники; примеси; релаксация; теллур; теплопроводность; теплопроводность; фононная теплопроводность; фононы; электроны
Аннотация: В висмуте, легированном теллуром, исследуется фононная теплопроводность. Анализируется влияние различных механизмов релаксации фононов на зависимости обоих максимумов фононной теплопроводности от температуры, концентрации примесей и концентрации электронов.

Доп.точки доступа:
Каган, В. Д.; Родионов, Н. А.

Найти похожие

10.

539.2
К 12

Каган, В. Д.
Захват электронов на примесь в полупроводниках, определяемый пространственной диффузией [] / В. Д. Каган // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 3. - С. 433-436. - Библиогр.: с. 436 (3 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
диффузия; диэлектрики; заряженные примеси; захват; импульсные простанства; ионизация; координатные пространства; коэффициент захвата; полупроводники; примеси; пространства; пространственная диффузия; фононы; электроны
Аннотация: Испуская или поглощая фононы, электроны в полупроводнике захватываются полем заряженной примеси или ионизуются из захваченного состояния. Процесс захвата определяется изменением электронной функции распределения как в импульсном, так и в координатном пространстве. Вычисляется коэффициент захвата в тех условиях, когда он определяется диффузионным перераспределением электронной плотности в поле заряженной примеси.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)